(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15共生结构铁电材料性能研究

采用固相烧结工艺,制备了不同La掺杂量(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25和1.50)的(Bi, La)4Ti3O12-Sr(Bi, La)4Ti4O15 (SrBi8-xLaxTi7O27)共生结构铁电陶瓷样品.用x射线衍射对其进行微结构分析,并测量铁电、介电性能.结果发现,La掺杂未改变Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15共生结构铁电材料的晶体结构.随掺杂量的增加,样品的矫顽场(Ec)略有增加,剩余极化(2Pr)先增大,后减小.在x＝0.50时,2Pr达到极大值,为25.6 μC*cm-2,与Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15相比,2Pr增加了近60%,而Ec仅增加约10%.随La掺杂量的增加,样品的居里温度TC逐渐降低,x＝0.50时,TC=556 ℃.在x=1.50时,样品出现弛豫铁电体的典型特征.     

Mo掺杂SrBi4Ti4O15陶瓷的铁电介电性能

用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06,0.09).X射线衍射的结果表明,样品均为单一的层状钙钛矿结构相,Mo掺杂未改变SBTi的晶体结构.通过扫描电子显微镜观测发现,样品晶粒为片状,随掺杂量的增加,晶粒逐渐变小.铁电测量表明,Mo掺杂使SBTi的铁电性能得到较大改善.随掺杂量x的增加,样品的剩余极化(2Pr)呈现出先增大,后减小的规律.在x=0.06时,2Pr达到最大值26.5 μC/cm2,与SrBi4TiO15(2Pr=12.2 μC/cm2)相比,提高117%.材料的矫顽场Ec在掺杂后增加仅为20%左右.SBTi的居里温度受掺杂的影响甚微,说明Mo对SrBi4Ti4O15的掺杂基本未影响材料原有的良好的热稳定性.     

Bi4-xLax Ti3O12-SrBi4-y Lay Ti4O15共生结构铁电材料拉曼光谱研究

在常温下 ,对La掺杂共生结构铁电陶瓷Bi4 -xLaxTi3O1 2 _SrBi4 -yLayTi4 O1 5[BLT_SBLT(x y) ,x y =0 0 0 ,0 2 5 ,0 5 0 ,0 75 ,1 0 0 ,1 2 5 ,1 5 0 ]进行了拉曼光谱研究 .结果表明 ,在掺杂量低于 0 5 0时 ,La只取代类钙钛矿层中的Bi,当掺杂量高于 0 5 0后 ,部分La开始进入 (Bi2 O2 ) 2 层 .La取代 (Bi2 O2 ) 2 层中的部分Bi以后 ,(Bi2 O2 ) 2 层结构发生变化 ,原有的绝缘层和空间电荷库的作用减弱 ,导致材料剩余极化下降 .La掺杂量增至 1 5 0时 ,样品出现弛豫铁电性 ,这与 30cm- 1 以下模的软化相对应 ,说明La掺杂可引起材料的结构相变     

Bi4-xLaxTi3O12-SrBi4Ti4O15,共生结构铁电材料拉曼光谱研究

在常温下，对La掺杂共生结构铁电陶瓷Bi_4-xLa_xTi_3O_12-SrBi_4-yLayTi_4O_15［BLT-SBLT(x+y),x+y= 0.00, 0.25,0.50,0.75,1.00,1.25,1.50］进行了拉曼光谱研究.结果表明，在掺杂量低于0.50时，La只取代类钙钛矿层中的Bi，当掺杂 量高于0.50后，部分La开始进入(Bi_2O_2)^2+层. La取代(Bi_2O_2)^2+层中的部分Bi以后，(Bi_2O_2)^2+层结构发生变化 ，原有的绝缘层和空间电荷库的作用减弱，导致材料剩余极化下降. La掺杂量增至1.50时，样品出现弛豫铁电性，这与30cm^-1以下模的软化相对应，说明La掺杂可引起材料 的结构相变. 关键词： Bi4-xLaxTi3O12-SrBi4Ti4O15 La掺杂 声子模 拉曼频移     

