一种新型光电材料──β－FeSi_2的结构，光电特性及其制备

Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作了简要的讨论。     

氧化硅包敷对铁黄脱水过程的影响

本文采用ＤＴＡ、ＴＧ、ＨＴＸＴＤ和ＴＥＭ研究了ＳｉＯ２包敷ａ－ＦｅＯＯＨ粒子的脱水过程。从ＤＴＡ和ＴＧ曲线算得的动力学参数表明，ＳｉＯ２包敷ａ－ＦｅＯＯＨ粒子的脱水过程近似为一级反应，其活化能大于未处理的ａ－ＦｅＯＯＨ粒子的活化能。     

静高压下非晶（Fe0.09,Mo0.01）74Si9B13合金晶化过程的热力学研究

在６００－９３０Ｋ，常压到７ＧＰａ的范围内，对非晶（Ｆｅ０．９９，Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３合金等温等压退火３０ｍｉｎ。实验表明；其晶化产物α－Ｆｅ（Ｍｏ，Ｓｉ）Ｆｅ３Ｂ和Ｆｅ２Ｂ相的析出与所加压力密切相关。压力使非晶（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３合金的晶化温度和亚稳Ｆｅ３Ｂ相的析出温度下降，在一定的压力和温度下，亚稳Ｆｅ３Ｂ相半向稳定Ｆｅ２Ｂ相转变其转变温度随压力而变化。     

GexSi1—x／Si应变超晶格雪崩光电探测器的分析与优化设计

对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计，优化结构为：ｉ－Ｓｉ雪崩区厚是１．８～２μｍ；ｐ－Ｓｉ区的掺杂浓度是１０＾１８ｃｍ＾－３厚为１７ｎｍ超晶格总厚为３４０ｎｍ，它可探测１．３～１．６μｍ的红外光。     

Tb2Fe17-xSix单晶磁性和窄畴壁的研究

在 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ 化合物中用 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 观察到晶格参数减小和居里温度升高．平均场理论分析指出, Ｓｉ 对 Ｆｅ 的替代使 Ｆｅ Ｆｅ 间的交换作用明显增强、 Ｔｂ Ｆｅ 间交换作用轻微地减弱．通过拟合 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ － ｘ Ｓｉｘ（ ｘ ＝ ００ ,１０ ,２０ ,３０ ,３３） 单晶的磁化曲线,得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数．在 Ｔｂ２（ Ｆｅ , Ｓｉ）１７ 单晶的磁化和退磁过程中,观察到 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 时引起低温下的本征窄畴壁钉扎和矫顽力增强．计及三个各向异性常数的计算以及用 Ｅｇａｍｉ 热激发模型和 Ｈｃ 与 Ｔ 的经验关系,对畴壁能和畴壁厚度的计算都证明了 Ｓｉ 的替代导致了窄畴壁的存在,分析了它们随成分和温度变化的规律．     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

掺铁InP肖特基势垒增强InGaAs MSM光电探测器

采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于１０Ｖ，２Ｖ偏压下暗电流为１７０ｎＡ，对应的暗电流密度约为３ｍＡ／ｃｍ２；瞬态响应中上升时间ｔｒ为２１ｐｓ，半高宽ＦＷＨＭ为７５ｐｓ。     

ICP—AES法测定高纯二氧化锆中痕量杂质

介绍了高纯二氧化锆中痕量杂质元素Ｆｅ，Ｎａ，Ｓｉ，Ｔｉ的ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法。样品以浓Ｈ２ＳＯ４及（ＮＨ４）２ＳＯ４溶解，采用空白背景校正法消除基体Ｚｒ的光谱干扰，以基体匹配法补偿基体效应。各元素平均回收率为９５％－１０６％，相对标准偏差为１．３％－３．０％。     

1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex／Si多量子阱探测器集成的优…

对１。５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽，高和腐蚀深度分别为８，３和２．６μｍ，２）对ＳＩ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ，２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５ＧＥ０．５＋１８ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。     

Bi_（2－x）Fe_xTi_4O_（11）体系的拉曼光谱研究

Ｂｉ＿（２－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｉ＿４Ｏ＿（１１）体系的拉曼光谱研究赵明旭，孟进芳（长春教育学院物理系长春１３００６１）（河南大学物理系开封４７５００１）ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｓｏｆＲａｍａｎＳｐｃｔｒａｉｎＢｉ＿（２－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｉ＿４Ｏ＿（１１）...     

