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| 类铍C Ⅲ,N Ⅳ,O Ⅴ离子的基态和亚稳态的直接单电离截面计算 | |
| 引用本文： | 杨建会,李雪梅,张建平,舒晓琴,朱林.类铍C Ⅲ,N Ⅳ,O Ⅴ离子的基态和亚稳态的直接单电离截面计算[J].原子与分子物理学报,2010,27(5). |
| 作者姓名： | 杨建会 李雪梅 张建平 舒晓琴 朱林 |
| 基金项目： | 乐山师范学院资助项目，四川省教育厅重点资助项目 |
| 摘 要： | 本文使用相对论扭曲波近似计算了基态(1s2s21S)和亚稳态(2s2p3P)的类铍C Ⅲ,N Ⅳ和O Ⅴ离子的电子碰撞直接单电离截面.计算中包括了基态的2s壳层和亚稳态的2s、2p壳层的直接单电离而没有包括1s子壳层.其结果与现有的理论和实验数据进行了比较,相对论扭曲波近似结果在外型和大小上都与近期的实验数据很一致,且与其他理论结果相比,在近阑和高能范围内与实验数据符合得更好. |
| 关 键 词： | 电子碰撞电离 相对论扭曲波 类铍离子 |
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