K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C₆₀单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K₃C₆₀单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K₃C₆₀导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5eV,并且色散曲线与K₃C₆₀的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大.     

铑{001}表面的表面态及其磁性 *

自旋极化光电子谱的实验表明位于铑{001}表面Brillouin区中K₁₁=0.65ΓX处的表面态(其束缚能为-0.30 eV)和位于M点的表面共振态(其束缚能为-0.6eV)在室温下具有铁磁性.上述表面态的铁磁性随着温度的下降而增加.当表面被暴露了0.5Langmur(L)氧后,铁磁性消失.自旋分辨的光电子谱表明,上述峰的自旋交换分裂很小.由上述峰的极化率估得表面层中的原子磁矩在0.1～0.3个μ_B间.     

p-HgCdTe反型层中的子能带色散关系和Landau能级

本文从Kane模型出发并考虑表面自旋轨道相互作用,推出了窄禁带半导体子能带色散关系和Landau能级的表达式,并在4.2K下对p-HgCdTe MIS结构样品测定了电容电压谱、磁导振荡谱和迴旋共振谱,从实验上确定了子能带色散关系和Landau能级表达式中所包括的子能带参数和自旋轨道祸合强度,从而定量地给出HgCdTe反型层电子子能带色散关系和Landau能级扇形图;定量描述了零场分裂效应和Landau能级的移动和交叉效应。     

2×2上三角算子矩阵的Drazin谱

设MC=[A C 0 B]是从Hilbert空间H⊕K到H⊕K中的2×2上三角算子矩阵.该文主要研究MC的Drazin可逆性和MC的Drazin谱.此外,对给定算子A∈B(H)和B∈B(K),将给出在一定条件下所有上三角算子矩阵Mc的Drazin谱的交∩C∈B(K,K)σD(MC)的具体表达式.     

Ge/ZnS(111)异质结能带偏移的同步辐射光电子能谱研究 *

利用同步辐射光电子能谱研究了Ge/ZnS(111)异质结界面的能带连接问题.芯能级谱显示出Ge原子与S原子在界面处存在反应.利用芯能级谱及价带谱技术,测量了该异质结的价带偏移.对于衬底温度为200℃条件下生长的异质结,其价带偏移为l.94士0.leV;而室温条件下生长的异质结,则为2.23土0.leV该实验结果与一些理论计算值进行比较,符合得较好.     

TI基高温超导单晶的生长与研究 *

在计算机控制的封闭式单晶生长炉内,采用自助熔剂法生长出最大尺寸2.0mm×2.0mm×O.3mm,典型尺寸1.0mm×1.0mm×O.1mm的TI-2223,TI-2212单晶,T_c分别达到119 K和110 K.TI的含量对晶体生长的大小、相的形成及T_c均有重要影响.TI-2212单晶的交流磁化率的虚部峰值温度 T_p和外场 H_D 的关系为(1-T_p/T_c)∝H_D^0.71(H_D//C轴)TI-2223单晶可见光区的光反射谱存在强烈的各向异性.     

C60单晶在274K附近的取向相变

测量了C₆₀单晶在274K附近的电导率和在150—340K范围内的差分比热,有关在251K附近与sc-fcc一级相交联系的比热曲线中的δ峰已有报道,在274K附近激活能的变化及比热曲线中270—310K的似λ峰表明在251K以上的fcc结构有C₆₀分子的取向相变,考虑到对称性,结合比热峰的似λ性及激活能的进一步分析,我们得出这一新的相变是从存在有C₆₀分子取向有序畴的fcc到C₆₀分子取向无序的fcc的结构转变,C₆₀分子的自由转变温度约为281K。     

低维C_(60)系统电子结构的研究

本文利用X射线和紫外光电子能谱研究了金属锡衬底上沉积的C_(60)薄膜的电子结构,对于亚单层的C_(60)薄膜,来自C_(60)价带顶部占有的分子轨道(π_(5u和π_(4g))的两个价带峰的宽度与固体C_(60)的谱相比增加了0.3eV,实验结果的分析表明:电子在上述两个π带中的公有化运动是很弱的,固体C_(60)应该被看作是强相关的电子体系,对于厚度接近一个单层的C_(60)薄膜,C 1s芯能级谱的结果表明在低于C 1s主峰22eV处出现了一个很宽的能量损失峰,实验表明该峰可能是来自二维C_(60)薄膜的等离子体损失峰,固体C_(60)中位于C 1s主峰以下28eV处的等离子体损失峰只是在C_(60)薄膜的覆盖度大于两个单层之后才被观察到,这表明上述损失峰并非来自单个C_(60)分子而是来自固体C_(60)。     

2×2-上三角算子矩阵谱的Fredholm扰动

设H和K是复无穷维可分Hilbert空间,A∈B(H),B∈B(K),C∈B(K,H)且M_C=(ACOB).本文给出了上三角算子矩阵M_C的Weyl谱、本性谱、谱、左谱、右谱、下半本性谱、下半Weyl谱和上半Weyl谱的Fredholm扰动的完全刻画.     

五点八边图的完美T(G)-三元系

设G是Kn的子图.在G的每边外添加一点,将该边扩展为一个3长圈,且所添加的点两两不同,均异于G的诸顶点,这样得到的图形被记为T(G).如果3Kn的边恰好能够分拆成与T(G)同构的一些子图,则称这些子图构成一个n阶的T(G)-三元系.进而,若此分拆的全体内部边又恰构成Kn中全部边的一个分拆,则称这个T(G)-三元系是完美的.对于所有使得完美T(G)-三元系存在的正整数n的集合称为完美T(G)-三元系的存在谱.对于K4的所有子图及K5的7边以下子图G,其完美T(G)-三元系的存在性问题已经在一系列文章中被完全解决.本文将对不含孤立点的全部五点八边图G,确定完美T(G)-三元系的存在谱.     