（Ba1—xKx）BiO3芯态能级随组份的变化

本用第一原理的ＬＤＦ－ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，以超元胞Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２，（Ｂａ３Ｋ）ＢｉＯ１２，（ＢａＫ）Ｂｉ２Ｏ６，（ＢａＫ３）Ｂｉ４Ｏ１２，Ｋ２Ｂｉ２Ｏ６五种“样本”计算由于Ｂｉ＾＋３和Ｂｉ＾＋５二种价态以及Ｋ掺杂引起各芯态能级化学位移的变化，“样本”的电子结构与实验相符，即Ｂａ４Ｂｉ４Ｏ１２是ｇ＝－２．０ｅＶ的半导体，（Ｂａ３Ｋ）Ｂｉ４Ｏ１２ｊ Ｅｇ＝１．６ｅＶ其价带顶有不量空穴的半导体，     

在小硅化物SiX^m（X=Be,B,C,N,O,F,Ne,m=～4—＋2）中分子成…

此文用从头计算法，在ＨＦ，ＭＰ２，ＭＰ３水平下，使用基组６－３１Ｇ，６－３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分析ＳｉＸ＾ｍ（Ｘ＝Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｆ，Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电相关效应，并考虑了不同其函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频     

硅基波导与GeSi／Si超晶格探测器之间光电集成器件的研制

用分子束外延法将ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格结构生长在ｎ＾＋／ｎ Ｓｉ材料上，先后用反应离子刻蚀法形成探测器波志和硅脊波导，经适当工艺实现硅波导与ＰＩＮ探测器之间的光电集成，５Ｖ偏压下ＰＩＮ控制器的最小暗电流为０．８μＡ，最大光响应电流为２．７μＡ，最大总量子效率为１４％，工作波长为λ＝１．３μｍ。     

在小硅化物SiX~m（X＝Be、B、C、N、O、F、Ne，m＝～4－＋2）中分子成键倾向的从头算研究

此文用从头计算法，在ＨＦ、ＭＰ２、ＭＰ３水平下，使用基组６—３１Ｇ、６—３１＋Ｇ对ＳｉＯ的等电子分子ＳｉＸｍ（Ｘ＝Ｂｅ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｐ、Ｎｅ，ｍ＝－４～＋２）进行了几何优化，并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率，对ＳｉＯ分子，使用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）方法考虑了不同水平下的电子相关效应，并考虑了不同基函数６－３１＋Ｇ和６－３１１＋Ｇ的影响。计算结果表明，所有分子的势能曲线都有稳定的极小值，并且键长与频率在ＨＦ、ＭＰ２、ＭＰ３水平上都呈现出明显的规律性，通过与实验上存在的稳定分子ＳｉＯ相比较，可以预言ＮＳＩｉ－和ＳｉＦ＋比其它分子有较明显的成键可能性，所以，ＮＳｉ－和ＳｉＦ＋有可能形成稳定的分子。     

ICP—AES法同时测定电解金属锰中的硅,铁,硒和磷

本文研究了用ＩＣＰ－ＡＥＳ直接测定电解金属锰中的Ｓｅ，Ｐ，Ｓｉ，Ｆｅ等元素的方法，方法简便，快速，精密度和准确度均能满足对出口电解金属锰的检验要求。     

含MoFe3S4单元的μ2—OR或μ2—SR桥联双类立方烷簇合物的红？…

对下列含ＭｏＦｅ３Ｓ４单元的μ２－ＯＲ或μ２－ＳＲ桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究：（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８Ｃｌ６（ＯＭｅ）３」（１）,（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）６（ＯＭｅ）３」（２）,（Ｂｕ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）６（ＯＭｅ）３」（３）（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＢｕ＾ｔ）６（ＯＭｅ０３」（４）ｍ,（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）９」     

