DAC垫片孔侧壁绝缘程度对电导率测量结果的影响

通过有限元方法,计算了DAC内垫片孔侧壁与样品发生不同程度短路的情况下,范德堡法测量样品电阻率的相对误差. 发现垫片孔侧壁与样品短路面积小于20％时,相对误差可以控制在10％以内. 而当短路面积超过25％时,相对误差迅速增大. 研究中还发现,电极越靠近样品边缘,相对误差越小.     

金刚石对顶砧中触点位置误差对样品电阻率测量精度的影响

利用有限元分析方法,研究了金刚石对顶砧中电极与样品接触点位置变化对范德堡法测量样品电阻率精度的影响.结果表明:当电极中心与样品边缘的间距b≤d/9(d为样品直径)时能得到精确的电阻率测量结果;当电极位置远离样品边缘而逐渐接近样品中心时,其位置变化对电阻率测量精度的影响迅速增大;相同的电极位置变化对具有较大电阻率的半导体样品电阻率测量精度的影响更明显. 关键词： 电阻率 有限元方法 金刚石对顶砧     

二维范德瓦尔斯异质结构的制备与物性研究

二维范德瓦尔斯材料(可简称二维材料)已发展成为备受瞩目的材料大家族,而由其衍生的二维范德瓦尔斯异质结构的集成、性能及应用是现今凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一.二维范德瓦尔斯异质结构为探索丰富多彩的物理效应和新奇的物理现象,以及构建新型的自旋电子学器件提供了灵活而广阔的平台.本文从二维材料的转移技术着手,介绍二维范德瓦尔斯异质结构的构筑、性能及应用.首先,依据湿法转移和干法转移的分类,详细介绍二维范德瓦尔斯异质结构的制备技术,内容包括转移技术的通用设备、常用转移方法的具体操作步骤、三维操纵二维材料的方法、异质界面清洁.随后介绍二维范德瓦尔斯异质结构的性能和应用,重点介绍二维磁性范德瓦尔斯异质结构,并列举在二维范德瓦尔斯磁隧道结和摩尔超晶格领域的应用.因此,二维材料转移技术的发展和优化将进一步助力二维范德瓦尔斯异质结构在基础科学研究和实际应用上取得突破性的成果.     

二维范德瓦尔斯异质结构的制备与物性研究

二维范德瓦尔斯材料(可简称二维材料)已发展成为备受瞩目的材料大家族,而由其衍生的二维范德瓦尔斯异质结构的集成、性能及应用是现今凝聚态物理和材料科学领域的研究热点之一.二维范德瓦尔斯异质结构为探索丰富多彩的物理效应和新奇的物理现象,以及构建新型的自旋电子学器件提供了灵活而广阔的平台.本文从二维材料的转移技术着手,介绍二维范德瓦尔斯异质结构的构筑、性能及应用.首先,依据湿法转移和干法转移的分类,详细介绍二维范德瓦尔斯异质结构的制备技术,内容包括转移技术的通用设备、常用转移方法的具体操作步骤、三维操纵二维材料的方法、异质界面清洁.随后介绍二维范德瓦尔斯异质结构的性能和应用,重点介绍二维磁性范德瓦尔斯异质结构,并列举在二维范德瓦尔斯磁隧道结和摩尔超晶格领域的应用.因此,二维材料转移技术的发展和优化将进一步助力二维范德瓦尔斯异质结构在基础科学研究和实际应用上取得突破性的成果.     

范德堡方法在ZnO薄膜测试中的应用

近年来,随着对宽禁带半导体材料,氧化锌薄膜研究的快速发展,对其电学性质的研究也显得尤为重要。主要介绍范德堡方法在ZnO薄膜电学性质测量中的应用,并对初步测量结果作简要的讨论。     

用于测定介孔的Kelvin方程及其修正述评

介绍了物理吸附法评价介孔材料孔结构参数的理论基础、孔介质模型及吸附质对测量结果准确性的影响因素.讨论了 Kelvin 公式,以及从不同方面对 Kelvin 公式进行的修正,并以此为基础,评述采用物理吸附法测定介孔材料各种孔结构测试方法,着重探讨物理吸附法的理论基础、模型建立及其不足之处,分析和探讨介孔材料孔结构表征中存在的问题及原因,为建立新的理论模型探讨思路与可能.     