La掺杂SrBi4Ti4O15铁电材料性能研究

按x=0.00，0.10，0.25，0.50，0.75和1.00，采用固相烧结工艺，制备了不同La掺杂量的SrBi_4-xLa_xTi₄O₁₅的陶瓷样品. 用x射线衍射对其微结构进行了分析，并测量了铁电、介电性能.结果发现，La掺杂未改变SrBi₄Ti ₄O₁₅的晶体结构.随掺杂量的增加，样品的矫顽场(E_c)下降，剩余极化(2P_{关键词： 4-x}La_xTi₄O₁₅')" href="#">SrBi_4-xLa_xTi₄O₁₅ La掺杂 铁电性能 相变温度 弛豫铁电     

Great enhancement in remnant polarization of SrBi4Ti4O15 thin films by A-site doping of Fe3+ ions

SrBi4-xFexTi4O15 (SBFT-x) thin films (x = 0.00, 0.05, 0.08, 0.15) have been synthesized on Pt/Ti/SiO2/Si (100) substrates by sol-gel method. This paper finds that Fe-doping does not change the crystal structure of SrBi4Ti4O15 (SBTi). The coercive filed (Ec) and remnant polarisation (Pr) increase at first, then decrease with the increase of Fe doping content. At a maximum applied field of 229 kV/cm, the 2Pr reaches a maximum value of 91.1 μC/cm2 at x = 0.05 and the corresponding Ec is 72 kV/cm. The 2Pr increases by about 260% and the Ec decreases by about 6%, respectively. Obviously, the ferroelectric property of SrBi4Ti4O15 is greatly enhanced by Fe doping. The fatigue-endurance characteristic of the SBFT-0.05 is not improved. After 1.1×109 read/write cycles at a frequency of 50 kHz, the nonvolatile polarisations (Pnv = P*-P∧) decreased about 48% of its initial value.     

KNb_(1-x)Ti_xO_(3-δ)固溶体的合成与表征

利用高温高压法首次合成了KNb1 -xTixO3-δ(x =0～ 0 .4)系列固溶体 ,并使用X射线衍射、TG DTA、Raman谱和交流阻抗谱等对样品的结构、热稳定性和导电性进行了表征。XRD结果表明 ,随掺杂量的增加 ,晶胞体积减小 ;Ti掺杂引起了固溶体结构的转变 ,x <0 .1 5的样品为正交钙钛矿结构 ,而x≥ 0 .1 5的样品几乎为纯四方相结构。Raman谱和DTA结果显示 ,Ti掺杂使四方相区宽化 ,并且随掺杂量的增加 ,相变温度逐渐下降。阻抗谱测量表明 ,所有样品均以离子导电为主 ,其中KNb0 .85Ti0 .1 5O2 .92 5的氧离子导电率最高 ,在 80 0℃时达到 5 .6× 1 0 - 3S·cm- 1 ,在测量温度范围内 ,电导率可以拟合成两条直线 ,低温活化能小于高温活化能     

光学材料 光学塑料、光学陶瓷

TQ174.756 2006043636Bi4-xLaxTi3O12介电陶瓷的制备及其介电性能的研究=Preparation of Bi4-xLaxTi3O12dielectric ceramics and studyof their dielectric properties[刊,中]/何波(昆明理工大学光电子新材料研究所.云南,昆明(650051)) ,徐静…∥红外.—2006 ,27(3) .—21-27采用固相烧结法制备了不同掺La量、不同烧结工艺的铋层化合物Bi4-xLaxTi3O12(x=0 ,0 .25 ,0 .5 ,0 .75 ,1)介电陶瓷。利用宽频LCR数字电桥和XRD、SEM分析了Bi4-xLaxTi3O12介电陶瓷的晶相和微观结构对其介电性能的影响。研究表明,1 050 ℃烧结温度保温4 h…     

La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响

利用Sol-Gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜,研究了La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜的晶体结构、铁电性能和疲劳特性的影响,发现La掺杂没有改变Bi4Ti3O12薄膜的基本晶体结构,并且提高了Bi4Ti3O12铁电薄膜的剩余极化值和抗疲劳性能,对La掺杂改善Bi4Ti3O12铁电薄膜性能的机理进行了讨论.     

