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Van Hove层间隧道模型下的高Tc与同位素效应 总被引:2,自引:0,他引:2
本文在层间随道模型下,考虑了VanHove机制,无须较大的随道作用,在电声机制下,就可以给出高Tc,并可以解释同位素效应反常,结果表明层间随道模型的BCS-VanHove机制是较合理的机制. 相似文献
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根据高温超导体层状结构特点和层间耦合效应,提出了一个唯象的S-N双层高 温超导模型(S表示超导层,N表示非超导层),并在Nambu空间求得高温超导态的格林函数,得到了S-N模型下高温超导体临界温度T_c随S,N层间耦合强度增加而下降的结果.在该 模型的基础上讨论了YBCO材料中Ba位替代对Tc的抑制效应,说明了高温超导体角分辨光电子能谱具有hump/dip/peak结构的特点,所得结果与实验相一致.
关键词:
层间耦合效应
替代效应
势无序
角分辨光电子能谱 相似文献
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声子是固体最重要的元激发之一,是理解材料摩尔热容、德拜温度以及热膨胀系数等热力学性质的基础,同时电声子相互作用也决定了固体的电导和超导等特性。拉曼光谱是表征固体声子物理的重要实验手段,不仅能表征材料的结构和质量,还能提供材料声子性质、电子能带结构、电声耦合等信息。文章将拉曼光谱应用于二维材料及其范德瓦尔斯异质结的声子物理研究。先简单介绍二维材料的层间振动声子模式和层内振动声子模式,其中层间振动声子模式的频率可用线性链模型来计算,而强度则可用层间键极化率模型来解释;同类层内振动声子模式的Davydov劈裂峰之间的频率差异可用范德瓦尔斯模型拟合。随后,将这些模型推广到二维范德瓦尔斯异质结中,以转角多层石墨烯、MoS_2/石墨烯和hBN/WS_2为例介绍了范德瓦尔斯异质结的声子谱,阐述如何应用线性链模型和经典键极化率模型计算层间振动模的频率和强度,并由此给出二维范德瓦尔斯异质结的界面耦合强度和各层间呼吸模的电声耦合强度等重要参数。 相似文献
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采用紧束缚能带理论,利用所提出的考虑卷曲效应的紧束缚能量哈密顿量,建立了公度双壁碳纳米管(DWNT)的能带结构模型;基于碳纳米管(CNT)发射电流与其能带结构的相关性,定量分析了公度DWNT的层间耦合作用对其场发射电流的影响.结果表明:在层间耦合作用下,DWNT的带结构中部分简并能级发生劈裂,同时使禁带宽度发生改变.前一个因素增加了电子发射的通道,后一个因素改变价带中参与发射的电子数量,导致在一定外电场下,DWNT与其外层的SWNT相比,场发射电流有一定程度的增加,且半导体性管发射电流增幅比金属性管大,在
关键词:
公度双壁碳纳米管
能带结构
层间耦合作用
卷曲效应 相似文献
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我们通过共振拉曼光谱测量了转角多层石墨烯的层间振动模式:剪切模和呼吸模。根据改进的线性模型,我们发现在转角多层石墨烯界面处的层间呼吸耦合与正常Bernal堆垛多层石墨烯的强度相当。此结果明显不同于层间剪切耦合,后者在转角多层石墨烯界面处的层间剪切耦合减弱到了正常Bernal堆垛多层石墨烯的20%。另外,我们首次发现层间呼吸耦合存在着次近邻原子层之间的相互作用,其强度为最近邻的9%。我们发现当采用与界面层间旋转角度相对应的激发光时,转角多层石墨烯的拉曼信号得到极大的增强。为此,我们引入光学跃迁允许的电子联合态密度的概念,通过理论计算,我们发现这种联合态密度的极大值决定了拉曼信号共振线型的激发光能量极值。本研究表明,层间振动模式是探测二维层状异质层间耦合的有效手段,为其在器件应用方面的研究奠定了基础。 相似文献
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等离子体浸没离子注入(PIII)是用于材料表面改性的一种廉价高效、非视线的技术.采用等离子体粒子模型,通过假设电子密度服从Boltzmann分布,求解Poisson方程和Newton方程,跟踪离子在等离子体鞘层中的运动形态及特性并进行统计分析,研究了不同上升速率和形状的6种波形上升沿对鞘层时空演化、离子注入能量和剂量的影响.结果表明,在PIII过程中,脉冲上升沿影响了等离子体鞘层的扩展,且不同波形诱导的鞘层厚度间存在最大差值.电场强度在鞘层的外边缘区域存在陡降区,离子的运动为非匀加速过程.可以通过调整脉冲
