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CeO2纳米晶包裹碳纳米管修饰电极对特布他林的电催化测定 总被引:1,自引:0,他引:1
制备出CeO2纳米晶包裹碳纳米管修饰玻碳电极,并运用循环伏安法、交流阻抗谱探讨了该电极的电化学特性。研究了特布他林在该修饰电极上的直接电化学行为。实验结果表明,特布他林在该修饰电极上具有良好的电流响应,与裸玻碳电极相比在pH 7.0缓冲溶液中氧化峰电位负移314 mV。采用计时电流法测定特布他林,其氧化峰电流与浓度在5.0×10-7~1.0×10-4mol/L范围呈良好线性关系,线性方程为:Ip(μA)=4.952-0.04724c(μmol/L),线性相关系数为0.9920,检出限为5.0×10-8mol/L(信噪比为3)。该电极已用于特布他林片剂中特布他林的测定。 相似文献
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抗坏血酸在β-环糊精/二茂铁甲酸修饰电极上的电化学行为及测定 总被引:1,自引:0,他引:1
利用主客体化学反应将二茂铁甲酸包络在β-环糊精聚合物的空穴中,用新鲜蛋清作交联剂制成β-环糊精聚合物/二茂铁甲酸化学修饰玻碳电极,用电化学阻抗法和循环伏安法研究了修饰电极的电化学性能。在pH 7.0的磷酸盐缓冲溶液中,该修饰电极对抗坏血酸的电化学氧化有很好的催化活性,氧化峰电流与其浓度在6.2×10-6~5.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为ip=0.4375+0.0301C(ip:μA,C:μmol/L),相关系数r=0.9982,检出限为1.0×10-6mol/L。抗坏血酸和多巴胺在修饰电极上于不同的电位(ΔE=490 mV)被氧化,可用于多巴胺存在下选择性测定抗坏血酸。 相似文献
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新型含酰胺键的噻二唑类液晶的合成 总被引:16,自引:0,他引:16
合成了以酰胺键为中心桥键的1,3,4-噻二唑衍生物3个系列共16个新化合物。液晶性质测试表明,它们均为具有高相高温度和宽相变范围的稳定液晶化合物。说明极性的酰胺键有利于介晶性能。比较了端基碳原子数目的多寡对Sc相相变温度的影响。 相似文献
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实验发现 ,在银微盘电极上 ,于HAc NaAc的甲醛溶液中 ,加入少量I-或Br-,循环伏安扫描电位在0 .2~ -0 .8V时 ,就会出现灵敏的甲醛还原峰。机理探讨表明 :在阳极化过程中 ,Ag+ 与I-或Br-生成AgI或AgBr;在较低电位负向扫描时 ,阴极溶出Ag+ ,新产生的活性Ag+ 于电极表面催化了甲二醇脱水为甲醛。采用示差脉冲溶出伏安法 ,峰电流与甲醛的浓度在 5 .0× 1 0 -7~ 2 .0× 1 0 -5mol/L范围内呈较好的线性关系 ;检出限为 5 .0× 1 0 -7mol/L ;对 2 .0× 1 0 -6mol/L甲醛测定 5次 ,相对标准偏差为 3 .0 %。可用于直接电化学方法测定痕量甲醛。 相似文献
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