排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
铁电SBN薄膜电光系数的测量及其在波导中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
利用溶胶-凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1:3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量,实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6pm/V,掺K的r51值为58.5pm/V。并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫一曾德尔型SBN60薄膜波导调制器,计算出在633nm时,掺K比例为1:3的此种波导调制器半波调制电压值为10V,不掺K的半波电压值为16V,结果说明掺入K离子能增加薄膜的横向电光系数并有效的减少波导的半波调制电压。 相似文献
4.
以MgO为缓冲层的硅基铌酸锶钡薄膜取向特性与其波导结构的设计研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶法在Si(100)基片上制备出择优取向的MgO薄膜,随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.实验发现,MgO缓冲层的应用可以大大提高SBN薄膜的择优取向性能.同时,用五层对称理想波导耦合模理论,以SBN为波导层,分析了波导损耗与厚度的关系. 通过对计算出的理想结果与实际相结合,以及对SBN在生长过程工艺与损耗关系的研究,制备出高质量、低损耗的SBN薄膜,为其在电光波导调制器等微系统中的应用打下良好的基础. 相似文献
5.
6.
7.
利用相对论小芯赝势及新近优化得到的镧系元素的(14s13p10d8f6g)/ [6s6p5d4f3g] 价电子基组, 对双原子镧系化合物(LaH, LaO, LaF, EuH, EuO, EuF, EuS, GdO, GdF, GdH, YbH, YbO, YbF, YbS, LuH, LuO, LuF)的分子结构进行了计算. 除YbO, LuF分子外,其他分子的计算结果与现有实验值符合得很好. 对YbO分子, 在基态存在复杂的组态混合情况, 由于计算方法(CI(SD))的局限性, 导致理论值与实验值有较大差别. 对LuF分子, 则很可能从实验得到的分子结合能估计值太低了. 相似文献
8.
微波消解样品-电感耦合等离子体原子发射光谱法测定锌精矿中镉、砷和汞 总被引:2,自引:0,他引:2
锌精矿是近年来我国进口的大宗资源性商品之一,其中含有镉、砷和汞等多种微量有害金属元素,在加工冶炼过程中,这些微量有害金属元素不但影响产品的质量,降低冶炼价值,而且会从相对封闭的环境进入开放的环境,对人类环境产生污染,严重危害人们的身体健康,因此,测定并严格控制进口锌精矿中有害金属元素含量非常重要。国家标准GB20424—2006《重金属精矿产品中有害元素的限量规范》已限制锌精矿中镉、砷、汞有害金属元素含量,后 相似文献
9.
The HeI photoelectron (PE) spectra of both 2(5H) furanone and its trans-chair-dimenc-compound (t-c-DFN) are reported.The assignment of the PES bands is made on the basis of band shapes,the PES results of the molecules which have the similar atomic groups,and the restricted Hartree-Fock (RHF) calculations for the molecules studied.From the results of both PES experimental and theoretical calculations,it is proved that the ionization potential (IPs) of the HOMO for the dimenc-compound is lower than that of the HOMO for the monomer.And the total energy computed for the t-c-DFN is the lowest in the four possible configurations of dimeric-compounds of 2(5H) furanone Therefore the synthesis of t-c-DFN is also the easiest. 相似文献
10.
Co对Ni(OH)2电极中质子扩散行为的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文采用恒电位阶跃,循环伏安及恒电流放电池,考察含Co量0%-53%的Ni(OH)2电极充电过程中质子的扩散系数:充电过程该值为10^-9-10^-10cm^2/s,放电过程则为10^-11cm^2/s.数据处理时对文献中有关公式进行了修正。 相似文献