关键词:
等离子体浸没离子注入
鞘层
粒子模型
上升沿 相似文献
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提出了一种基于能量转换原理的磁致伸缩/压电层合材料低频磁电响应模型,并对不同层合结构的磁电响应特性进行了对比研究.该模型假定层合材料层间能量传递通过层间剪切力来实现,利用应力函数法分析了磁致伸缩层和压电层的应力与应变,求出了磁致伸缩层的应变能和存储磁场能以及压电层的应变能和电场能;利用Hamilton最小能量原理求出了层间剪切力的大小,获得了开路状态下层合材料的低频磁电响应模型.发现磁电电压系数与磁致伸缩材料的磁导率、泊松比、磁机耦合系数以及压电材料的泊松比、机电耦合系数等有关,并对这些参数的影响进行了分析.同时对两层和三层结构的层合材料磁电特性进行了对比研究,发现层合结构不同则获得的磁电系数公式不同,用相应的公式计算得到的误差才会最小.研究结果表明,本文的理论误差小于6.5%,与其他方法相比,本文的理论模型能更好地描述磁电层合材料的低频磁电响应特性. 相似文献
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对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变.
关键词:
Fe/Si多层膜
层间耦合
界面扩散 相似文献
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首次提出了用磁控溅射方法制备光栅常数d在10nm量级的透射式闪耀光栅的新方法的设想,并以基于层间界面全反射的透射式闪耀光栅为模型讨论了光栅的性能。 相似文献
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建立了含有δ掺杂层的SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型,并对该模型进行了数值分析.讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与δ掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系,阈值电压VT与δ掺杂层杂质浓度NA、量子阱沟道载流子面密度Ps及本征层厚度di等参数间的关系.同时还讨论了准静态时量子阱空穴面密度P′s与栅压VGS的关系.
关键词:
δ掺杂层
空穴面密度 相似文献
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双层耦合模型的BCS—Van Hove超导电性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文基于BCS-VanHove机制,考虑双层耦合模型,由此给出Tc、零温双能隙、同位素指数a的计算式,并进行了数值计算;结果表明双层模型的VanHove机制,引入了层间配对及跃迁不但可以导致高Tc,而且可以解释同位素指数a的反常,同时零温双能隙也有较大提高. 相似文献
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为研究6.6 MW高温超导变压器的高压磁体在雷电冲击过电压下的暂态电压响应,依据多导体传输线理论,建立了以单匝为一个单元的高频等效电路模型。利用有限元软件和编写程序求得分布参数,通过推导状态方程,并对状态变量求解,在时域内得到了各匝在雷电冲击全波电压和雷电冲击截波电压下的暂态响应。在三种雷电冲击波下高压磁体的绝缘满足安全运行的要求,首端匝间绝缘最为薄弱,雷电波发生截断可大幅降低绕组各匝最大对地电位、绕组末端的层间电压,其中在波前发生截断时可大幅降低磁体各匝间电压、层间电压,说明选用动作快速的避雷器至关重要。 相似文献
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根据高温超导体层状结构特点和层间耦合效应,在一个唯象的S-N双层高温超导模型(S表示超导层,N表示非超导层)下,求得了非超导层的格林函数,证实了YBCO中CuO链上大能隙的存在,与实验结果相一致。 相似文献