Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料学术会议即将召开

根据1984年11月发光学学会常务理事会的决定,今年9～10月份将在河北省保定市召开Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料学术会议。该会议将由河北大学物理系负责筹备,筹备组组长是学会理事朱自熙。 会议的内容包括: Ⅱ—Ⅵ族材料的制备、掺杂及缺陷的研究; Ⅱ—Ⅵ族材料的发光、电学和光电性能;     

稀释磁性半导体

稀释磁性半导体是指Ⅰ—Ⅵ族、Ⅳ—Ⅵ族、Ⅱ—Ⅴ族或Ⅲ—Ⅴ族化合物中,由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分地替代非磁性阳离子所形成的新的一类半导体材料。这类材料的突出特点是磁性离子磁矩和能带电子自旋之间存在交换相互作用。由此引起材料性质发生一系列重要变化。本文系统介绍这类材料的各种物理性质,包括能带结构,ｓｐ—ｄ和ｄ—ｄ交换作用,磁性质和自旋玻璃特性,光学和磁光性质,输运特性等。最后简单介绍这类材料的应用前景。     

Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究进展

半导体异质结在探索新奇物理和发展器件应用等方面一直发挥着不可替代的作用.得益于其特有的能带性质,相对较窄的带隙和足够大的自旋轨道耦合相互作用,Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结不仅在红外器件应用方面具有重要的研究价值,而且在拓扑绝缘体和自旋电子学等前沿领域引起了广泛的关注.尤为重要的是,在以CdTe/PbTe为代表的Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结界面上发现了高浓度、高迁移率的二维电子气.该电子气的形成归因于Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结独特的扭转界面.进一步的研究表明,该二维电子气体系不仅对红外辐射有明显响应,而且它还表现出狄拉克费米子的性质.本文系统综述了近年来Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结二维电子气研究取得的主要进展.首先对Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体异质结扭转界面二维电子气的形成机理进行了介绍;然后讨论该二维电子气在低温强磁场下的输运性质,并分析了它的拓扑性质以及在自旋器件方面的应用前景;最后,展示了基于该二维电子气研制的中红外光电探测器.     

Ⅳ-Ⅵ族半导体材料磁场下的红外介电函数

给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性和载流子浓度在多能谷体系中的分布效应对红外介电函数的影响。 关键词：     

第一届全国Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体会议在保定举行

由中国物理学会发光分科学会委托河北大学筹办的第一届全国Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料会议于1985年9月17—19日在河北省保定市召开。参加会议的有发光分科学会理事长、学部委员徐叙瑢教授,副理事长吴伯僖教授和许少鸿教授,以及来自全国有关     

Ⅱ—Ⅵ族半导体研究概观

回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况。结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子，激子增益；（４）量子线，量子点及稀磁半导体。     

Ⅱ－Ⅵ族半导体研究概观

回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧姆接触；（３）Ⅱ－Ⅵ族外延结构中的电子、激子与增益；（４）量子线、量子点及稀磁半导体。     

用于超低损耗光纤通信化合物半导体材料──Ⅳ-Ⅵ族半导体材料

本文综述了可用于超低损耗光纤通信的２－４μｍⅣ－Ⅵ族铅盐化合物半导体材料的最新进展及作者在此方面的一些工作．     

稀释磁性半导体

稀释磁性半导体是指Ⅱ－Ⅵ族、Ⅳ－Ⅵ族、Ⅱ－Ⅴ族或Ⅲ－Ⅴ族化合物中，由磁性过渡族金属离子或稀土金属离子部分地替代非磁性阳离子所形成的新的一类半导体材料。这类材料的突出特点是磁性离子磁矩和能带电子自旋之间存在交换相互作用。由此引起材料性质发生一系列重要变化。本文系统介绍这类材料的各种物理性质，包括能带结构，ｓｐ－ｄ和ｄ－ｄ交换作用，磁性质和自旋玻璃特性，光学和磁学性质，输运特性等。最后简单介绍这类材料     

GaAs1—xPx晶体生长

最近Ⅲb—Ⅴb族化合物半导体做为注入型发光元件材料,已被广泛地应用。其中最引人注意的可见发光材料是Ga_1—xAlxAs、GaAs_1—xPx、GaP等含Ga的化合物半导体。从晶体生长方法,发光区域的形成方式以及发光特性来看,这些化合物都具有自己     

什么在强激发Ⅱ—Ⅵ族化合物中发光,双激子、杂质跃迁还是电子—空穴等离子体?

