卤化银微晶中光电子衰减谱的特性

光电子在卤化银材料潜影形成过程中发挥着重要的作用 ,光电子衰减行为在很大程度上决定于卤化银的晶体结构。采用光学与微波双共振技术 ,测量了自由光电子和浅俘获光电子的衰减谱 ,得到了卤化银中电子陷阱的密度和深度分布。以自由光电子寿命为纽带 ,通过分析掺杂卤化银晶体中电子陷阱的分布情况 ,可以确定浅电子陷阱掺杂剂的最佳掺杂浓度。     

纳米硫化镍增感的溴化银微晶中光电子衰减特性研究

利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术, 获得了纳米硫化镍增感的立方体溴化银乳剂中, 在增感时间增加的条件下, 自由光电子和浅束缚光电子的时间衰减曲线.分析了采用纳米硫化镍进行增感的溴化银乳剂中光生电子随增感时间衰减的过程, 讨论了卤化银晶体中电子陷阱对光电子运动行为的影响, 分析了电子陷阱效应及陷阱深度同增感时间之间的关系. 通过未增感样品与增感样品的衰减曲线对比, 得到了在此实验条件下的最佳增感时间为80min. 关键词： 纳米硫化镍 衰减时间 电子陷阱 寿命     

微波吸收法研究ZnO光电子衰减过程

微波吸收无接触测量技术可以用于半导体粉体材料、微晶材料等研究光生载流子衰减过程。本文采用微波吸收法在室温下分别测量了ZnO纳米材料和微晶材料的光电子衰减过程。发现在紫外激光短脉冲激发下,两种材料的导带光电子寿命有很大的差异,ZnO微晶粉体材料的光电子寿命为50ns,而ZnO纳米材料的光电子寿命仅为10ns。分析认为纳米ZnO的光电子寿命缩短是由于纳米ZnO晶体的表面积远远大于体材料的表面积,纳米材料的表面形成了大量的缺陷能级,加速了光电子的表面复合,缩短了光电子的寿命。纳米材料内部缺陷增多和量子限域效应同样会缩短光电子的寿命。     

S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响

利用微波吸收相敏检测技术，对AgBrI-T颗粒乳剂中自由光电子与浅束缚光电子时间行为进行了检测，结果表明在一级衰减曲线的不同区域中增感中心对光电子衰减的作用表现不同；S+Au增感中心的电子陷阱效应随浓度的增加发生了由浅电子陷阱到深电子陷阱的转变.根据增感浓度与光电子衰减时间的对应关系，获得了S+Au最佳增感浓度. 关键词： 微波相敏检测 光电子 增感 电子陷阱     

化学增感对光电子时间分辨谱的影响

利用微波吸收相敏检测技术,对AgBrI-T颗粒乳剂中光电子时间行为进行了检测,并获得了自由光电子与浅束缚光电子的时间分辨谱。实验结果表明,在加入Na₂S₂O₃相同的条件下S与S+Au增感中心所起的电子陷阱作用不同,S增感中心所起的作用为深电子陷阱,增感中心由于增加了对光电子的深束缚,从而造成自由光电子与浅束缚光电子的衰减加剧;S+Au增感中心所起的作用为浅电子陷阱,增感中心通过暂时束缚光电子有效降低了光电子与光空穴的复合,减缓了自由光电子与浅束缚光电子的衰减,可见加入KAuCl₄后形成的S+Au增感中心陷阱深度要比S增感中心的陷阱深度浅。从光电子时间分辨谱的变化可以看出S与S+Au增感中心在衰减曲线的不同时域中对光电子衰减的作用表现不同。     

