信息存储的现状和未来发展

本文着重从磁存储出发讨论了磁光存储，硬磁盘存储的现状和未来发展。沿用传统的驱动器，它们的面存储密度的极限大致在１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ２的量级，这主要是由存储材料性能和信息存取模式（磁头或光头）的限制。为要进一步提高存储密度，需采取类似近场光学、原子力、磁力和扫描隧道显微镜这样的现代手段来进行信息的存储，但要实现，需要一段较长的时间。在磁存储获得发展的同时，非磁的光存储介质的应用得到了开发，主要是ＣＤ－ＲＯＭ（只读式），ＣＤＲ（写一次）和ＰＤ（相变型）。正是磁和光存储介质在信息存储中的应用，使当今信息技术中一重要领域——信息存储显得生气勃勃。     

磁存储材料的未来发展

从未来微型计算机对磁存储器应具有超高存储密度的要求出发，讨论了磁存储材料的未来发展．并指出，最有希望的材料是沿用传统模式纵向记录的薄膜磁介质和新型的磁光存储薄膜．对于如何实现此超高密度的磁和磁光存储，文章还讨论了各自需要解决的问题及相关的信息存储和读出技术．     

光存储的现状及未来

介绍近年来ＣＤ光盘的发展，综合介绍近年来发展较快的磁光存储和全光存储的膜系材料、存储原理。并对光存储今后的发展进行预测     

可擦重写式磁光光盘存取技术的物理原理

 数字光盘是现代信息存储技术的结晶,但当今正在被广泛应用的一次只读（ＲＯＭ）式光盘或一次写入（ＷＯＲＭ）式光盘,由于不能写入或多次写入,所以在应用上存在着不可克服的局限性。而近几年开发出来的可擦重写（ＥＤＡＷ）式光盘就从根本上克服了这种缺陷,理论上可以无数次改写,给信息激光存储技术带来了很大的进步。在实现了实用化的可擦重写式光盘中,磁光型光盘是一个典型代表,它主导着目前可擦重写式盘片的领域,具有存储容量大、密度高、可靠性好、信息位价格低等优点,重要的是它应用的是一种独特的近乎全新的数据存取技术。     

高密度数字光存储技术

 随着信息科学的迅速发展,对存储介质的存储密度和存储容量的要求在不断提高,然而传统的信息存储方法已几乎接近物理极限,于是寻找新的存储介质和存储方法就成为近年来信息科学的研究热点。光存储技术是继磁存储技术之后的又一新兴技术,它利用光改变物质物理或者化学性质存储信息,近年来不仅取得了重大的技术突破,而且形成了一个庞大的产业。现在以光盘为代表的光学数字数据存储技术已成为信息存储中不可缺少的载体。与以往的磁存储相比,光盘存储的优点是存储容量大、密度高、寿命长、信息的信噪比高,可以非接触式读写和擦除等。     

光数据存储的新进展

文章从不同角度全面系统地论述了光数据存储的新进展,一是以存储功能为生长线,着重论述只读存储→可录存储→可直接重写存储等光存储的存储机理和应用现状;二是以存储密度为里程碑,着重阐明CD存储→DVD存储→纳米存储→三维存储等存储密度不断获得数量级提高的物理内含,文章最后指出21世纪光存储技术的发展趋势。     

CCD探测器在可擦除光存储实验中的应用

本文利用ＣＣＤ作为光探测器采集和测量可擦除光存储实验中连续变化的衍射信号,对用ＣＣＤ进行实时动态信号的测量原理和特点做了探讨,并设计了一套ＣＣＤ探测装置用于采集、显示和分析甲基红偶氮染料掺杂的聚乙烯醇（ＭＲ／ＰＶＡ）和酸化甲基红偶氮染料掺杂的聚乙烯醇（ＡＭＲ／ＰＶＡ）薄膜材料的光存储数据该装置操作简单,结果直观,具有较高的测量速度和测量精度,适于动态光信号测量。     

高密度光存储

近年来，随着高分辨激光光谱学的进展，以光谱烧孔为基础的频域光存储和以受激光子回波为基础的时域光存储的研究引起了重视．用这两种方法有可能在一个存储单元上存储多个信息，从而使存储密度大大提高．本文介绍这些方法的原理及其前景．     

超高密度磁光存储及其介质研究进展

短波长（蓝光）磁光存储，磁光超分辨近场结构光存储（Super-RENS)、混合记录技术是近年来发展起来的超大容量磁光存储技术，文章介绍了这些技术用于超高密度磁光存储的原理，并对其研究现状及发展前景作了全面综述。     

高密度光数据存储技术的发展

讨论了信息技术发展中信息数据存储的重要性,比较了磁存储和光存储的各自特点,介绍了光盘存储技术的发展趋势和高度光盘存储技术的关键问题,进一步讨论了超高密度光存储的发展可能。     

一种菁染料—聚合物薄膜的光存存储性能

用旋涂法制备了一种菁染料－聚合物薄膜，并研究了该染料－聚合物薄膜的光谱性质和光存储性能，该染料薄膜在６６０～８３０ｎｍ波段有较强的吸收和２０％以上的反射率，在最佳实验条件下，获得了５８ｄＢ的信噪比，信噪比（ＣＮＲ）载波信号强度（Ｃ）和薄膜反射率变化（△Ｒ）的对数（ｌｇ△Ｒ）在正比。     

一种菁染料－聚合物薄膜的光存存储性能

用旋涂法制备了一种菁染料－聚合物薄膜，并研究了该染料－聚合物薄膜的光谱性质和光存储性能。该染料薄膜在６６０～８３０ｎｍ波段有较强的吸收和２０％以上的反射率。在最佳实验条件下，获得了５８ｄＢ的信噪比。信噪比（ＣＮＲ）、载波信号强度（Ｃ）和薄膜反射率变化（ΔＲ）的对数（ｌｇΔＲ）成正比     