钒掺杂La1.85Sr0.15Cu1-xVxO4＋δ超导体系的结构研究

本文讨论了钒掺杂La1.85Sr0.15Cu1-xVxO4 δ体系的结构.与以往二三价元素掺杂不同,V掺杂的最高掺杂浓度较大,为0.15.精修结果表明,样品中V为 4价,并且全部替代了Cu.晶胞参数a,b随掺杂量x的增加而增加,c随x的增加减小.x=0.10时发生四方-正交相变.随掺杂含量的增加样品结构的变化在红外吸收谱中也有对应.随V含量的增加,500cm-1处的吸收峰的强度和位置都没有变化,这表明V替代在了Cu位.对于350cm-1处的吸收峰,x=0.5时在其附近左侧327cm-1处出现一个吸收峰,当x=0.10时在其右侧400cm-1处又出现一个吸收峰.400cm-1处吸收峰的出现是和四方-正交相变(x=0.10时发生四方-正交相变)相对应的.     

硫酸氢铵高压下相变研究

由于铁电材料在科学研究领域的重要应用,功能铁电材料的设计和机理研究一直是国内外的研究热点。材料的性能离不开结构研究,为了更好的认识和理解一种典型铁电材料-硫酸氢铵的结构和相行为,研究了17GPa压强下硫酸氢铵的高压拉曼光谱。在压力作用下,绝大多数的拉曼谱线向高波数方向移动,并且有两个特征拉曼谱带的强度发生很大的变化(1 018和3 183cm~(-1)),表明硫酸盐与铵离子正四面体的电子云密度发生重构。根据频移-压强曲线关系,得出了硫酸氢铵在6和10.5GPa附近分别存在一阶相变。根据高压下S=O伸缩振动谱带的变化规律,发现了不同相区间氢键的相反作用规律。为AHSO_4系列铁电材料压力作用下结构变化规律提供一定的研究基础。     

The 4s~24p~3—4s4p~4 transition in Cd ⅩⅥ

The available experimental energies for the 4s~24p~3 and 4s~4p~4 configurations in As Ⅰ—like Sr Ⅵ—Ag Ⅹ Ⅴions are compared with the values calculated using the Hartree—Fock method including configuration interaction and relativistic corrections. Some energy values of the 4s~24p~3 configuration in Rh Ⅹ Ⅲ、Pd Ⅹ Ⅳ and Ag Ⅹ Ⅴ ions are improved and all the energies、wavelengths and transition probabilities of the 4s~24p~3—4s4p~4 transition array in Cd Ⅹ Ⅵ are presented.     

补体4的免疫共振散射光谱分析

在pH 7.3 Na₂HPO₄-KH₂PO₄缓冲溶液中及聚乙二醇-6000存在下,补体4(C4)与羊抗人补体4(goat anti-human C4)通过库力引力、范德华力、氢键结合力、疏水等作用力发生免疫反应,可聚集形成疏水的免疫复合物微粒,该微粒在350,390,440 nm有3个共振散射峰。激光散射法测得免疫复合物微粒的平均粒径为3 440.0 nm。分别研究了pH、羊抗人补体4和PEG浓度、温育时间和温度、共存物质的影响。在最佳条件下,补体4(C4)浓度在0.18～2.60 μg·mL-1范围内与350,390 nm处的散射强度均呈线性关系,其回归方程、相关系数、检出限分别为ΔI_{350 nm}=28.23c+9.17,ΔI_{390 nm}=31.36c+11.08, 0.993 9,0.992 3, 0.084 μg·mL-1,0.11 μg·mL-1。该法用于分析人血清中补体4(C4),结果与免疫透射比浊法结果一致,相对标准偏差在1.88%～4.36％,具有简便快速、灵敏度高、选择性好等特点,在临床检验上具有一定的应用价值。     

FR4相对电容率测量实验设计

采用由微带线与射频信号源、频谱分析仪构成的简易实验装置,可准确测量出FR4介质板的相对电容率,降低了射频电路或微带天线设计实验的成本.     

