酞菁锰-表面活性剂薄膜电极的电化学表征及其对三氯乙酸的电化学催化作用的研究

将酞菁锰（ＭｎＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氯仿溶液，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后即制得ＭｎＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极。循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中，该薄膜电极有两对还原氧化峰，第一对峰的Ｅｐｃ１＝－０．２７Ｖ，Ｅｐａ１＝０．０１Ｖ；第二对峰的Ｅｐｃ２＝－０．７６Ｖ，Ｅｐａ２＝－０．６２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。本文着重探讨了第二对峰的电化学行为，估计了该体系的电荷传递扩散系数Ｄｃｔ和表观非均相电极反应速率常数Ｋ０′等电化学参数，并可将该薄膜电极用于催化三氯乙酸的电化学还原。     

酞菁镍—表面活性剂薄膜修饰电极及其催化性能的研究

将酞菁镍（ＮｉＰｃ）掺入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）的氯仿溶液中，并涂布于热解石墨电极表面，待氯仿挥发后制得ＮｉＰｃ－ＤＤＡＢ薄膜电极。循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中，该薄膜电极有两对良好且稳定的还原氧化峰，第一对峰的Ｅｐｃ１＝－０．６４Ｖ，Ｅｐａｌ＝－０．６０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）；第二对峰的Ｅｐｃ２＝－０．８４Ｖ，Ｅｐａ２＝－０．８０Ｖ。本文着重探讨了第二对峰的电化学行为，     

硫堇衍生化自组装膜修饰金电极的电化学性质及其对抗坏血…

将硫堇共价键合到自组装在金电极表面的半胱胺单分子层上，制成了衍生化自组装单分子膜修饰电极，并用电化学方法研究了它的电化学性质，循环伏安图显示其在ｐＨ＝７．７的磷酸盐缓冲液中，于－０．４５～＋０．５０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）范围内有２对氧化还原峰，峰电位分别为Ｅｐａ＝２１４ｍＶ，Ｅｐｃ＝８２ｍＶ，Ｅ＾２ｐａ＝－７５ｍＶ，Ｅ＾２ｐｃ－－１６０ｍＶ（ｖｓ．ＳＣＥ），ｐＨ在５．０～９．０范围内，峰１有２个质子参     

四磺酸酞菁铜—DDAB表面活性剂薄膜电极对卤代乙酸的电化学催化

四磺酸酞菁铜阴离子（ＣｕＰｃＴｓ＾４－）在水溶液中可借助离子交换进入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵（ＤＤＡＢ）薄膜电极，从而形成ＣｕＰｃＴＳ＾４－－ＤＤＡＢ薄膜电极，循环伏安实验表明，在ＫＢｒ溶液中，该薄膜电极有一对良好的还原氧化峰，阴阳极峤电位分别为－０．７８Ｖ和－０．６５Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）．探讨了该薄膜电极的电化学行为，特别是对其各种卤代乙酸的电化学催化，对其机理进行了推测。     

卡可西灵在汞电极上的电化学行为和吸附特性

在ＨＡｃ－ＮａＡｃ底液中，卡可西灵在汞电极上有两个还原峰，第一峰峰电位Ｅｐｃ１＝０．０４Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ），为２电子转移的可逆过程；第二峰峰电位Ｅｐｃ２＝－０．３９Ｖ，为４电子转移的不可逆过程，第二峰具有明显的吸附性。本文探讨了该吸附特性，认为吸附型体为中性分子，属于不可逆吸附体系。测得其电极反应动力学参数αｎα和卡可西灵在汞电极上的饱和吸附量，估计了每个卡可西灵分子所占的面积，建立了测定     

