铀铌合金热氧化过程的AES研究

在超高真空下，室温下，通入高纯O2，清洁铀铌合金表面就会吸附O2，并解离与表面铀原子结合生成UO2，与表面铌原子结合生成NbO，继续氧化成为Nb2O5；但在高温(673K)时，反应情况截然不同，在氧化过程中，表面上的Nb基本保持为金属态的Nb，U也不能完全氧化为UO2。利用AES研究真空热处理对铀铌合金表面层的影响，将有助进一步丰富铀铌合金的氧化腐蚀机理。     

铀与UO2表面铝薄膜生长行为的俄歇电子能谱分析

主要利用俄歇电子能谱（AES）原位分析了室温下铀与UO2表面铝薄膜的生长行为。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其沉积到铀基体上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，原位分析铝薄膜的生长过程。在UO2表面沉积铝膜时，先往真空室中充入氧气，将清洁铀表面氧化成UO2，然后再溅射铝靶原位沉积制备铝薄膜。     

氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响

以50keV和100keV能量的氢离子注入p型(100)直拉硅单晶薄膜。注入剂量为10¹⁵—2×10¹⁷H⁺/cm²。试样在HU-1300型超高压透射电子显微镜中进行电子辐照和原位加热动态观察。结果表明在20—300℃温度范围内与未注氢硅相比,注氢硅在相同的电子辐照条件下产生的电子辐照缺陷较少,电子辐照缺陷形成所需的潜伏时间较长。在电子显微镜中加热试样时于190℃开始观察到氢泡,190—220℃范围内氢泡逐渐产生并长大 关键词：     

一种超高温动态力学行为测试及原位图像获取方法

提出了一种新的超高温(1 600℃)动态力学性能测试及原位图像获取方法:在原有分离式Hopkinson压杆的基础上,利用加热源为Mo Si2的超高温炉实现超高温环境,采用两个活塞组成双同步系统,利用高速摄像机记录动态变形过程。为了验证所提方法的可行性,以TC4钛合金和Si C陶瓷为研究对象,进行超高温动态力学性能测试,其中:在TC4钛合金实验中,应变率为2 000 s-1,温度范围为20~1 400℃,测得其流动应力从1.6 GPa降到150 MPa;在Si C实验中,应变率为250 s-1,温度范围为20~1 200℃,测得其压缩强度从250 MPa降到220 MPa。根据高速摄像机记录的试样动态变形过程,分析试样的破坏模式,结果表明:在高温空气环境下,TC4钛合金试样表面有氧化层裂开现象,而在氩气环境下则没有;室温下,Si C试样初始裂纹产生时的应力为压缩强度的80%,而在1 200℃下为压缩强度的99%。     

铀与表面铝薄膜界面反应的俄歇电子能谱分析

主要利用俄歇电子能谱（AES）研究了室温下铀、UO2与表面铝薄膜之间的界面反应，以及退火对界面反应的影响。在俄歇电子能谱仪超高真空室中，利用Ar^＋枪溅射铝靶，使其分别逐步沉积到铀基体与UO2表面上，然后利用电子枪适时采集表面俄歇电子能谱，研究膜基界面反应。     

缺氧及富氧条件下CuFe2O4催化热解酸性红B的原位FTIR反射光谱研究

用原位红外漫反射光谱法研究了在缺氧及富氧条件下CuFe2O4催化热解酸性红B(ARB)的反应过程。结果表明，两种反应气氛对染料分子中磺酸基团的热分解没有影响，但对偶氮基团及芳环的氧化分解影响显。在空气中，ARB的热解更迅速，300℃时可完全氧化为CO2及硝酸盐。而在N2气氛中，加热至300℃时ARB难以完全氧化热解，此时即使再通空气也不易将其完全氧化，而要在更高温度下(500℃)才能快速、彻底氧化成CO2及硝酸盐。     

显微红外光谱法研究聚丙烯纳米复合材料的光氧化降解

采用显微红外(AIM)光谱法,结合偏光显微镜(POM)和扫描电子显微镜(SEM),对聚丙烯/碳酸钙(PP/CaCO₃)和聚丙烯/二氧化硅(PP/SiO₂)纳米复合材料中光氧化降解沿深度的分布进行了研究。结果表明,无论是纯聚丙烯还是聚丙烯纳米复合材料,试样的光氧化降解都是氧扩散控制过程,由表面逐渐向内部发展。纳米碳酸钙和纳米二氧化硅的加入都显著地促进了PP基体的光氧化降解,二氧化硅的影响更为严重。纳米填料的含量越高,复合材料的氧化程度也越高,但氧化层的厚度却基本不变,都在200 μm左右,当样品表面严重老化至表面脱落后,氧化继续向内部进行。氧化层的厚度主要是由试样成型过程中形成的表面过渡区的厚度决定的。     

THE CRYSTALLIZATION OF Bi IN THE ANNEALED a-Ge/Bi BILAYER AND ITS EFFECT ON CONDUCTIVITY

In this paper, the crystallization behaviors and transport properties are investigated for a-Ge/Bi bilayers annealed at different temperatures. For 200nm/100nm bilayers, it is found that the orientations of Bi in the bilayers annealed at 200℃ and 340℃ are preferred, as well as the original one. But they are random when the bilayers are annealed at tem-peratures between 240℃ and 300℃. For 200nm/50nm bilayers, the orientation of Bi are always preferred. Corresponding to the orientations mentioned above, the minimum on the R(300K)-T_a curve appears only in the case of 200nm/100 nm bilayers.     

