Mn5Ge2.7M0.3 (M=Ga，Al，Sn) 化合物的磁性和磁熵变

研究了Mn₅Ge_2.7M_0.3(M=Ga，Al，Sn)化合物的磁性和磁熵变. x射线衍射实验表明，研究的化合物均呈六角Mn₅Si₃型结构. 三种原子对Ge原子的替代，使得平均Mn原子磁矩下降，但居里温度没有明显的变化. 由于磁矩的降低，导致磁熵变值的下降，在磁场变化为4.0×10⁶A·m^-1时，对应于M=Ga，Al和Sn的样品，最大磁熵变值ΔS^max_Ｍ分别为6.1，6.3和5.3J·kg^-1K^-1，但磁熵变峰值的半高宽ΔＴ_ＦＷＨＭ有所增加. 另外，Mn₅Ge_2.7M_0.3(M=Ga，Al，Sn)化合物在高于居里温度的Arrott曲线上出现了一个不连续点，即样品在一定温度下的顺磁磁化率在某一临界磁场下发生了突变，临界磁场与温度几乎呈正比关系.这可能是由于样品在加一定磁场时3d带的费米能级发生了变化，使得有效电子数的减少所致. 关键词： 居里温度 平均Mn原子磁矩 磁熵变 Arrott图     

液态锡对低活化马氏体/铁素体钢CLF-1的腐蚀行为研究

采用背散射电子扫描显微镜、电子衍射能谱和X射线衍射等分析方法，研究了浸泡在300~700℃的液态锡(Sn)中24h后的低活化马氏体/铁素体钢CLF-1的腐蚀行为。研究结果表明，在所有测试温度下液态锡对CLF-1钢表面均有不同程度的腐蚀，主要腐蚀机制为化合溶解腐蚀。铬(Cr)以单质形式溶解沉淀，液态锡与铁在CLF-1钢表面反应生成由铁锡化合物构成的腐蚀层。当温度低于500℃时，腐蚀层厚度近似为一常量，约8μm，化学成分为FeSn₂。当温度高于500℃时，腐蚀层厚度随温度线性增加，腐蚀层呈双层结构，分别为CLF-1边界处的FeSn层和覆盖在其表面的FeSn₂层。     

热迁移对Cu/Sn/Cu焊点液-固界面Cu6Sn5生长动力学的影响

电子封装技术中, 微互连焊点在一定温度梯度下将发生金属原子的热迁移现象, 显著影响界面金属间化合物的生长和基体金属的溶解行为. 采用Cu/Sn/Cu焊点在250℃和280℃下进行等温时效和热台回流, 对比研究了热迁移对液-固界面Cu₆Sn₅生长动力学的影响. 等温时效条件下, 界面Cu₆Sn₅生长服从抛物线规律, 由体扩散控制. 温度梯度作用下, 焊点冷、热端界面Cu₆Sn₅表现出非对称性生长, 冷端界面Cu₆Sn₅生长受到促进并服从直线规律, 由反应控制, 而热端界面Cu₆Sn₅生长受到抑制并服从抛物线规律, 由晶界扩散控制. 热端Cu 基体溶解到液态Sn中的Cu原子在温度梯度作用下不断向冷端热迁移, 为冷端界面Cu₆Sn₅的快速生长提供Cu 原子通量. 计算获得250℃和280℃下Cu原子在液态Sn中的摩尔传递热Q^*分别为14.11和14.44 kJ/mol, 热迁移驱动力F_L分别为1.62×10^-19和1.70×10^-19 N.     

Mg-Sn-Si系合金的热力学基础及合金相演变过程分析

研究了Mg-Sn-Si系合金的热力学基础及合金相的演变过程. 结果表明: 对于Mg-Sn-Si系合金, 合金相的比热容随着温度增加而增加, 在低温下变化迅速, 而在高温下变化平缓, 其热膨胀系数在低温范围内随温度升高呈指数形式增加, 而在高温范围内呈线性增大. 在Mg₂ (Si_x, Sn_1-x)、Mg₂ (Sn_x, Si_1-x)相结构中, Sn(Si)原子的取代位置不固定, 可以是面心, 也可以是顶点. 常规凝固过程中, 由于处于非平衡状态, x的取值范围有所波动, 对于Mg₂ (Si_x, Sn_1-x)和Mg₂ (Sn_x, Si_1-x) 两种结构, x的取值范围在0.25或0.75附近. Mg₂ (Si, Sn)的生成温度较高, 可从液相中直接析出, 也可由Mg₂Si转化而来, 而Mg₂ (Sn, Si)的生成温度较低, 只能从基体中析出, 随着Sn含量的增加, 开始析出Mg₂ (Sn, Si)相的温度升高.     

