Sm＿2Fe＿（17－x）Mo＿xC化合物的内禀磁性和MOssbauer研究

对Ｓｍ＿２Ｆｅ＿（１７－ｘ）Ｍｏ＿ｘＣ化合物的磁性和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ效应进行了系统的研究，少量Ｍｏ对Ｆｅ的有序替代，导致化合物的居里温度稍有增加，磁晶各问异性和内禀矫顽力明显增强，并且都在Ｍｏ浓度在ｘ＝０．６附近出现峰值，Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱分析表明，化合物内禀性质的变化与Ｍｏ原子择优占居结构中的１８ｈ晶位有关。     

新一代磁体的开发

通过气相－固相反应，将间隙原子（Ｎ，Ｈ，Ｃ，Ｏ）引入４ｆ－３ｄ金属间化合物中，使后者的内禀特性发生根本改变，从而得到性能优良的新一代磁体．这是磁体开发的最新动向，Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎ３－σ的出现就是最好的例证．本文除详细介绍这方面的最新进展外，并从磁性材料发展的角度，评述了与此有关的Ｆｅ１６Ｎ２的发现，也提及气相－固相反应的运用实例──ＨＤＤ工艺．     

Bi_（2－x）Fe_xTi_4O_（11）体系的拉曼光谱研究

Ｂｉ＿（２－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｉ＿４Ｏ＿（１１）体系的拉曼光谱研究赵明旭，孟进芳（长春教育学院物理系长春１３００６１）（河南大学物理系开封４７５００１）ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｓｏｆＲａｍａｎＳｐｃｔｒａｉｎＢｉ＿（２－ｘ）Ｆｅ＿ｘＴｉ＿４Ｏ＿（１１）...     

2：17型结构Gd—Fe—Co—Ga化合物的结构与磁性

用电弧熔炼的方法制备了Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２（０≤ｘ≤１０）和Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ（０≤ｙ≤８）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是２∶１７型结构的单相化合物．Ｇｄ２（Ｆｅ１－ｘＣｏｘ）１５Ｇａ２的单胞体积Ｖ随Ｃｏ含量的增加单调下降，而居里温度ＴＣ单调上升，１５Ｋ下的饱和磁化强度Ｍｓ随Ｃｏ含量的增加开始时略有增大，在ｘ＝０２时出现极大值，然后单调下降；对Ｇｄ２（Ｆｅ０８Ｃｏ０２）１７－ｙＧａｙ的样品，随Ｇａ含量的增加单胞体积增加，居里温度和饱和磁化强度单调下降．用Ｃｏ替代Ｆｅ，或用Ｇａ替代Ｆｅ和Ｃｏ都能导致Ｆｅ或Ｃｏ次晶格出现室温单轴各向异性，这可能与Ｇａ原子的择优占位有关．     

Ba（n，x）~（134）Cs，~（134）Ba（n，2n）~（133）Ba，

用中子活化法相对于５４Ｆｅ（ｎ，Ｐ）５４Ｍｎ反应，在１３．５０—１４．８０ＭｅＶ中子能区测量了Ｂａ（ｎ，ｘ）１３４Ｃｓ，１３４Ｂａ（ｎ，２ｎ）１３３Ｂａ，１４０Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１３９Ｃｅ，１４２Ｃｅ（ｎ，２ｎ）１４１Ｃｅ和２３Ｎａ（ｎ，２ｎ）２２Ｎａ的反应截面．并将所测的结果和其他作者的结果进行了比较，中子能量是用９０Ｚｒ（ｎ，２ｎ）８９ｍ＋ｇＺｒ反应和９３Ｎｂ（ｎ，２ｎ）９２ｍＮｂ反应截面比法测定的。     

Tb2Fe17-xSix单晶磁性和窄畴壁的研究

在 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ 化合物中用 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 观察到晶格参数减小和居里温度升高．平均场理论分析指出, Ｓｉ 对 Ｆｅ 的替代使 Ｆｅ Ｆｅ 间的交换作用明显增强、 Ｔｂ Ｆｅ 间交换作用轻微地减弱．通过拟合 Ｔｂ２ Ｆｅ１７ － ｘ Ｓｉｘ（ ｘ ＝ ００ ,１０ ,２０ ,３０ ,３３） 单晶的磁化曲线,得到了化合物在不同组分和温度下的各向异性常数．在 Ｔｂ２（ Ｆｅ , Ｓｉ）１７ 单晶的磁化和退磁过程中,观察到 Ｓｉ 替代 Ｆｅ 时引起低温下的本征窄畴壁钉扎和矫顽力增强．计及三个各向异性常数的计算以及用 Ｅｇａｍｉ 热激发模型和 Ｈｃ 与 Ｔ 的经验关系,对畴壁能和畴壁厚度的计算都证明了 Ｓｉ 的替代导致了窄畴壁的存在,分析了它们随成分和温度变化的规律．     

