N+离子注入聚四氟乙烯表面改性研究

在剂量为1×1014-1×1017ions/cm2的范围内,在不同的温度条件下,用能量为160keV氮离子对PTFE表面进行注入处理,处理后的样品用可见(514.5nm)和傅里叶红外(1064nm)拉曼(Raman)光谱以及扫描电镜和x射线能谱仪进行检测.实验结果表明低剂量注入可以增强PTFE晶体结构的取向和有序性;中等剂量时溅射损失效应明显,表面粗糙度加大:高剂量注入时微观结构强烈地变化并生成CC双键,导致表面碳化.另外温度对表面改性效果有很大的影响.刻蚀率和表面的微观结构的变化随着温度的升高而增强.离子注入前,用喷射技术使样品覆盖一层150nm的金膜,薄膜的黏结性和硬度用划痕和透明胶带测试配合扫描电镜进行分析.分析结果表明,黏结性在注入剂量为10\{14\}ions/cm2时明显增强,这个结果与表面亲水性测量结果是一致的.但表面硬度只在温度为180℃时才得到了增强.     

注入Si中的稀土离子Er3+的光学特性

用离子注入方法,将稀土离子Er3+注入到n-Si单晶中,通过对其低温(77K)光致发光光谱的测量,研究其光学特性.结果表明,注入剂量控制在1×1012cm-2～1×1015cm-2范围,退火温度控制在900℃～1100℃时,样品的主要发光峰值位于1.54μm左右.研究了样品的光致发光光谱随注入剂量、退火温度的变化关系,给出峰值在1.54μm附近的未分辨开的谱线的半宽为16.4meV.     

N+离子注入聚四氟乙烯表面改性研究

在剂量为1×1014—1×1017ions／cm2的范围内，在不同的温度条件下，用 能量为160keV氮离子对PTFE表面进行注入处理，处理后的样品用可见(514．5nm)和傅里叶红 外(1064nm)拉曼(Raman)光谱以及扫描电镜和x射线能谱仪进行检测.实验结果表明低剂量注 入可以增强PTFE晶体结构的取向和有序性；中等剂量时溅射损失效应明显，表面粗糙度加大 ：高剂量注入时微观结构强烈地变化并生成CC双键，导致表面碳化.另外温度对表面改性效 果有很大的影响.刻蚀率和表面的微观结构的变化随着温度的升高而增强.离子注入前，用喷 射技术使样品覆盖一层150nm的金膜，薄膜的黏结性和硬度用划痕和透明胶带测试配合扫描 电镜进行分析.分析结果表明，黏结性在注入剂量为1014ions／cm2时明显增强，这 个结果与表面亲水性测量结果是一致的.但表面硬度只在温度为180℃时才得到了增强. 关键词： 离子注入 聚四氟乙烯 表面改性     

埋氧注氮工艺对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的辐射硬度的影响

研究了埋氧注氮对部分耗尽SOI PMOSFET顶栅氧的总剂量辐射硬度所造成的影响。注入埋氧的氮剂量分别是8×1015 , 2×1016 和1×1017cm-2。实验结果表明，辐照前，晶体管的阈值电压随氮注入剂量的增加向负方向漂移。在正2V的栅偏压下，经5×105 rad(Si)的总剂量辐照后，同埋氧未注氮的晶体管相比，埋氧注氮剂量为8×1015 cm-2的晶体管呈现出了较小的阈值电压漂移量。然而，当注氮剂量高达2×1016 和 1×1017cm-2时，所测大多数晶体管的顶栅氧却由于5×105 rad(Si)的总剂量辐照而受到了严重损伤。另外，对于顶栅氧严重受损的晶体管，其体-漏结也受到了损伤。所有的实验结果可通过氮注入过程中对顶硅的晶格损伤来解释。     

金原子团簇的分频散射光谱研究

液相金原子团簇是一种非线性光学介质.它在580nm处产生一个最强共振散射峰.当激发波长为290nm(1.03×10¹⁵Hz)时,液相金原子团簇在580nm(1/2×1.03×10¹⁵Hz)和870nm(1/3×1.03×10¹⁵Hz)分别产生一个1/2分频和1/3分频散射峰;当激发波长为580nm(5.02×10¹⁴Hz)时在290nm(2×5.02×10^-14Hz)和870nm(2/3×5.02×10¹⁴Hz)分别产生一个2倍频和2/3分频散射峰;当激发波长为870nm(3.34×10¹⁴Hz)时在580nm(3/2×3.34×10¹⁴Hz)和290nm(3×3.34×10¹⁴Hz)分别产生一个3/2分频和3倍频散射峰.分频散射和倍频散射峰与共振散射峰具有相似的散射行为.从激励光与液相金原子团簇相互作用的运动方程出发,根据傅氏变换理论,较好地解释了液相金原子团簇产生的一些非线性散射光谱.     