感绿光谱增感染料在氯化银微晶表面的电子陷阱效应

光谱增感技术可使卤化银感光材料实现对全波段感光，同时光谱增感技术在现代光信息记录与存储、光电器件、太阳能转换与存储等领域具有重要的应用.应用微波吸收介电谱技术研究了立方体氯化银吸附感绿菁染料后的光电子衰减特性，建立了氯化银光电子衰减动力学模型，根据此模型结合光电子衰减实验结果对光谱增感染料吸附在卤化银表面的电子陷阱效应进行了分析.研究结果表明：当染料以单分子态吸附在卤化银表面时，染料起浅电子陷阱效应；染料以J聚集体吸附在卤化银表面时，染料起到了深电子陷阱效应.浅电子陷阱与深电子陷阱效应的临界浓度为每40g 关键词： 感绿染料 氯化银 光电子衰减 电子陷阱效应     

微波吸收法研究Mn,Cu掺杂对ZnS:Mn,Cu光生载流子复合过程的影响

采用微波吸收法，测量了ZnS:Mn,Cu粉末材料受到超短脉冲激光激发后，其光生电子和浅束缚态电子的衰减过程.发现Mn,Cu的浓度对导带电子的寿命有明显的影响，提高掺杂浓度会使光生电子的寿命大大缩短，还研究了掺杂浓度对光致发光强度的影响. 关键词： 发光材料 硫化锌 光电子 微波吸收技术     

ZnO:Zn荧光材料的光电子时间分辨谱和荧光光谱

采用微波吸收法,测量了ZnO及ZnO：Zn荧光粉末材料受到超短激光脉冲激发后其导带电子的衰减过程,并测量了室温下荧光材料的吸收光谱和发射光谱。发现ZnO材料的光电子寿命为64ns,而ZnO：Zn荧光材料的的光电子寿命为401ns。分析认为ZnO：Zn寿命的延长是由于材料中缺陷结构的增加导致电子在导带上的弛豫时间变长。     

掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性

利用微波吸收介电谱技术研究了K₄Fe(CN)₆浅电子陷阱掺杂剂和S+Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂浓度为10-8～10-7 mol·mol-1Ag时,在增感之前,掺杂位置越接近表面时,光电子衰减过程会变慢,即衰减时间增加;S+Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快,说明了增感中心起深电子陷阱作用,当掺杂位置接近表面90%Ag时,光电子衰减时间突然减小,说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。     

AgX:I微晶的光电子衰减时间分辨谱测量

利用高时间分辨的微波吸收薄膜介电谱测量技术,采用自行设计的光电子时间分辨谱测量装置(时间分辨率达到1 ns),精确地测量了不同Agx:I材料在35 ps超短脉冲激光曝光后产生的自由光电子和浅俘获光电子随时间衰减的光电子衰减时间分辨谱,分析了不同的[I-]掺杂条件对材料光电子时间特性的影响关系,得到了影响Agx:I微晶光电子时间特性的最佳[I-]掺杂条件。对立方体AgCl乳剂来说,[I-]含量0.5％,掺杂位置80％Ag处时,乳剂的光电子寿命最长。而对T-颗粒AgBr乳剂而言,[I-]含量3％时,乳剂的光电子寿命最长。碘化物对光电子寿命增大的影响是由于碘化物离子可以作为缺陷电子陷阱,这就使得银簇上的反应减小,当碘化物大于3％时,这一效应由于碘化物团簇的形成而消失。     

Effect of temperature on the luminescence processes of SrAl2O4:Eu

The UV excited and persistent luminescence properties as well as thermoluminescence (TL) of Eu²⁺ doped strontium aluminates, SrAl₂O₄:Eu²⁺ were studied at different temperatures. Two luminescence bands peaking at 445 and 520 nm were observed at 20 K but only the latter at 295 K. Both Sr-sites in the lattice are thus occupied by Eu²⁺ but at room temperature efficient energy transfer occurs between the two sites. The UV excited and persistent luminescence spectra were similar at 295 K but the excitation spectra were different. Thus the luminescent centre is the same in both phenomena but excitation processes are different. Two TL peaks were observed between 50 and 250 °C in the glow curve. Multiple traps were, however, observed by preheating and initial rise methods. With longer delay times only the high temperature TL peak was observed. The persistent luminescence is mainly due to slow fading of the low temperature TL peak but the step-wise feeding process from high temperature traps is also probable.     