基底温度对中阶梯光栅厚铝膜质量的影响

大尺寸中阶梯光栅具有大孔径和极高的衍射级次,可以实现普通光栅难以达到的极高光谱分辨率。中阶梯光栅通常是利用刻划机在厚铝膜上刻划而成,所以制备大面积均匀性的高质量铝膜刻划基底是实现高性能大尺寸中阶梯光栅的关键因素。在较厚铝膜的制备工艺中,基底温度是至关重要的工艺参数。本文通过电子束热蒸发镀铝工艺在不同基底温度下制备了厚铝膜样品,并利用原子力显微镜、扫描电镜等手段从宏观和微观尺度详细分析了基底温度对铝膜质量的影响。铝膜平均晶粒尺寸从100℃时的264.34 nm增大到200℃时的384.97 nm和300℃时的596.35 nm,表面粗糙度Rq从100℃时的34.7 nm增长到200℃时的58.9 nm和300℃时的95.1 nm。结果表明,随着基底温度的升高表面粗糙度迅速增大,铝膜的表面质量严重退化。     

自推进的液滴

当液体的温度远远地超过它的沸点（如水在200℃-300℃）时，液体表面与汽相间会形成一薄层，液滴可漂浮于该层并在其中作无规则的滑动．这种现象称为“莱顿弗罗斯特效应”（Leidenfrost effect）．最近美国Oregon大学的H．Linke教授与他的澳大利亚合作者对此现象作了一些新的研究，他们让表面形成为锯齿形，这时漂浮在蒸汽层中的液滴受到锯齿状表面力的作用会产生自推进的运动，     

二甲醚低温氧化及甲醛生成特性实验研究

在常压环境下对二甲醚的低温氧化特性做了实验研究,并在不同当量比下研究了预混气中甲醛的生成特性.实验结果表明,二甲醚在200℃左右开始缓慢发生氧化反应,在250~379℃时氧化反应最为剧烈,750℃时被完全氧化为CO2和水;在二甲醚低温氧化产物中,甲醛是其重要的组分,二甲醚在200~400℃温度环境下最容易氧化而产生甲醛...     

二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

针对VO₂薄膜在微测辐射热计上的应用，采用射频反应溅射法，在室温下制备氧化钒薄膜；研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压，先获得成分接近VO₂的非晶化薄膜，再在400℃空气中氧化退火，便可制得高电阻温度系数，低电阻率的VO₂薄膜，电阻温度系数约为-4%/℃，薄膜方块电阻为R_□为100—300kΩ；薄膜在室温下沉积，400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic 关键词： 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法     

强氧化条件下非晶态Ni—Zr合金的表面结构及组成表征

用ＸＰＳ，ＵＰＳ，ＩＳＳ，ＳＥＭ方法分别对Ｎｉ２４Ｚｒ７６和Ｎｉ３６Ｚｒ６４两种组份的非晶态合在氧气压强为５×１０＾４Ｐａ温度为２５０℃～３００℃，的强氧化条件下，氧化前后表面的形貌及化学组成分析，结果表明，表面优化氧化Ｚｒ，并形成ＺｒＯ２物种，在非晶态Ｎｉ２４Ｚｒ７６合金中没有发现Ｎｉ的氧化，而Ｎｉ３６Ｚｒ６４组份的合金中Ｎｉ被氧化生成了ＮｉＯｘ（１〈ｘ〈１．５），氧化后表面富Ｚｒ将氧化后的Ｎｉ     

高热负荷下偏滤器材料的温度测量

用小试样模拟试验测试了不同功率密度下的材料表面温度分布。用热等静压焊接方法制作了钨为表面的模拟偏滤器材料小试样,用 25mm的电子束作为热源,在真空室中用 0.3mm的NiCr NiSi热电偶测量了2～9MW·m-2功率密度下材料表面的温度分布。结果发现在充分冷却的情况下,表面最高温度约400℃,钨铜焊缝处的平均温度达150℃。     

超临界CO2钝化金属铀的理论研究

超临界CO2可以清洗核材料表面，同时也可以起到钝化作用。有关超临界CO2的热力学，分子结构与分子反应动力学以及实验的研究从微观与宏观都明确指出，超临界CO2可以与铀生成UO2，UC和C等，但是没有对化学性质的定量和钝化层的结构进行计算。本研究正是补充此方面的研究。应用化学热力学原理对超临界CO2与铀反应生成的UO2、UC和C等化学性质进行计算并利用Gaussian 98程序对反应后形成的钝化层结构进行计算。     