磷离子注入速率对4H-SiC(0001)晶格恢复与电阻率降低的影响

高剂量的磷离子注入4H-SiC(0001)晶面，注入速率从1.0×1012到4.0×1012 P+ cm-2s-1变化，而注入剂量固定为2.0×1015 P+ cm-2。室温注入，1500oC的高温下退火。利用光荧光和拉曼谱分析注入产生的晶格损伤以及退火后的残余缺陷。通过霍耳测试来分析注入层的电学性质。基于上述测试结果，发现通过减小磷离子的注入速率，极大地减少了注入层的损伤及缺陷。考虑到室温注入以及相对较低的退火温度(1500 oC)，在注入速率为1.0×1012 P+ cm-2s-1及施主浓度下为4.4×1019 cm-3的条件下，获得了非常低的方块电阻106 Ω/sq。     

显影终点的观察

在使用发射光谱方法测定微量金时,常常会出现这样的情况:用Au267.6nm线和用Au312.2nm线计算的结果不一样,例如,综-1号样,用267.6nm线计算的结果是2.7×10~(-9),而用312.2nm线计算的结果是3.4×10~(-9);综-2号样,用267.6nm线计算的结果是74×10~(-9),而用312.2nm线计算的结果则是63×10~(-9)。也就是说,在较低浓度时,用267.6nm线计算的结果偏低,用312.2nm线计算结果偏高;而在较高浓度时,用267.6nm线计算的结果偏高,用312.2nm线计算的结果偏低。如图1所示,与显影最佳谱板的黑度比较可知,这种情况属于显影不足。     

三角形弯晶单色器的分光及聚焦特性研究

北京同步辐射装置(BSRF)的4W1C光束线用斜切角为12.16°的三角形Si(111)、Si(220)和Si(422)晶体在衍射角为23.65°时选择0.252nm、0.154nm和0.089nm波长的单色X光.三角形晶体压弯成柱面,可实现单色光水平方向的聚焦,为漫散射实验站提供聚焦的单色X光.解析计算和SHADOW软件包进行追踪的结果与实验测试结果符合得很好.     

激光应用 其他应用

TN249 2005031798 激光对吸附在Si(111)7×7和Si(100)2×1表面上的C60 的不同作用=Different effects of laser on C60 adsorbed on the Si(111)7×7 andSi(100)2×1 surfaces[刊,中]／赵风周 (中国科学技术大学结构分析中心,合肥微尺度物质科学 国家实验室．安徽,合肥(230026)),崔雪峰…∥电子显微 学报．-2005,24(1)．-6-10 利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV STM),在室温 下研究沉积了约0．005的C60分子的Si(111)7×7和Si (100)2×1再构表面在波长为266nm的激光束轰击前后     

C20与Si(100)-(2×1)重构表面相互作用的计算机模拟研究

用分子动力学的方法模拟研究了低能C20与Si(100)-(2×1)重构表面的相互作用过程.将描述C、Si结构的Tersoff势和描述原子间短程排斥的KrC势相结合,建立了一个混合势作为原子间的相互作用模型.荷能C20垂直轰击到Si(100)-(2×1)表面后,由于在<110>方向受到非对称力场的作用而产生横向的集体运动,改变的入射能量导致C20与Si(100)-(2×1)表面最接近的垂直距离不同,从而受到不同的横向力场的作用而产生不同的表面运动特性.C20能量耗尽后稳定吸附在Si(100)-(2×1)表面,且只有两个稳定吸附位置,即二聚体(dimer)和"峡谷"(trough)位,这两个吸附位置的存在可用C20与Si(100)-(2×1)表面之间非对称的表面力场分布来定性解释.最终C20与Si(100)-(2×1)表面有强烈的化学键形成.模拟结果与STM的实验观察结果进行了比较.     

高能Pb离子辐照注碳SiO2的红外谱研究

室温下，先用120keV的C离子注入二氧化硅薄膜样品至剂量2.0×1017、5.0×1017或8.6×1017ions/cm2，再用950MeV的Pb离子分别辐照至剂量5.0×1011、1.0×1012或3.8×1012 ions/cm2，然后测量样品的傅里叶变换红外(FTIR)光谱. 通过分析测量得到的傅里叶变换红外谱，发现Pb离子辐照在注碳SiO₂样品中可引起大量的Si－C和Si (C)－O－C等化学键的形成，大剂量Pb离子辐照可在大剂量注碳的SiO₂中产生分子CO₂. 大量的Si－C键的存在和分子CO₂的形成，预示着高能Pb离子辐照在注碳SiO₂样品中有可能形成了纳米Si团簇和/或SiC晶粒.     

离子辐照产生的空位型缺陷对Si中B原子热扩散的影响

使用二次离子质谱仪分析了附加的空位型缺陷对单晶Si中注入B原子热扩散的影响. Si中B原子是通过30keV B离子室温注入而引入的, 注入剂量为2×10¹⁴cm^－2. Si中附加的空位型缺陷通过两种方式产生: 一是采用40或160keV He离子注入单晶Si到剂量5×10¹⁶cm^－2,并经800°C退火1h; 二是采用0.5MeV F或O离子辐照单晶Si到剂量5×10¹⁵cm^－2.结果显示, 不同方式产生的附加的空位型缺陷均能抑制注入的B原子在随后热激活退火中发生瞬间增强扩散效应, 并且抑制的效果依赖于离子的种类和离子的能量. 结合透射电子显微镜和卢瑟福背散射分析结果对以上抑制效应进行了定性的讨论.     