几种范德瓦耳斯铁电材料中新奇物性的研究进展

铁电材料因具有电场可调的自发极化,在各类功能器件中有着广泛的应用.受器件小型化发展趋势的影响,二维范德瓦耳斯铁电材料及其层状母体块材成为了铁电领域的重点研究对象之一.近年来,研究人员已经制备出了数种二维范德瓦耳斯铁电材料,并通过理论计算与实验结合的方法发现这些材料及其母体块材具有许多优良的、新奇的物理性质.本文主要介绍近年来几种范德瓦耳斯铁电材料的一些研究进展,包括体相范德瓦耳斯材料CuInP₂S₆的新奇物性的理论预测与实验证实,以及两类二维范德瓦耳斯铁电材料M₂X₂Y₆(M=金属, X=Si, Ge, Sn, Y=S, Se, Te), QL-M₂O₃ (M=Al, Y)及相关功能器件的理论设计,最后对范德瓦耳斯铁电材料蕴含的丰富物理内涵及其发展前景进行了简要探讨,希望能够为该领域的相关研究提供一些思路和参考.     

范德瓦尔斯气体的气压公式

将大气近似为范德瓦尔斯气体,用多方过程取代等温过程,推导出范德瓦尔斯气体处于多方过程时的气压公式,该式是对理想气体恒温气压公式的一种很好的修正.     

冲击加载下材料破坏准则的规范场理论

 本文给出了规范场理论中的Bessel-Hagen散度不变性的广义E. Noether对称定理。应用此定理及缺陷的规范场理论，研究了材料在强动外载作用下的动力学性质，给出了破坏准则的一般公式，此公式定量地反映了缺陷和外载对材料破坏的影响。作为一个例子，研究了强冲击波作用下材料的破坏情况，使一般公式具体化了，而且定量地反映了冲击波的速度、压力和缺陷对材料破坏的影响。     

基于矩孔光学傅里叶变换的匹配滤波器缩放比例标定方法研究

为了使待识别目标的傅里叶变换频谱与匹配滤波器频谱分布严格重合,提出了一种基于矩孔图像光学傅里叶变换的匹配滤波器缩放比例标定方法。针对范德卢格特型光学相关器,在分析场景空间光调制器傅里叶变换频谱分布的基础上,以矩孔图像的频谱间距作为基准标定匹配滤波器的缩放比例;并利用焦距为400mm的傅里叶透镜作为一个实例,计算出其匹配滤波器缩放比例为1.068,对标定结果进行了实验验证。结果表明,此方法适用于范德卢格特型光学相关器中匹配滤波器的缩放比例标定,能够有效提高相关峰的能量和信噪比。     

PrBa_2Cu_3O_（7－δ）膜的电阻率和热电势

在７７Ｋ到３００Ｋ的温度范围内测量了ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的电阻率和热电势．通过用变程跳跃（ＶＲＨ）和近邻跳跃（ＮＮＨ）模型的公式拟合实验数据，发现这种材料的电阻率和热电势行为可以用跳跃机制解释．     

奥氏体不锈钢低温热导率计算方法及验证

不锈钢在低温系统中应用广泛,但各种牌号的不锈钢材料在低温区间的热导率测试数据却很少。文献推荐的计算纯铁低温热导率的经验公式并不适用于不锈钢。在文献公式的基础上,提出了一种针对奥氏体不锈钢材料的低温热导率计算方法,可基于4K~20K温度区间内电阻率或热导率的单点测试数据,估算4K~300K温度区间的热导率,也可根据室温电阻率或热导率的测试数据,但计算精度比前者略低。计算方法通过了美标304、316、317、321牌号不锈钢实测数据的验证。基于该计算方法建立了奥氏体不锈钢低温热导率计算程序,估算了国产牌号1Cr18Ni9Ti不锈钢4~300K温度区间的热导率,并与文献中的测试数据进行了对比验证,相对计算误差能够满足工程设计需要。     

直边界对电阻率测量的影响及修正

针对直线四探针法中直边界对硅片电阻率测量的影响开展了实验研究。结果表明,直边界会导致硅片电阻率测量结果偏大。依据实验数据,分析得到了存在单一直边界影响时的电阻率修正公式,并验证了该公式是有效、准确的。     

单晶CeB_6发射性能及磁电阻各向异性研究

采用X射线劳厄定向法对单晶CeB_6的(110),(111),(210)和(310)晶面进行了定向.系统研究了不同晶面热发射性能及磁场对电阻率的影响规律.结果表明,当阴极温度为1873 K时(110),(111),(210)和(310)晶面最大发射电流密度分别为38.4,11.54,50.4和20.8 A/cm~2,表现出了发射性能的"各向异性".RichardsonDushman公式计算逸出功结果表明,上述晶面中(210)晶面具有最低的逸出功,为2.4 eV.从实际应用来看,该晶面有望替代商业化的钨灯丝成为新一代的场发射阴极材料.磁电阻率测量结果显示,当晶体从[001]方向旋转至[011]方向时电阻率从73μ?·cm变化至69μ?·cm,表明电阻率在磁场中沿不同方向同样具有"各向异性"的特点.     

