头孢噻肟钠降解产物在银微电极上示差脉冲阴极溶出伏安法的测定

基于包噻肟钠（ＣＴＸ）在０．１０ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ溶液中水浴降解产物含有巯基（－ＳＨ），在ＰＨ４．５ＮａＡｃ－ＨＡｃ介质中，于奶微电极上产生－灵敏的吸附伏安还原峰，峰电位Ｅｐ＝－０．５５Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）。示差脉冲溶出峰电流与ＣＴＸ浓度在１．０＊１０＾－７－１．０＊１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内呈线性关系，方法可应用于模拟样品ＣＴＸ的检测，令人满意。     

硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极的研究和应用——线性扫描伏安法测定水中可溶性硅酸盐

本文研究了以玻碳电极为基体的1:12硅钼杂多酸根(SiMo_(12)O_(40)~(4-)简称12-MSA)修饰电极的制备及其电化学行为,将12-MSA电极应用于线性扫描伏安法测定天然水中可溶性硅酸盐,结果满意.硅浓度在8.0×10~(-7)～1.7×10~(-3)mol/L,相对标准偏差(n=7)为1.85％,加标回收率为98.2％～103.6％,SiMo_(12)电极具有优良的选择性和稳定性。     

硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中可溶性硅

本文报导了以玻碳电极为基体的１：１２硅钼杂多阴离子薄膜化学修铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在４．０×１０￣（－３）ｍ０ｌ／Ｌ（ＮＨ＿４）＿６ＭＯ＿７Ｏ＿（２４）－６．８×１０￣（－２）ｍｏｌ／ＬＮａ＿３Ｃｉｔ－０．４８ｍｏｌ／ＬＮＨＯ＿３体系中，硅浓度在８．３×１０￣（－７）～１．７×１０￣（－３）ｍｏｌ／Ｌ范围内与峰电流呈良好线性关系，检测限为８．０×１０￣（－７）ｍｏｌ／Ｌ。对可溶性硅（以ＳｉＯ＿２计）为２４５．０５ｍｇ／Ｌ的黑液，稀释１０倍后，取２．００ｍＬ平行测定９次，ＲＳＤ为０．５８％，加标回收率在９７．３％～１０４．４％间。     

磷钼杂多阴离子薄膜修饰电极及其应用——循环伏安法测定植酸中无机磷

本文采用含磷10μg/ml的5×10~(-3)mol/L钼酸铵-0.5mol/L硫酸-20％(V/V)丙酮溶液为电极修饰液,制备了性能优良的以玻碳为基体的PMo_(12)薄膜修饰电极,并应用于植酸中无机磷的测定。检测限为0.04μg/ml磷;相对标准偏差(n=5)为4.32％,加标回收率为98％～108％。本法还可应用于植酸及其它含磷试样的分析。     

头孢拉定降解产物在银亚微电极上的电化学行为

1引言头孢拉定（cephradine,CEP）又称先锋（VI）,是一种副作用和毒性较小的新型抗菌药物。目前对其研究主要有荧光法、高效液相色谱法、电化学分析法、曾泳淮用吸附伏安法研究了其降解产物在汞电极上的电极反应机理。本文基于其降解产物中含有流基（R－SH）,而利用其降解产物中的R-SH在银电极上产生的还原峰尚未见报道。实验表明：CEP降解产物在NaH2PO－Na2HPO4缓冲溶液于-0．65V（vs.SCE）产生一灵敏的吸附还原峰,峰电流与浓度在1．0×10－6～1．0×10－4mol/L范围内呈线性关系,方法应用于人工合成样品中CEP的检测,结果…