高重复率 高平均功率窄线宽KrF准分子激光系统的研究

本文报道—台自制的光学投影亚微米量级微细加工用的KrF准分子激光振荡-放大系统,并对其设计和运转性能加以讨论.该系统在200Hz重复率运转时其谱线漂移小于5×10~(-4)nm,谱线宽度为2.3×10~(-8)nm,平均功率达24.4W.     

稀土铒离子注入多孔硅的发光

稀土离子Er注入多孔硅中.在350keV能量,1×1012~1×1015/cm2剂量范围内,注入后的多孔硅仍保持明亮的可见光发射.退火后,在近红外区测到1.54μm附近Er3+的特征发射.其发射强度比硅单晶对照样品明显增强,实验表明这增强作用来源于多孔硅的表面发光层.电化学制备过程中在表面层中带入的O、C、F等多种杂质可能是Er3+发光增强的原因.     

Numerical calculation of Kerr spectra for Co/Pt magnetic multilayered films

The Kerr spectra as function of wavelength, incident angle and layer number are calculated with 4×4 matrix method. It is found that the calculated results are in good agreement with experimental ones for [Co (0.3 nm)/Pt (0.4 nm)]×43/glass (1.21 mm) and [Co (0.4 nm)/Pt (1.1 nm)]×53/glass (1 mm). In addition, for [Co (0.3 nm)/Pt (0.4 nm)]×43/glass (1.21 mm), it shows a maximum Kerr rotation at N = 10. For [Co (0.4 nm)/Pt (1.1 nm)]×53/glass (1 mm), the calculated Kerr rotation as a function of incident angle reveals maximum when the incident angle is 89°.     

分段表面放电光抽运XeF(C-A)激光器

阐述了分段表面放电光抽运XeF(C -A)激光器的设计和实验技术。分段表面放电辐射源在 140nm～ 170nm辐射区域亮度温度Tb≈ 15× 10 3K ,用该辐射源作抽运源离解XeF2 获得了XeF(C -A)蓝绿 (4 70nm～ 495nm)激光输出 ,激光脉宽为 340ns、光谱宽度为 15nm。     

高效率光参量转换

用一块6.5×9×20(长度)mm KTP晶体获得625nm～3575nm的皮秒可调谐激光.能量转换效率高达30%,最大信号光峰值功率34MW.     

烷氧基取代聚对苯乙炔三阶非线性光学性能

通过双醚化反应、氯甲基化反应以及在强碱性条件下进行的脱氯化氢反应制备聚（2-甲氧基-5-丁氧基）对苯乙炔（PMOBOPV）、聚（2-甲氧基-5-己氧基）对苯乙炔（PMOHOPV）、聚（2,5-二丁氧基）对苯乙炔（PDBOPV）和聚（2,5-二己氧基）对苯乙炔（PDHOPV）等四种可溶性聚对苯乙炔（PPV）衍生物,通过紫外-可见吸收光谱对产物分子结构进行表征.结果显示,PMOBOPV、PMOHOPV、PDBOPV和PDHOPV的共轭π电子发生π → π* 跃迁的吸收峰分别位于491 nm、495nm、504nm和510nm处,相应的光学禁带宽度分别为2.23eV、2.18eV、2.12eV和2.07eV.利用简并四波混频技术测量PPV衍生物的三阶非线性光学性能,探讨了分子结构对PPV衍生物三阶非线性极化率（χ(3)）的影响.研究发现,激发波长为532 nm时,PMOBOPV、PMOHOPV、PDBOPV和PDHOPV的共振χ(3)值分别为3.45×10－10、5.13×10－10、7.15×10－10和9.61×10－10 esu;激发波长为1064 nm时,它们的非共振χ(3)值分别为1.09×10－11、1.42×10－11、1.62×10－11和2.14×10－11 esu.     

用低能电子衍射计算Ni(001)Ni(110)和Ni(111)表面化学吸附硫的表面原子层间距

在本文里,我们用一维的能带理论计算了Ni(001)、Ni(110)和Ni(111)表面化学吸附硫的表面原子层间距d_s。我们发现,当Ni(001)C(2×2)-S、Ni(110)C(2×2)-S和Ni(111)P×(2×2)-S表面的d_s分别等于1.291±0.01(?),0.929±0.01(?)和1.390±0.01(?)时。显示出,理论计算的LEED谱与实验非常一致.     

离子注入ZnO薄膜的拉曼光谱研究

室温下,用80 keV N⁺和400 keV Xe⁺离子注入ZnO薄膜,注入剂量分别为5.0×10¹⁴—1.0×10¹⁷/cm²和2.0×10¹⁴—5.0×10¹⁵/cm².利用拉曼散射技术对注入前后的ZnO薄膜进行光谱测量和分析,研究了样品的拉曼光谱随离子注入剂量的变化规律.实验结果发现,未进行离子注入的样品在99,435 cm<