Monte Carlo simulations of TL and OSL in nanodosimetric materials and feldspars

The study of luminescent materials consisting of nanoclusters is an increasingly active research area. It has been shown that the physical properties of such nanodosimetric materials can be very different from those of similar conventional microcrystalline phosphors. In addition, it has been suggested that traditional energy band models may not be applicable for some of these nanodosimetric materials, because of the existence of strong spatial correlations between traps and recombination centers. The properties of such spatially correlated materials have been previously simulated by using Monte Carlo techniques and by considering the allowed transitions of charge carriers between the conduction band, electron traps and recombination centers. This previous research demonstrated successfully the effect of trap clustering on the kinetics of charge carriers in a solid, and showed that trap clustering can significantly change the observed luminescence properties. This paper presents a simplified method of carrying out Monte Carlo simulations for thermoluminescence (TL) and optically stimulated luminescence (OSL) phenomena, based on a recently published model for feldspar. This model is based on tunneling recombination processes involving localized near-neighbor transitions. The simulations show that the presence of small clusters consisting of a few traps can lead to multiple peaks in both the TL and linearly modulated OSL signals. The effects of donor charge density, initial trap filling and cluster size are simulated for such multi-peak luminescence signals, and insight is obtained into the mechanism producing these peaks.     

F,Y双掺钨酸铅晶体的发光性能和微观缺陷

通过透射光谱、光产额(LY)和光致发光等发光性能测试，研究了F,Y双掺钨酸铅(PbWO₄ ，简称PWO)晶体的发光性能，并利用热释光曲线和正电子湮没寿命谱对F,Y双掺PWO晶 体中的缺陷种类和变化进行了分析. 结果表明：与未掺杂晶体相比，双掺样品在350nm附近 的透过率大大提高，吸收边向短波方向移动约30nm，光致发光谱中出现位于350nm的发光峰 ，双掺样品的LY(100ns内)为未掺杂PWO的2.7倍左右.晶体中主要存在的缺陷为(WO_{3)^{-关键词： F Y双掺钨酸铅闪烁晶体 高光产额 热释光 正电子湮没寿命谱}}     

2019年2期 电子期刊

用化学共沉淀法一次煅烧工艺制备Ce,Pr:GAGG粉体,利用XRD、SEM、荧光光谱仪等对样品表面形貌及发光性能进行表征,研究煅烧温度、沉淀剂引入草酸根对粉体发光性能的影响。结果表明,前驱体经950℃煅烧3 h后全部转变为GAGG相,Pr³⁺、Ce³⁺共掺未改变基质的物相结构;沉淀剂引入草酸铵后,粉体发射光谱积分强度由333 573 a.u上升至420 894 a.u,沉淀剂引入草酸根能提高粉体的发光性能。荧光寿命测试表明,在Ce:GAGG中掺入Pr³⁺可使Ce³⁺的荧光寿命降低,衰减时间为35.43 ns。     

Cr-related centers in Gd3Ga5O12 polycrystals

The luminescence excitation spectra, emission spectra under photo- and X-ray excitation, luminescence decay kinetics and thermostimulated luminescence (TSL) of Gd₃Ga₅O₁₂ garnet (GGG) polycrystalline samples have been investigated. It was established that the spectrum of Cr³⁺ ion emission were present in all TSL peaks. The activation energies of traps that are responsible for appearance of TSL in the region 295-600 K were estimated. It is shown that delocalization of electrons from the Cr³⁺e traps leads to the appearance of thermoluminescence (TL) glow peak at 390 K. The nature of other TSL peaks is discussed. The influence of visible light on the TSL intensity of the preliminary X-ray-irradiated samples is shown.