为探讨低温下强激发Ⅱ—Ⅵ族化合物中观察到的所谓M—和P—发射带的起因,使用激发光谱研究了5K下的Cds。利用非弹性散射过程、双激子、杂质跃迁以及电子——空穴等离子体(EHP)等过程,讨论了我们的以及其他作者已发表的结果。讨论表明,Ⅱ—Ⅵ族化合物中强激发的发光主要来自非弹性散射过程和低温下的杂质跃迁,而EHP和双激子衰减所导致的发光则较小。     

ZnTe(110)表面电子态及其弛豫对表面电子态的影响

给出了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物ZnTe(110)表面电子特性的理论研究.考虑最近邻的sp³s模型描述体态电子结构，使用散射理论方法，给出了理想和弛豫ZnTe(110)表面的波矢分辨的电子态密度和表面投影带结构.结果表明：弛豫的ZnTe(110)表面在带隙中没有表面态存在.在价带中的表面态及表面共振态和其他弛豫的Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半导体的(110)表面具有相似的特征.与实验结果及第一性原理的自洽赝势计算结果相比，计算的结果符合得很好. 关键词：     

Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器的新材料——ZnO量子点

介绍了研制Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器方面的一个新途径－－自组织生长ＺｎＯ量子点微晶结构、ＺｎＯ已经实现了室温下光泵激发的受激发射,它将是继Ⅱ－Ⅵ族硒化物、Ⅲ－Ⅴ经物之后的又一种半导体激光器材料。     

纳米微晶结构ZnO及其紫外激光

本文介绍了近年来研制Ⅱ Ⅵ族半导体激光器的一个新的途径———ZnO的纳米微晶结构。它分为两大类别 :即六角柱形蜂巢状结构和粉末状颗粒结构。都已在近紫外波段实现了室温下光泵激发的受激发射。它将是继Ⅱ Ⅵ族硒化物和Ⅲ Ⅴ族氮化物之后的新型半导体激光器材料。     

PbTe/PbSrTe半导体非对称量子阱中的Rashba效应

窄带隙半导体异质结构的自旋效应最近受到了国际上的很大关注.Ⅳ-Ⅵ族半导体具有各向异性和多能谷的特征,因此可以预期Rashba自旋效应在不同取向的Ⅳ-Ⅵ族半导体量子阱结构中存在显著差异.计算了多个取向的Pb_1-ySr_yTe/PbTe/Pb_1-xSr_xTe非对称量子阱中的Rashba分裂能,结果表明［100］取向的PbTe量子阱的Rashba分裂能在阱宽为5.0nm时 关键词： Ⅳ-Ⅵ族半导体 非对称量子阱 Rashba效应 自旋-轨道耦合分裂     

GaAS—ZnSe固溶体外延层的制备和性能

近年来,对半导体化合物A~ⅢB~Ⅴ—A~ⅡB~Ⅵ的固溶体表现出极大的兴趣。在这些材料中,可望将A~ⅡB~Ⅵ化合物宽禁带的特点和A~ⅢB~Ⅴ化合物易于做成p—n结的特点很好地结合起来。其中,GaAs—ZnSe固溶体是有前途的,它在固态和液态中的连续可溶性已在[1]中确定。半导体化合物GaAs和ZnSe的晶格常数相差甚微(Δα<0.3％),配合禁带宽度相差甚大(ΔE_(GaAs)=     

ZnSe0.93Te0.07-ZnSe多量子阱的光泵受激发射

宽带Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体在短波长可见光范围内优越的发光特性使其在器件的研制方面有着广阔的前景.ZnSe基量子阱和超晶格结构,尤其是ZnCdSe-ZnSe量子阱已经在器件的制备方面取得了可喜的进展,因而人们研究的比较多.     

基于Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料色散特性的高灵敏度慢光干涉仪

分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍. 关键词： 干涉仪 非线性光学 Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料     

(Ⅱ-Ⅵ)-(Ⅲ-Ⅴ)体系的可见光发光二极管

利用液相外延的方法,制备了在室温下发射可见光的发光二极管。n型衬底是ZnSe或ZnSxSe_(1-x);P型层是掺有少量Ⅲ—Ⅴ族化合物的Ⅱ—Ⅵ族化合物。电流—电压特性曲线,颜色和发射面积的几何形状表明可见发射是由于空穴注入到n型层产生的。现在还没有测量效率;目前效率比较低,但是在技术逐步改进后是可以得到改善的。     

硒化锌(ZnSe)单晶的汽相化学输运生长及性质

引言 Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体是良好的发光材料。具有禁带宽度大,发光效率高等优点。但它们的熔点高,蒸汽压高,只有在高温高压下才能熔融。一般条件下难以实现熔体生长。 我们以前用汽相化学输运法进行了ZnSe,ZnS及其固熔体的晶体生长。此法的优点是能在较低温度下(对该物质熔点而言)生长晶体;可以获得低温晶形;晶体完整性较好;生长设备简单。缺点是生长周期长。