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1.
方泉玉  蔡蔚  沈智军  邹宇  李萍  徐元光 《物理学报》1996,45(10):1641-1646
用自编的扭曲波程序ACDW(9)和拟合程序FIT(9),计算了一系列类锂离子的碰撞激发过程.找出了约化碰撞强度Ωred是约化电子能量εred的慢变函数,约化速率系数因子γred是约化电子温度Tred的慢变函数.对某种离子的一个激发过程,可用10个参数描述,由这10个参数可以得到任意电子能量下的碰撞强度和激发截面,以及任意温度下的速率系数 关键词:  相似文献   
2.
用准相对论扭曲波方法系统地计算了Ba、Nd、Gd、Yb、Au、Pb类铜离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω(nl-nl),3≤n≤7,4≤n≤7,同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度,用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数。对于一个激发过程,用10个参数可以得到碰撞电子在任意能量下的碰撞强度以及任意温度下的速率系数。  相似文献   
3.
方泉玉  蔡蔚  邹宇  李萍 《物理学报》1998,47(10):1612-1620
快速算法结合推广的Bethe公式,可以为应用研究提供便于使用的偶极激发碰撞强度和速率系数.用准相对论平面波Born(QRPB)近似计算高能区Au50+离子n0l0→nl偶极激发的碰撞强度,给出Bethe公式中动量转移截断参数k0,从而确定激发过程的高能行为.快速计算方法中采用了Cowan所发展的准相对论方法,用统一的Hartree-Fock-Slater势计算束缚和连续态电子波函数.用准相对论扭曲波(QRDW)近似计算阈值附近的碰撞强度并外推阈值处的碰撞强度Ω0,然后拟合到高能碰撞强度上.对于特殊情况还需增加三倍阈值点a的计算,用三个参数Ω0a和k0拟合出全能域(出射电子能量εb=0—∞)的碰撞强度.由此可以得到全部温度范围(电子温度Te=0—∞)的速率系数<σv>.这样得到的Ω和<σv>,在相应的感兴趣的能量和温度范围内有合理的精度. 关键词:  相似文献   
4.
5.
6.
电子与高荷电离子碰撞激发的扭曲波截面   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用我们的“快速”扭曲波方法和程序MCDW(9),计算了类氖Ce~(22+)27个精细能级之间351个过程的激发截面,并且与其它理论值进行了比较.结果表明:碰撞强度大的过程一般符合在10%左右.但是由于组态混合导致跃迁矩阵元严重抵消而变成为相对小的过程以及激发能很小的光学禁戒(电偶极振子强度为零)过程,其截面(或碰撞强度)对模型细节敏感,不同作者计算差别较大. 关键词:  相似文献   
7.
类镍离子的电子碰撞强度和速率系数   总被引:2,自引:0,他引:2  
方泉玉  蔡蔚 《计算物理》1996,13(4):415-420
用准相对论扭曲波方法系统的计算了Pb,Au,Ba,Mo,Ge类镍离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω(nl-n′l′),3≤n≤7,4≤n′≤7,同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度,用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数,对于一个激发过程,用10个参数可以得到碰撞电子在任意能量下的碰撞强度以及任意温度下的速度系数。  相似文献   
8.
Auq+(q=47,55)离子的电子碰撞强度与速率系数   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
方泉玉  蔡蔚  邹宇  李萍  徐志瑾 《物理学报》1997,46(3):448-457
用准相对论扭曲波方法计算了Auq+(q=47,55)离子的组态重心能级之间的电子碰撞激发强度和速率系数(简称激发参数).着重分析了高能区光学允许跃迁的碰撞强度的行为,探讨了平面波近似的适用范围.与其他完全相对论数据比较,表明剩余的相对论效应是不大的.阐述了由约化量的5点样条值内插可得任意能量的碰撞强度和任意温度的速率系数.演示了碰撞强度随能量的变化,有效碰撞强度和速率系数随温度的变化.结果表明在类镍金两侧各延伸的4种不同荷电离子,其单电子激发参数变化小于10%,这对于使用平均原子模型  相似文献   
9.
Al^(10+)的电子碰撞激发和电离   总被引:3,自引:2,他引:1  
用扭曲波方法计算了Al ̄(10+)离子基态和第一激发态的1s、2s和2p电子的激发和电离截面。激发截面与文献[3]的结果符合很好。同时,2s电离截面与文献[4]的结果也是一致的。在电离阈值处实现了激发截面(乘以“态密度”)与电离能量微分截面的光滑联接。  相似文献   
10.
Al~(10+)的电子碰撞电离及有关过程   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
方泉玉  李萍  蔡蔚  沈智军  徐元光  邹宇  陈国新 《物理学报》1995,44(11):1703-1711
用扭曲波方法计算Al~(10+)基态在Is~22s的Is,2s电子和第一激发态Is~22p的2p电子的电离截面以及基态的总电离截面(包括内壳层激发自电离).入射电子能量(?)(即(?)以2s电离能I_(2s)为单位)为1.05,1.125,l.25,1.5,2.25,4……同时计算出了电离阈值以下的激发截面(乘以所谓态密度),实现了在电离阈值处与阈值以上电离能量微分截面光滑联接;计算了光电离截面积分值,实现了在入射电子能量趋于无穷时与电子碰撞电离截面衔接.计算结果与其他方法进行了比较. 关键词:  相似文献   
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