含MoFe3S4单元的μ2-OR或μ2-SR桥联双类立方烷簇合物的红外光谱研究

对下列含ＭｏＦｅ３Ｓ４ 单元的μ２－ＯＲ或μ２ －ＳＲ桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究：（Ｅｔ４ Ｎ）３［Ｍｏ２Ｆｅ６ Ｓ８Ｃｌ６ （ＯＭｅ）３ ］（１）,（Ｅｔ４ Ｎ）３ ［Ｍｏ２ Ｆｅ６ Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（２）,（Ｂｕ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（３）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＢｕｔ）６（ＯＭｅ）３］（４）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）９ ］（５）。通过这系列簇合物特征振动频率和结构参数及与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的比较,对其νＭ ｏ－μ２Ｏ（Ｒ） ,νＭ ｏ－μ２Ｓ（Ｒ）,νＭ ｏ－Ｓ,νＦｅ－Ｓ,νＦｅ－ＳＲ,νＦｅ－Ｃｌ 进行了归属。对其中两条途径的亲电诱导效应及Δν（即νＭ ｏ－Ｓ－νＦｅ－Ｓ）与Ｆｅ→Ｍｏ 电荷迁移的关系进行了探讨。最后,讨论了桥联双类立方烷与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的共性和差异。     

类小硅化物SiXm（X—H,F,Cl;m=1—4）中平衡几何和振动频率…

本文使用分子轨道从头算方法，在ＨＦ／６－３１Ｇ和ＭＰ２／６－３１Ｇ水平下，计算了小硅化物ＳｉＸｍ的平衡几何和谐振子振动频率。理论值和实验值的比较表明，对于ＳｉＨｍ分子，实验的键长位于ＨＦ键长和ＭＰ２键长之间，而ＭＰ２振动频率更接近于实验的振动频率。对于ＳｉＣｌｍ分子，无论是键长还是振动频率ＨＦ值和ＭＰ２值都比较接近。以于ＳｉＦｍ分子，处于这两类的中间情况，关联作用随着Ｘ原子的原子序数的增加而减弱。     

与Al发生扩散反应的非晶(Fe0.99Mo0.01)78Si9B13晶化

高压下与Ａｌ发生扩散反应的非晶（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３（ＦＭＳＢ）的不同。与Ａｌ反应的ＦＭＳＢ非晶在３．０￣５．０ＧＰａ,７８０￣９００Ｋ热处理时,晶化为α－Ｆｅ（Ａｌ）和次亚稳非晶合金;在这一压力范围以外,７２０￣９００Ｋ热处理时,晶化为α－Ｆｅ（Ｓｉ）,Ｆｅ３Ｂ或Ｆｅ２Ｂ。与Ａｌ发生反应的ＦＭＳＢ非晶可能通过与Ａｌ的扩散反应在Ａｌ／ＦＭＳＢ界面开始晶化。压力和温度对晶化过程     

化学复合镀Ni-P-SiO2镀层的XPS和AES分析

本文运用ＸＥＭ、ＡＥＳ和ＸＰＳ分析了Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＯ２镀层的表面形貌及镀层组成。研究显示：Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＯ２镀层表面光滑、均匀、光洁度好;其相对原子百分数为Ｎｉ７４．５６％,Ｐ１２．３８％,Ｓｉ２．７７％,Ｆｅ２．３２％,Ｏ６．６５％,镀层厚度为６．４０ｕｍ,镀层耐１０％ＮａＣｌ溶液和１％Ｈ２Ｓ气体的腐蚀能力较强。