液态InSb电阻率和热电势与温度的关系

利用直流四电极法和微差法分别测量了液态InSb的电阻率和热电势与温度的关系,得到了高精度的数据.发现液态InSb的电阻率温度系数在熔点附近随温度升高而增大;在高于617℃的高温区,该液体的电阻率与温度呈较好的线性关系.热电势温度系数在617℃左右也同样存在较明显的变化.结合其他物理性质随温度的变化规律及接近熔点温度的结构特点,可以认为液态InSb在熔点以上存在结构变化. 关键词： 电阻率 热电势 液态InSb 结构转变     

Dy-Sn二元系合金相图

本工作用X射线粉末照相法和差热分析法测定了Dy-Sn二元系合金相图。Dy-Sn系存在九个金属间化合物,其中DySn₂,Dy₅Sn₃,Dy₅Sn₄以及Dy₁₁Sn₁₀已有结构报道,其余五个化合物尚未见报道,它们是:Dy₂Sn,DySn,Dy₈Sn₉,Dy₄Sn₇和DySn₄存在四个共晶反应,六个包晶反应。化合物Dy₂Sn,DySn,Dy₄Sn₇分别在1237℃,1222℃及1154℃同成份熔化,Dy₅Sn₃,Dy₅Sn₄,Dy₁₁Sn₁₀,Dy₈Sn₉,DySn₂及DySn₄则分别在包晶反应温度,1140℃、1160℃,1175℃,1134℃,738℃以及442℃分解,富Dy区在1182℃存在一熔晶转变。DySn₄与Sn互不溶解。α-Dy中最大含Sn量大约为5wt％,β-Dy中最大含Sn量大约为7wt%。 关键词：     

Gd-Sn二元系合金相图

本文用X射线衍射和差热分析方法,对Gd-Sn二元系进行了研究,观察到三种新的金属间化合物Gd₃Sn,Gd₈Sn₇和Gd₃Sn₄,并作出了这个二元系合金相图。这个二元系中,共存在着八种金属间化合物,它们是:Gd₃Sn,Gd₅Sn₃,Gd₅Sn₄,Gd₈Sn₇,Gd₁₁Sn₁₀,Gd₃Sn₄,GdSn₂和GdSn₃。金属间化合物Gd₃Sn和Gd₅Sn₃分别在1173℃和1243℃同成分熔化;金属间化合物Gd₅Sn₄,Gd₈Sn₇,Gd₁₁Sn₁₀,Gd₃Sn₄,GdSn₂和GdSn₃分别在1179℃,1114℃,1095℃,995℃,941℃和905℃由包晶反应生成。存在着1103℃约15at％Sn,1141℃约32at％Sn和232℃约100at％Sn三个共晶反应。无论是Gd在Sn中还是Sn在Gd中都没有观察到溶解度。 关键词：     

原子间相互作用势对中Al浓度Ni75AlxV25-x合金沉淀序列的影响

基于微观相场模型与反演算法,研究了中Al浓度及温度对Ni₇₅Al_xV_25-x合金沉淀过程的影响：在相同浓度下,L1₂与DO₂₂结构的第一近邻原子间相互作用势随温度升高呈线性增加,两者呈正比的关系;但在同一温度下,L1₂（DO₂₂）结构的第一近邻原子间相互作用势随Al原子浓度的增加而增加（减少）.同时将反演得出的原子作用势代入微观相场模拟中,探讨中Al浓度合金沉淀序列与原子作用势的关系,即当L1₂的第一近邻原子间相互作用势大于（小于）DO₂₂时,L1₂（DO₂₂）优先析出;当L1₂和DO₂₂的第一近邻原子间相互作用势相等时,两者同时析出.特别地,当Al原子的浓度等于0.0589时,发现L1₂和DO₂₂同时析出.利用微观相场法反演原子间相互作用势,为判断中Al浓度合金的沉淀序列增加了可信度.     