铅(镉)-二-(邻-甲苯基)硫卡巴腙配合物吸附极谱波法连续测定铅和镉的研究

研究了二－（邻－甲苯基）硫卡巴腙（简写为Ｈ２ＤＭＢＤｚ）与Ｐｂ（Ⅱ）和Ｃｄ（Ⅱ）配合物体系的二阶导数吸附极谱波。在ｐＨ６．０的ＨＡｃ－ＮａＡｃ介质中,Ｐｂ（Ⅱ）－（Ｈ２ＤＭＢＤｚ）和Ｃｄ（Ⅱ）－（Ｈ２ＤＭＢＤｚ）２配合物分别于－０．５２Ｖ（υｓ．ＳＣＥ）和－０．６５Ｖ（υｓ．ＳＣＥ）电位处产生一良好的可逆吸附极谱波。峰电流Ｉ″ｐ１和Ｉ″ｐ２分别与Ｐｂ（Ⅱ）的浓度ｃ１和Ｃｄ（Ⅱ）的浓度ｃ２在０．０１     

芬太尼衍生物DMPPE的电化学行为和吸附伏安性质

本文探讨了麻醉镇痛药物芬在尼的衍生物双－Ｎ－（１－苯甲基－４－哌啶基）－草酰对甲氧基苯基胺（ＤＭＰＰＥ）在汞电极上的电化学行为。循环伏安法表明，在ＮａＯＨ底液中，ＤＭＰＰＥ可在汞电极上还原，Ｅｐｃ＝－１．５３Ｖ（ｖｓ．饱和Ａｇ／ＡｇＣｌ），并可吸附于电极表面。着重考察了ＤＭＰＰＥ的吸附特性，认为吸附型体是ＤＭＰＰＥ中性分子。利用吸附伏安法进行微量ＤＭＰＰＥ的测定，在最佳条件下，最低检测限可在４．０     

头孢唑啉降解产物在银亚微盘电极上的电化学行为及其测定

基于头孢唑啉在 ０．１０ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ溶液中水浴降解产物中含有巯基（－ＳＨ），在 ｐＨ ５．０ＮａＡｃ－ＨＡｃ介质中，于银亚微盘电极上产生一灵敏的吸附伏安氧化还原峰，其峰电位分别为 Ｅｐａ＝－０．５３０Ｖ和 ＥＰｃ＝－０．４００Ｖ。动力学研究表明：电极反应的电子转移数为０．９１，表观电子传递速率为ｋｓ＝０．１０ｓ－１，峰电流与头孢唑啉浓度在１．０×１０－６～５０×１０－１ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系。方法可应用于人工合成样品头孢啉的检测。     

磷钼杂多酸-L-半胱氨酸自组装超分子膜电极对亚硝酸根电催化还原的研究

制备了磷钼杂多酸－Ｌ－半胱氨酸自组装超分子膜电极（Ｐ２Ｍｏ１８－Ｌ－Ｃｙｓ／Ａｕ）。采用水平衰减全反射（ＡＴＲ－ＦＴＩＲ）光谱表征了膜的组成。研究了该膜电极的电化学性质，发现它在１．０ ｍｏｌ／Ｌ　Ｈ２ＳＯ４溶液中，于０．０～０．７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）间ＣＶ扫描出现两对稳定、可逆的氧化还原峰，其中峰电位分别为Ｅｍ１＝０．３３４ Ｖ，Ｅｍ２＝０．１８８Ｖ，对应着Ｐ２Ｍｏ１８Ｏ_(６２)~(６－)的两步２电子－２质子反应；计时库仑法计算了薄膜内的电子传递系数Ｄ为５．０１ × １０~（－８）ｃｍ２·ｓ～（－１）。该膜电极对酸性溶液中的ＮＯ_２~－有明显的电催化还原作用，初步探讨了电催化机理。用差分脉冲伏安法（ＤＰＶ）测定其还原峰电流与ＮＯ_２~－的浓度在２．０ ×１０~（－６）～２．０ × １０~（－４）ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，相关系数为０．９９５３，检测限５．０×１０~（－７）ｍｏｌ／Ｌ。该电极用于模拟水样中ＮＯ_２~－的测定，结果满意。     