NH4H2PO4和ND4D2PO4晶体微结构的拉曼光谱研究

本文利用偏振拉曼光谱和第一性原理, 对磷酸二氢铵(NH₄H₂PO₄, ADP)和不同氘含量磷酸二氢铵DADP晶体的晶格振动模式进行了研究. 实验测得了不同几何配置、200–4000 cm^-1范围的偏振拉曼光谱, 分析在不同氘含量条件下921 cm^-1和3000 cm^-1附近拉曼峰的变化. 在ADP晶体中, 基于基本结构单元NH₄⁺ 和H₂PO₄^-基团的振动模, 用第一性原理进行了数值模拟, 进一步明确拉曼峰与晶体中原子振动的对应关系; 通过洛伦兹拟合不同氘含量DADP晶体的拉曼光谱中2000–2600 cm^-1处各峰的变化讨论了DADP 晶体的氘化过程, 结果表明氘化顺序是先NH₄⁺ 基团后H₂PO₄^-基团, 研究结果为今后此类材料的生长和性能优化奠定了基础.     

EuVO_4的制备与发光性能的研究

利用固相反应法制备了EuVO4样品,利用X射线衍射,傅里叶红外光谱,激发光谱与发射光谱等测试手段对其粉末的晶型、结构、发光性质进行了研究.XRD结果表明,随着反应温度的升高,V2O5和Eu2O3在600℃左右开始反应,700℃左右反应基本完成,生成物属四方晶系,与EuVO4标准图谱一致,说明固相反应主产物是EuVO4;红外光谱证明,V=O键的伸缩振动变弱,并向低波数移动,O-V-O的反对称伸缩振动明显增强;激发光谱的主要变化是Eu-O电荷迁移带随着反应温度的升高而消失,产生出强度很强的323 nm处的7F0-5H3跃迁;发射光谱结果表明,随着V2O5和Eu2O3向EuVO4转变,最佳激发波长也由275 nm逐渐向323 nm移动,同时出现了467,592和616 nm处的发射峰.它们分别归属于VO3-4的蓝色发射、Eu3+的磁偶极跃迁和电偶极跃迁,实现了同一物质同时产生蓝色荧光和红色荧光,而且VO3-4-对Eu3+的发光有较好的促进作用.     

Exafs studies of LiYF 4 -LiREF 4 solid solutions

In this work we are investigating dopant environments in LiYF 4 -LiREF 4 (RE=rare-earth cations) solid solutions, via EXAFS. The main aims are to identify the local environmental symmetry and the average lattice distortion as a function of the concentration and the type of the RE ion. LiY 1 m x RE x F 4 (RE=Gd or Lu) (0< x <1) single crystals were grown by the Czochralski technique under argon or CF 4 atmosphere, crystal-pulling rates were 0.6-1 v mm/h for <100>-oriented boules, with 8-25 v rpm rotation rates. Most of the crystals were also codoped with 2.7 v mol% of neodymium in the melt. EXAFS measurements were performed in transmission and fluorescence modes in the synchrotron XAS line of the LNLS, Campinas, Brazil, in and above the L III absorption edges of the RE ions. The samples were prepared as powder films, for the transmission mode measurements, and as powder or single crystals for fluorescence mode measurements. The WINXAS program was used for data reduction and fitting, and the FEFF6 package was used for the simulations of the spectra. The EXAFS oscillation curves were obtained by standard procedure.