液态Sn的粘度及其熔体微观结构的变化

通过对液态Sn的粘度的系统测量和分析,借助DTA-TG综合热分析方法,研究了金属熔体Sn的粘度随温度变化的规律和熔体微观结构的变化.结果表明,Sn熔体的粘度随温度的变化呈明显的不连续性,根据粘度的变化可以将熔体状态分为高温区、中温区和低温区,各温区间存在粘度突变温度点.在突变温度点处,金属熔体Sn可能发生了微观结构的变化.?     

PLZST反铁电陶瓷电场诱导相变与相稳定性的研究

在三方铁电(FE)-四方反铁(AFE)的准同型相界附近制备了一系列组份为(Pb_0.97La_0.02)(Zr_1-x-ySn_yTi_x)O₃(x=0.09或0.1;0.16≤y≤0.38)的反铁电陶瓷.研究了Sn含量y对电场诱导AFE→FE相变电场E_c、反铁电双电滞回线损耗ΔE、以及温度诱导FE→AFE相变温度T_FE，AFE→顺电(PE)相变温度T_c的影响.沿AFE-FE相界Ti含量一定的条件下，E_c随着Sn含量y的增加而增大，ΔE减小，T_FE与T_c均降低.场诱相变的回线参量E_c，ΔE与相变温度T_FE和T_c相关联.在直流偏压下用原位X-射线衍射表征了相变时晶格结构的变化，结果表明，当电场达到AFE→FE相变临界场时，伴随相变的发生，晶格结构由四方相转变为三方相，晶胞体积增大. 关键词：     

γ′晶体的蠕变及持久性能

本文报导了对以Ni₃Al为基的r′单晶体所做的蠕变及持久试验的结果。结果表明,r′晶体的稳态蠕变速ε_s遵从 ε_s=Cσ^mexp(-Q_c′/RT) 的关系。指数m仅和温度有关。m(850℃)=3.95,m(950℃)=3.62。对Ni₃Al,Q_c′=88kcal/g-at。合金元素Ti,Nb,W都使Q_c′升高,其中Nb的作用最大,然而W在提高蠕变强度上最有效。晶体取向对ε_s有显著影响。<111>取向的Ni₃Al晶体ε_s最低,持久寿命t_r最长。在1050℃,σ=5kg/mm²时,t_r可≥100小时,Ni₃Al单晶体也同样符合Monkman-Grant关系t_r(ε_s)^p=常数,其中p=0.82。r′晶体蠕变中的滑移系统是{111}<211>。     

Exploring the photoexcited triplet states of aluminum and tin corroles by time-resolved Q-band EPR

The photoexcited triplet states of three 5,10, 15-tris(pentafluorophenyl)corroles (tpfc), hosting Sn(IV) and Al(III) in their core, namely, Sn(Cl)(tpfc), Al(pyr)₂(tpfc) and Al(pyr)₂(tpfc-Br₈), were studied by time-resolved electron paramagnetic resonance (TREPR) spectroscopy in the nematic liquid crystal E7. Only two of these metallocorroles, namely, Sn(Cl)(tpfc) and Al(pyr)₂(tpfc-Br₈), exhibit TREPR spectra following pulsed laser excitation. This result is rationalized in terms of a very low quantum yield of triplet formation in Al(pyr)₂(tpfc). Analysis of the spin polarized Q-band (34 GHz) EPR spectra of Sn(Cl)(tpfc) and Al(pyr)₂(tpfc-Br₈) provides detailed information on the magnetic and kinetic parameters of the triplet states as well as on the molecular ordering of the complexes in the liquid crystal. With the assignment of the zero-field splitting parameterD<0 for the Sn(Cl)(tpfc) and Al(pyr)₂(tpfc-Br₈), one can evaluate the dominant intersystem crossing path for these metallocorroles. Analysis reveals that in Sn(Cl)(tpfc) the in-plane triplet sublevels are preferentially populated, i.e.,A _X, A_Y?A _Z. This can be rationalized in terms of weak electronic interactions between the Sn(IV) ion and the corrole π-system, consistent with the domed structure of Sn(Cl)(tpfc). In Al(pyr)₂(tpfc-Br₈), however, the out-of-plane triplet sublevel is predominantly populated, i.e.,A _Z>A _X, A_Y, which is attributed to a large increase in the spin-orbit coupling strength arising from the peripheral bromine atoms on the corrole skeleton.     