脱氧核糖核酸变性和损伤的吸附伏安法研究

本文用汞电极（ＨＭＤＥ）二次导数阴极吸附伏安（ＳＤ－ＡｄＣＳＶ）和碳电极（ＧＣＥ、ＣＰＥ）导数循环伏安（ＦＤ－ＣＶ）法研究了核酸受热、紫外线、超声波和丝裂霉素Ｃ（ＭＭＣ）作用下的变性作用。在０．１ｍｏｌ／Ｌ（Ｋ２ＨＰＯ４＋ＫＨ２ＰＯ４）－０．１ｍｏｌ．Ｌ ＮａＣｌ（ｐＨ７．０）底液中，吸附的单股（ｓｓ－）和双螺旋（ｄｓ－）ＤＮＡ分别在ＨＭＤＥ上得到特征还原峰Ｐ３和Ｐ２，和在碳电极上得到氧化峰Ａ。物     

硼掺杂多晶金刚石薄膜电极的电化学特性

用循环伏安法和恒电位法研究了硼掺杂多晶金刚石薄膜电极（ＤＦＥ）的若干电化学特性。电极面积４×４ｍｍ＾２。在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＫＣｌ，ＮａＮＯ３，ＮａＯＨ和ＫＨ２ＰＯ４＋Ｎａ２ＨＰＯ４（ｐＨ＝６．８６）电解质溶液中电势窗口均为－５００￣＋８００ｍＶ；而在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ和Ｈ２ＳＯ４溶液中电势窗口为－２００￣＋１１００ｍＶ．Ｋ３Ｆｅ（ＣＮ）６的氧化峰电位为＋５００ｍＶ，与Ｐｔ电极测量相同；校正     

阿霉素在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

阿霉素在０．１ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ４．６２）缓冲溶液中用注入钴的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定,得到一良好的还原峰;Ｅｐ＝－０．５２２Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。峰电流与阿霉素浓度在１．４×１０＾－６－１．４×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ和１．４×１０＾－６－５．６×１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系,。     

聚硫堇修饰微带金电极的性质及对NADH的催化氧化

报道了硫堇在微带金电极上的电化学聚合过程，用红外光谱对聚硫堇进行了表征；研究了聚硫堇的电化学性质，发现聚硫堇在＋０．５～－０．７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）电位范围内有两对氧化还原峰，峰电位分别为：Ｅ＝－０．０３Ｖ、Ｅ＝０．０５Ｖ，Ｅ＝－０．２４Ｖ、Ｅ＝－０．１７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。它们的式量电位Ｅ~（ｏ＇）随ｐＨ而变化，在弱酸性溶液中，Ｅ~（ｏ＇）／ｐＨ为－２９ｍＶ／ｐＨ（２５℃）；而在弱碱性溶液中则为－５６ｍＶ／ｐＨ。聚硫堇修饰微带金电极对ＮＡＤＨ的氧化具有催化作用，文中对电催化过程进行了探讨。     

博莱霉素A5的示波极谱行为及测定

在０．０５ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４支持电解质中，博莱霉素Ａ５出现二个示波极谱导数还原峰，峰电位Ｅｐ１＝－０．８２Ｖ和Ｅｐ２＝－１．０８Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。峰电流ｉｐ１比峰电流ｉｐ２小得多。ｉｐ２与博莱霉素Ａ５的浓度在５．０＊１０＾－８－４．０＊１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系；检出限为１．０＊１０＾－８用于老鼠血样中博莱霉素Ａ５含量的测定，得到满意的结果，对第二个峰的电化学行为作了初步探讨。     

氯氮平的吸附伏安行为

在０．１ｍｏｌ／ＬＮＨ４Ａｃ（ｐＨ７．８）底液中，氯氮平（ＣＬＰ）在汞电极上有一线性扫描还原峰，Ｅｐｃ＝－１．３４Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ）．该峰具有明显的吸附性，吸附粒子为ＣＬＰ中性分子．测得ＣＬＰ在汞电极上的饱和吸附量为２．７×１０－１０ｍｏｌ／ｃｍ２，每个ＣＬＰ分子所占电极面积为０．６２ｎｍ２，ＣＬＰ在悬汞电极上的吸附符合Ｆｒｕｍｋｉｎ等温式．测得吸附系数β＝６．２８×１０５，吸引因素γ＝０．７５，电子转移数ｎ为２，不可逆吸附的转移系数α为０．５３．探讨了ＣＬＰ在汞电极上的还原机理，并建立了吸附溶出伏安法测定ＣＬＰ的最佳条件，检测限为８．０×１０－９ｍｏｌ／Ｌ．     