导电聚合物P3MT的综合光谱研究

本文通过电调制反射谱(ER)、光调制反射谱(PR)、荧光光谱(PL)以及吸收光谱首次对导电聚合物聚三甲基噻吩(P3MT)进行综合光谱测量,并根据准一维导电体系的元激发态理论模型对实验结果作了分析,研究结果表明,导电聚合物P3MT的禁带宽度约为2eV,在70—300K的温度范围内对温度不敏感;掺杂和光照皆可诱导产生本征元激发态双极化子;离化杂质对双极化子有“钉扎效应”;光照可产生显著的激子态,本文还就P3MT中光电子交换微观过程的物理图象作了讨论。     

一类4维3元线性码的重量谱

GF(q)上[n,k;q]线性码C的重量谱为序列(d1,d2,…dk),其中dr是C的r维子码的最小支持重量.文章利用有限射影几何方法确定了一类4维3元线性码的重量谱,并对其进行了验证.     

Toda-Smith谱同伦群的具有第六滤子的新非平凡元素族

当p≥7,n ≥ 3时,本文找到一个永久循环(φhn)″=φ"*(hn)′∈Ext2,pnq+2q-1A(H*L∧K,H*K),它在Adams谱序列中收敛到[∑pnq+2q-3K,L∧K]的一个非零元素,由Adams分解得到η"n,2∈[∑pnq+2q-1K,E2∧L∧K],使得(b2∧1L∧K)η"n,2=(φhn)″,进而得到f∈[∑pnq+(3p2+3p+4)q-5S,K]并且它具有第六滤子.     

4维3元断链码的重量谱

GF(q)上[n,k;q]线性码C的重量谱为序列(d1,d2,…,dk),这里dr是C的r维子码的最小支持重量(1≤r≤k).用有限射影几何方法确定了满足含有2个邻接断点的断链条件的4维3元线性码的重量谱.     

二面体群上Hopf路余代数的结构分类

从Hopf quiver出发,借助于右kZu(C)-模的直积范畴ПC∈K(G) MkZu(C)与kG-Hopf双模范畴kG kG M kG kG之间的同构,当G是二面体群D3时,给出了Hopf路余代数kQc的同构分类及其子Hopf代数kG[kQ1]结构.     

Cahn-Hilliard方程的动态分歧

利用线性全连续场的谱理论,中心流形约化方法与非线性耗散系统吸引子分歧理论,研究了Cahn-Hilliard方程的动态分歧,给出了发生分歧的条件及临界点,并给出了在Neumann边界条件下,方程分歧出的稳定奇点吸引子和鞍点的表达式.     

用对向靶溅射法外延生长La-Ca-Mn-O巨磁阻单晶薄膜 *

用对向靶溅射法(FTS)在(110)NdGaO₃基板上外延生长出La-Ca-Mn-O(LCMO)单晶薄膜,其三维晶体结构用高分辨率双晶X射线衍射技术(DCD)和掠面衍射技术(GID)分析,薄膜表面形貌用原子力显微镜(AFM)测量.结果表明,薄膜有c轴位于薄膜平面的类钙钛矿结构,所有已测量X射线衍射峰的摇摆曲线的半高宽度均约为0.01°,这是迄今报道过的陶瓷薄膜的最小结构参数.AFM图象清楚表明薄膜为单原子层状生长,表面原子层台阶高度为0.195nm.台阶宽度为360～400nm.台阶边缘沿(001)方向.原位生长的薄膜已具有较大的巨磁阻效应.     

有时空聚焦效应情形下非线性色散介质中的时空不稳定性

基于非线性包络方程研究了非线性色散介质中的时空不稳定性,得到了有时空聚焦效应、任意高阶色散效应和自陡峭效应情形下不稳定性调制的增益谱的表达式.结果表明：在正常和反常两种群速度色散情形下,时空聚焦效应都会导致出现新的不稳定性区域且对原来的增益谱的最大增益没有影响,但使谱的范围收缩,其中在正常群速度色散情形收缩较大,它完全抑制了高频成分的增长,而在反常群速度色散情形收缩则很小.所有的奇数阶色散效应都不对时空不稳定性产生影响,而所有的偶数阶色散效应都影响时空不稳定性增益谱的范围而不影响它的最大增益,其中四阶色散效应与时空聚焦效应对不稳定性的作用相似.自陡峭效应的主要影响是使调制增益下降,其中它对时空聚焦效应所导致的新区域的影响更大.     

利用奇异辛空间中部分(2,0,1)型子空间构作的结合方案

设F_q~(2v+1)是有限域F_q上(2v+l)维的奇异辛空间.设K是F_q~(2v+l)上的一个固定的极大全迷向子空间,且Ω是不包含在K中的所有(1,0,0)型子空间构成的集合.本文利用所有包含Ω中的一个子空间的(2,0,1)型子空间构作了一类结合方案,并计算出这类结合方案的所有交叉数.     

固态van der Waals C60膜晶格的Coulomb膨胀

利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(001)2×4表面上的固态van der Waals C60膜在室温下较之C60晶体具有13%的晶格膨胀.这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C60分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的.理论计算表明,平均约有1.76个电子转移到每个C60分子上.有趣的是,该固态C60膜为(110)取向,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有(111)取向的六角密排C60膜.这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的.通过选择不同的衬底,可以控制C60薄膜的晶体生长.