Nb3Sn复合超导体晶粒生长机制

本文研究了Nb/固态Cu-Sn和Nb/液态Cu-Sn界面上Nb₃Sn晶粒的生长。实验表明:固态-固态界面上生长的晶粒尺寸虽小(约0.1μm),但Nb₃Sn晶粒的长大仍符合通常的固态晶粒长大规律;固态-液态界面上生长的Nb₃Sn分成两层,靠近Nb的内层晶粒细小,排列致密,外层晶粒粗大,分布零散,后者是前者经过溶解/沉积过程引起的,晶体形貌大多数呈菱形十二面体,部分呈正交平行六面体,说明Nb₃Sn的{110},{100}面     

TO ENHANCE THE INTENSITY OF SONOLUMINESCENCE

The transient resonance of a sonoluminescence bubble has been analysed. When the bubble performs its transient resonance at the nth order harmonics of the standing waves in the liquid, the light intensity strongly depends on the amplitude of the driving pressure (proportional to its 2n power, with n=f_r/f, where f_r is Minnaert's linear resonant frequency of the bubble and f is the frequency of driving sound). The kinetic energy of a vibrating bubble becomes maximum approximately when it is in its equilibrium size. For example, when the ambient temperature of a bubble decreases from 34℃ to 4℃, a huge increase of the light intensity emitted by it can be explained. A suggestion was made that, within the limits permitted by the phase diagrams, as high an increase in driving pressure as possible could enhance the light intensity of sonoluminescence up to four orders of magnitude.     

Ti与莫来石陶瓷衬底的界面反应

在抛光的200℃莫来石陶瓷衬底上电子束蒸发淀积200nm的Ti膜，并在高真空中退火，利用二次离子质谱（SIMS）、俄歇电子能谱（AES）和X射线衍射分析（XRD）研究了从200—650℃Ti与莫来石的固相界面反应．结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti—O键，并有微量元素态Al，Si原子析出，界面区很窄；450℃，1h退火后，界面区有所展宽，但变化不大；650℃，1h退火后，界面发生强烈反应，样品主要由TiO＋Ti，Ti₃Al，Ti₃Al＋TiSi₂和莫来石陶瓷衬底四层结构组成 关键词：     

Al-50wt% Sn合金的离子溅射研究

用捕获膜技术和卢瑟福背散射(RBS)分析,测定Al-Sn多相合金在30keV Ar⁺离子轰击时Al和Sn的溅射原子角分布。溅射后的样品用扫描电子显微镜(SEM)进行观察,并用电子微探针分析仪(EPMA)对轰击样品(靶点)和未轰击样品作成分分析。结果表明,Al的溅射原子角分布近于cosine形状,而Sn却是over-cosine型角分布。本文给出一个按不同表面形貌特征划分的各元素富集区i进行叠加的产额表达式,Y(θ)=∑Y_i(θ),解释了实验结果。 关键词：     

氢原子在金属表面的吸附理论

本文在相关基函数理论框架下,利用巨分子模型,建立了氢原子在简单金属表面的吸附理论模型。通过对吸附平衡位置参量的变分数值计算,我们得到了关于氢原子在金属Al(r_s=2.07),Mg(r_s=2.66),Li(r_s=3.28)和Na(r_s=3.99)表面上的吸附能,吸附体系的电子密度以及平衡位置。对于传统的密度泛函方法得到的结果,本文作了比较。 关键词：     

Powdering aluminium and aluminium alloys by ultrasound

Ultrasonic powdering of Al, Al/Sn, Al/Pb and Al/Al₂O₃ alloys is described. By constructing a suitable run-off vessel and introducing vibrator materials of high resistance, continuous powdering of Al and Al/Sn at 20 kHz can be achieved. Furthermore, by using a protective gas spray, spherical particles of about 60 μm diameter with only a slight oxide content can be obtained. Powder from the Al/Sn alloy has a fine distribution of components and a uniform grain structure. By powdering the Al/Al₂O₃ alloy, particles with an equally uniform distribution of foreign material can be produced. Similarly, aluminium particles with embedded spherical lead particles can be obtained.