大黄酚的电化学行为及其应用研究

大黄酚在０．１５ｍｏｌ／Ｌ ＨＡｃ－ＮａＡｃ（ｐＨ４．９）底液中，出现一灵敏的示波极谱导数峰，峰电位为－０．４５Ｖ（ｖｓ，ＳＣＥ），峰电流与大黄酚浓度在２．０×１０＾－７－５．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ范围内成线性关系，检测限为２．０×１０＾－６ｍｏｌ／Ｌ。用于生药大黄中大黄酚的测定，回收率为９２．４％－１０８．４％。用多种电化学手段研究体系的电化学行为，测得电极反应电子数ｎ＝２。体系具有吸附性，并     

天青Ⅰ修饰电极的电化学性质及对血红蛋白的电催化还原

天青Ⅰ修饰电极在ＰＨ＝５．５的ＨＡｃ－ＮａＡｃ缓冲溶液中，在０．３－－０．７Ｖ电位范围内表现出可逆的氧化还原行为，其表面式量电位Ｅ＾０＝－０．２１Ｖ该电极对血红蛋白的还原过程具有良好的催化作用。     

超大孔Fe和V－Ti分子筛的合成

水热法合成了具有超大孔ＭＣＭ－４１分子筛结构的含Ｐｅ和Ｖ－Ｔｉ分子筛，通过ＸＲＤ、骨架ＩＲ、ＥＳＲ、￣（２９）ＳｉＭＡＳＮＭＲ、紫外漫反射等测试表征证实，Ｆｅ原子在ＦｅＭＣＭ－４１分子筛骨架上，Ｖ和Ｔｉ同时进入Ｖ－ＴｉＭＣＭ－４１分子筛骨架。ＦｅＭＣＭ－４１的骨架红外谱除Ｆｅ分子筛的特征吸收峰６６０ｃｍ￣（－１）外，还显示９６０ｃｍ￣（－１）峰，ＥＳＲ谱出现高对称八面体环境Ｆｅ（Ⅲ）信号（ｇ＝２．０）和扭曲四面体环境Ｆｅ（Ⅲ）信号（ｇ＝４．２），而Ｖ－ＴｉＭＣＭ－４１的骨架红外９６０ｃｍ￣（－１）峰强度分别随分子筛中钛或钒的含量线性增强。约在ｇ＝１．９８处出现的超精细结构ＥＳＲ信号表明Ｖ以分散的不流动的Ｖ￣（４＋）形式存在，化学分析结果表明骨架上Ｔｉ和Ｖ原子相互间不排斥。     

标题固相合成V—Cu—S簇合物;VS4（CuPPh3）5X2（X=Br,I）的晶体结构

标题两个化合物是在反应体系（ＮＨ４）３ＶＳ４／ＣｕＸ／ＰＰｈ３／ＮＥｔ４Ｘ中采用低温固相反应方法得到的，单晶Ｘ射线结构分析表明：ＶＳ４（ＣｕＰＰｈ３）５Ｂｒ２（Ｉ）和ＶＳ４－（ＣｕＰＰｈ３）５Ｉ２是同构的，其中晶体属于单斜晶系，空间群Ｐ２１ｃ，Ｍｒ＝１９６８．２，ａ＝２０．２１５（７），ｂ＝１５．６９１（４），ｃ＝２７．３４５（９）Ａ，β＝９５．２９（３）°，Ｖ＝８６３７．０Ａ＾３，Ｚ＝４，Ｄｃ＝     

头孢噻肟钠降解产物在银微电极上示差脉冲阴极溶出伏安法的测定

基于包噻肟钠（ＣＴＸ）在０．１０ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ溶液中水浴降解产物含有巯基（－ＳＨ），在ＰＨ４．５ＮａＡｃ－ＨＡｃ介质中，于奶微电极上产生－灵敏的吸附伏安还原峰，峰电位Ｅｐ＝－０．５５Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。示差脉冲溶出峰电流与ＣＴＸ浓度在１．０＊１０＾－７－１．０＊１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，方法可应用于模拟样品ＣＴＸ的检测，令人满意。