铁磁板磁巴克豪森应力检测的解析模型

作为评估铁磁材料性能及应力状态的重要无损检测技术之一,磁巴克豪森噪声方法可实现对材料早期结构损伤及相关应力状态的定量评价,应用前景广阔.此方法能否准确评估材料内部损伤及应力状态,关键在于能否建立合理有效的检测信号与材料内部应力分布之间的关系.为此,本文以铁磁板为例,沿板厚度方向激发信号,根据磁巴克豪森信号传播过程中的强度衰减效应,建立了铁磁板表面磁巴克豪森信号与材料内部应力定量关系的解析模型.基于已有实验结果的研究证实,本文理论模型能准确反映不同检测频率下铁磁板内部均匀应力值差异对检测信号的影响.而且,对于铁磁板内存在应力分布的情形,采用本文解析模型,研究得到了板内应力分布、铁磁板厚度、磁导率和电阻率等主要参数对铁磁板表面检测信号的影响规律.本文理论模型不仅揭示了基于磁巴克豪森噪声方法的铁磁材料应力检测机理,同时也为发展磁巴克豪森无损检测技术提供了合理有效的理论依据.     

AIN/蓝宝石模板上生长的GaN研究

研究了在分子束外延制备的AIN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AIN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AIN的表面粗糙度较小时,尽管AIN模板的位错密度较高((102)面XRD ω扫描半高全宽900-1500 arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRD ω扫描半高伞宽200-300 arcsec,(102)面400-500 arcsec)和表面粗糙度(0.1-0.2 nm).TEM照片表明GaN中位错密度降低的原因是AIN中的一部分位错在AIN和GaN的界面处被终止而未能延伸至GaN中.这可能是因为Ga原子尺寸较大,具有修复晶格缺陷的作用.而当AIN的表面粗糙度较大时,Ga原子在MOVPE生长过程中的迁移受到影响.得到的GaN晶体质量非常差.此外,采用范德堡法测量的GaN电阻率为105-106Ω·cm,比蓝宝石衬底上生长的GaN高大约6个数量级,这被认为是采用AIN代替GaN低温缓冲层所致.     

方位电阻率成像仪（ARI）的三维有限元模拟

为了研究方位电阻率成像仪的定量解释方法，开发了一套能模拟方位电阻率成像仪在三维非均匀地层模拟中响应的三维有限元程序，在简化的地层模型中，将该程序与解析方法和二维有限差分方法进行了对比，结果表明此程序的误差不超过3％，在此程序得到验证后，用该程序考查了方位电阻率成在一些典型三维非均匀地层模型中的响应，结果表明此程序能为方位电阻率成像仪的定量解释提供支持。     

静电场中铷原子里德堡态反交叉位置和宽度的计算

用碱金属原子的模型势结合B-样条函数展开方法研究了静电场中铷原子里德堡态的能级结构特点,计算了铷原子主量子数n由16到25之间的(n 3)s和(n,k)态间的Stark能级反交叉位置和宽度,得到了与实验相一致的结果,并给出了计算铷原子在静电场中高里德堡态能级反交叉位置的经验公式.     

第二次全国穆斯堡尔谱学会议简讯

第二次全国穆斯堡尔谱学会议于 1983年 12月 15日至20日在广州召开,参加这次会议的有来自国内科研机关、高等院校和工厂共82个单位的代表128名·会仪交流的论文共136篇.涉及内容较广,包括综合和专题评述,仪器和实验方法,磁性材料,金属材料,催化材料,无机、有机和生物材料,矿物地质,考古和其他方面的应用.大会报告共八个,内容包括:穆斯堡尔谱学的现状和发展动态及其在非晶磁性材料、化学和生物学中的应用;穆斯堡尔谱学在高等院校教学中的作用和地位等.其它论文分组进行报告.这些论文反映了近年来我国穆斯堡尔谱学在设备和方法上的不断扩充、…     

利用核磁共振录井技术定量评价储层的分选性

储层分选性是反应储层物性、 均质程度及沉积环境好坏的重要标志. 分选系数一般是通过实验室的粒度分析（粒度分选）或压汞试验（孔喉分选）来得到,利用核磁共振评价储层孔喉分选性多是通过建立T_2g与常规分选系数之间的关系公式来得到. 在深入研究常规分选系数计算原理的基础上,结合T₂谱累积曲线对储层分选性的反应,提出了2种不依附于实验室分析、可由单个样品来定量评价储层分选性的新方法,并且取得了与其他方法较为一致的评价结果. 该项研究打破了录井不能定量评价储层分选性的局面,对于快速指导油气勘探开发具有十分重要的意义.