金属Sn薄膜的高温氧化与表面特征

侧重研究了高温氧化（300－550℃）引起金属Sn薄膜的表面显微形貌和表面氧化状态的变化．利用原子力显微镜（AFM）的测量，观察到金属Sn薄膜表面的金属晶粒呈现近似方形的显微形貌，但是金属Sn氧化薄膜表面的金属氧化物颗粒却具有近似圆形的显微形貌，因此，金属晶粒的高温氧化是一个各向异性的过程．在X射线光电子能谱（XPS）测量的基础上，不仅发现在金属Sn薄膜和金属Sn氧化薄膜的表面都存在大量的吸附氧粒子，而且发现吸附氧粒子的吸附形式与表面的氧化程度有关 关键词：     

电磁搅拌辅助激光熔覆钴基合金涂层的抗热腐蚀性能

在激光熔覆制备钻基合金涂层的过程中引入电磁搅拌,研究了有无磁场辅助时涂层表面在750℃/100 h混合盐条件下的抗热腐蚀性能。研究结果表明,无磁场辅助的涂层的抗热腐蚀性能较差,热腐蚀60 h后涂层内部出现严重的内氧化和内硫化,并出现严重失重现象。经磁场辅助的熔覆层形成了稳定性好的保护性Cr_2 O_3及Co Cr_2 O_4尖晶石氧化膜,有效抑制了腐蚀液中S和Cl~-的向内侵入,在整个腐蚀阶段样品未出现严重开裂剥落现象。电磁搅拌的加入有效细化并均化了熔覆层的显微组织,促进了涂层表面保护性氧化膜的快速形成,阻止了熔盐的扩散,可进一步提高涂层的抗热腐蚀性能。     

自辐射场下UO3分子光谱研究

铀原子和氧原子分别使用相对论有效原子实势（Relativistic Effective Core Potential）和6-311+G(d)基组，采用优选的密度泛函B3P86方法，研究了铀本身产生自辐射场（-0.005～0.005a.u.）作用下UO3基态分子的最高占据轨道（HOMO）能级EH、最低空轨道（LUMO）能级EL、能隙Eg、费米能级FL和谐振频率ν．结果表明：UO3分子在自辐射场中的谐振频率ν2(b1)、ν3(a1) 、ν4(a1) 和ν6(b2)与实验值151.5 cm-1、186.2 cm-1、745.7 cm-1和852.6cm-1基本吻合．EH随自辐射场的增加而减少，EL随自辐射场的增加而增大，Eg始终处于增大的趋势，费米能级FL上升，占据轨道的电子难以被激发至空轨道而形成激发态，UO3分子在自辐射场中更趋于稳定，可以阻止O2、H2等扩散到表面内层而腐蚀铀表面，有利于了铀在自辐射场中抗腐蚀．     

氢化锂的高温拉伸性能

^7LiH是重要的热核材料，为保证该材料的性能，选择合理的烧结工艺是非常必要的。国外对^7LiH材料的力学性能进行过一些研究。为了进一步改善^7LiH材料的力学性能和为^7LiH材料高温烧结过程数值模拟工作提供依据，试验测试了烧结坯和冷压坯两种状态的^7LiH试样，从室温至600℃的拉伸性能和经过350-650℃烧结后的室温拉伸性能，并对试样断口进行了分析，见图1-2，可以看出，无论是否经过烧结，^7LiH试样从室温至300℃的抗拉强度，随试验温度的升高而增加。300-600℃的抗拉强度，随试验温度升高而降低。^7LiH试样经过从350-650℃的温度范围烧结后，在530℃烧结的^7LiH试样，室温抗拉强度达到最大值。     

低能离子束诱导Ag表面纳米金字塔微结构

利用离子束溅射诱导实验方法,在单晶Si(100)基底上辅助沉积银膜,研究了低能Ar+离子束30°入射时,不同离子束能量和束流密度以及基底温度对Ag纳米结构的影响.结果表明:在较低基底温度下(32~100℃)辅助沉积银膜,膜层表面会呈现排列紧密、晶粒尺寸一致的金字塔状纳米结构.当温度升高时(32~200℃),纳米微结构横向尺寸λc迅速增加,而粗糙度先减小(32~100℃)后迅速增大(100~200℃);当离子束能量1 400eV、束流密度15~45μA/cm2时,在相同温度下,随着离子束束流密度的增大,纳米晶粒横向尺寸基本不变,粗糙度略有增加;当离子束流密度为15μA/cm2、能量1 000~1 800eV时,在相同温度下,随着离子束能量的增加,银纳米结构尺寸增加,而表面粗糙度先增加,然后缓慢减小.自组织纳米结构的转变是溅射粗糙化和表面驰豫机制相互作用的结果.