近场光学在高密度存储中的应用

近场光学在高密度存储方面有着很大的潜力 ,使得近场光学存储近年来得到了广泛的关注。近场光学存储具有高密度大容量及可以利用许多已有相关技术等优点 ,预计近场光学存储密度能达到 7Gbit/ cm2 ;它还可以采用硬盘驱动器中的空气悬浮磁头技术和磁光存储中的技术等 ,使近场存储的研究和开发更加迅速。目前 ,近场光学存储主要有三种方案 :探针型方案、超分辨率近场结构、固体浸没透镜方案 ,这三种方案都是通过不同的方法缩小记录光斑来实现高密度的存储。介绍了近场光学存储的原理、研究现状及材料 ,并对三种近场存储方案的实现方法和发展概况作了详细的阐述 ,分析了这三种方案的优缺点     

溶剂浸渍滤纸的制备及其在XRFA中的应用研究（二）XRFA中溶剂…

本文报道了Ｐ５０７溶剂浸渍滤纸（ＳＩＦＰ）的制备方法及应用溶剂浸渍滤纸富集金属离子制备适合Ｘ射线荧光光谱分析样片的方法。在ＰＨ３介质中制备了Ｌａ（Ⅲ），Ｃｅ（Ⅲ）、Ｙｂ（Ⅲ）；在ＰＨ２．５的介质中制备了Ｔｈ（Ⅳ）；在２ｍｏｌ／ＬＨＣｌ介质中制备了Ｚｒ（Ⅳ）；与Ｈｆ（Ⅳ）等元素标准系列样片。本文报道了经ＸＲＦ测定的数据。各元素的检出限ＣＤＬ分别为Ｌａ：０．０１５μｇ（Ｌａ２Ｏ３）；Ｃｅ：０．３５９μ     

H2O＋Cl→HCl＋OH反应中D同位素的动力学效应的理论研究

根据传统过渡态，变分过渡理论计算了Ｈ２Ｏ＋Ｃｌ→ＨＣｌ＋ＯＨ（Ｒ１）反应中Ｄ代替的同位素动力学效应（ＫＩＥ）得到了ＨＯＤ＋Ｃｌ→ＤＣｌ＋ＯＨ（Ｒ２），ＤＯＨ＋Ｃｌ→ＨＣｌ＋ＯＤ（Ｒ３）反应不同的ＫＩＥ值，对ＫＩＥ进行了分解，讨论了平动（ｔｒａｒｓ）转动（ｒｏｔ）振动（ｖｉｂ）等各种因素的作用，在反应Ｒ２中，由于ＨＯＤ中ＯＤ键直接参与反应，Ｄ同位素的ＫＥ很大，对Ｒ２的ＫＩＥ分解表明，振动对ＫＩＥ贡献     

固体浸没透镜用于飞秒三维光存储研究

为进一步提高光存储密度，利用固体侵没透镜（SIL）与数值孔径为0.55的长工作距离物镜对飞秒激光脉冲进行聚焦，完成了PMMA及石英介质上的存储实验,并对聚焦物镜焦点与SIL底面离焦时的介质内焦点位置和系统的数值孔径进行了模拟。实验结果表明：当聚焦物镜焦点与SIL底面适当离焦时，实际聚焦在介质内的焦点深度不断加深，且系统的有效数值孔径不断增大。利用这一结果，在距PMMA表面20μm的地方得到了点间距1μm，层间距2.5μm的6层空间点阵；在距石英介质表面15μm的地方获得了点间距为0.6μm，层间距为2.5μm的5层空间点阵，其存储密度可达1.1×1012bits/cm3。     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

用“分子眼睛”看计算机的机器语言二进制

以磁光存储介质为例,从分子环流入手,介绍磁畴形成的微观机制,并结合热磁光存储介质薄膜的制备技术与薄膜的微结构阐述计算机的机器语言二进制的微观本质;即从热磁光存储材料的角度,二进制机器语言中的基本素数"1"和"0"对应于磁光存储薄膜材料中磁畴磁矩的空间取向:向上和向下,或磁畴中总的分子环流的绕行方向:顺时针和逆时针.文章涉及物理学、材料学和计算机科学等3门学科的知识,体现了不同学科的交叉发展,以及物理学是其他现代科学与技术发展的基础性地位.     

CuCl2·2N（C5D5）中的孤子激发

采用双子格模型和相干态表示，考虑磁－声子耦合作用和磁子间的相互作用，研究了具有最近邻和次近邻相互作用的一维反铁磁分子晶体ＣｕＣｌ２·２Ｎ（Ｃ５Ｄ５）的非线性集体激发特性，分析了孤子的峰值、宽度、能量和有效质量的特点，结果表明ＣｕＣｌ２·２Ｎ（Ｃ５Ｄ５）中出现孤子激发是可能的。     

RBa2Cu3O7—x（R=Y,Yb）形成过程的差异及单相YbBa2Cu3O7—x超导体的…

本文通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热分析（ＤＴＡ）和超导电性测量等手段对ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙ－１２３）和ＹｂＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ（Ｙｂ－１２３）相的形成，单相Ｙｂ－１２３超导体的制备，单相Ｙ－１２３超导体的最低形成温度及Ｒ－１２３相的熔点与Ｒ离子半径的关系进行了研究。结果表明Ｙ－１２３和Ｙｂ－１２３相形成过程显著不同，Ｙ－１２３主要通过下一化学反应生成：Ｙ２Ｏ３＋４ＢａＣＯ３＋６ＣｕＯ＋１－２