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金属有机化合物相外延生长GaN薄膜的电子微结构研究 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了金属有机化合物气相外延(MOVPE)方法在(0001)氧化铝基底上生长的GaN薄膜的微结构,目的在于解释GaN缓冲层在二步法生和过程中的作用及其对外延层晶体质量的影响。在缓冲层中观察到了高密度的结构缺陷,并发现了两种晶体结构(立方和六角)的GaN。进而对两种结构GaN的成因进行讨论,并对缓冲层和外延层中结构缺陷的关系进行了研究。 相似文献
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