非晶态（Fe＿（1－x）Co＿x）＿（77．5）Nd＿4B＿（18．5）合金的电阻率的压力系数和压力弛豫研究

在０．０００１－２．４ＧＰａ流体静压力范围详细研究了非晶（Ｆｅ＿ｘＣｏ＿ｘ）＿（７７．５）Ｎｄ＿４Ｂ＿（１８．５）（０≤ｘ≤１．０）合金的电阻率与压力的关系，得到该非晶合金电阻率的压力系数随组分ｘ变化的规律。结果表明：用少量的钴（ｘ＝０．２）替代铁，不会影响其硬磁性和热稳定性，同时却可减小电阻率的压力系数，从而增强电磁性能在压力下的稳定性。此外还观测到在０．５１ＧＰａ保压３－２４ｂ的结构弛豫，进一步求出该非晶台金电阻率的压力弛豫时间对组分ｘ的依赖关系。     

Sm2(Fe,M)17C1.5(M=Ga,Si)化合物的形成和磁性

用电弧炉熔炼方法制备了Ｓｍ₂Ｆｅ_17-xＭ_xＣ_1.5（Ｍ＝Ｇａ，Ｓｉ）化合物，研究了它们的形成、结构与磁性。实验结果表明，用Ｇａ替代Ｆｅ，当２≤ｘ≤６时，可形成Ｔｈ₂Ｚｎ₁₇型单相化合物，而Ｓｉ的替代仅在ｘ＝２时为单相结构。居里温度随Ｇａ含量的增加从ｘ＝２时的６３３Ｋ下降到ｘ＝６时的３５１Ｋ，Ｓｍ₂Ｆｅ₁₅Ｓｉ₂关键词：     

铁酸盐的水热氧化晶化法制备及其生成条件研究

研究了空气氧化Ｍ＾２＋（Ｍ＝Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）和Ｆｅ＾２＋的碱性悬浮液制备铁酸盐ＭＦｅ２Ｏ４的条件，考察了原料配比、ｐＨ值、氧化温度、氧化时间对生成ＭＦｅ２Ｏ４的影响。利用ＸＲＤ及ＳＥＭ检测氧化过程中沉淀物的形态和结构表明，在３４３￣３５８Ｋ和Ｒ＝２ＯＨ＾－／（Ｍ＾２＋Ｆｅ＾２＋）＝１．０、Ｍ＾２／Ｆｅ＾２＋＝０．５（摩尔比）下用３００ｍＬ／ｈ的空气氧化Ｍｘ／３Ｆｅ１－ｘ／３（ＯＨ）２悬浮液     

1.55μmSi_(1-x)Ge_x光波导与Si_(1-x)Ge_x/Si多量子阱探测器集成的优化设计

对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱（ＭＱＷ）红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽、高和腐蚀深度分别为８、３和２．６μｍ；２）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱红外探测器，Ｇｅ含量ｘ＝０．５，探测器由厚度为５５０ｎｍ、２３个周期的６ｎｍＳｉ０．５Ｇｅ０．５＋１７ｎｍＳｉ组成，长度约２ｍｍ。结果表明，这种结构器件的内量子效率可达８８％。     

Ge＿xSi＿（1－x）合金中的键长及其对电子能带结构的影响

采用经验紧束缚理论，以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金，根据总能最小原则计算了Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长及点阵常数．同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构，并与虚晶近似下的计算结果进行了比较．计算结果表明，Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长基本上与合金组分无关，各自接近于Ｇｅ，Ｓｉ晶体中的键长，与广延ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ）测量结果符合得很好．原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小，对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序．     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。     

含MoFe3S4单元的μ2—OR或μ2—SR桥联双类立方烷簇合物的红？…

对下列含ＭｏＦｅ３Ｓ４单元的μ２－ＯＲ或μ２－ＳＲ桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究：（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８Ｃｌ６（ＯＭｅ）３」（１）,（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）６（ＯＭｅ）３」（２）,（Ｂｕ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）６（ＯＭｅ）３」（３）（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＢｕ＾ｔ）６（ＯＭｅ０３」（４）ｍ,（Ｅｔ４Ｎ）３「Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８（ＳＰｈ）９」     

Nd1-xSrxMnO3阴极材料的制备及性能研究

用溶胶－凝胶法制备了单相性、均匀性好的Ｎｄ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３（ｘ＝０．１,０．２,０．３,０．４,０．５）微粉系列样品。通过Ｘ射线衍射分析表明,当０≤ｘ≤０．５时样品具有畸变的正交钙钛矿（ＣｄＦｅＯ３型）结构。考察样品的烧结特性和高温电导率随掺锶量的变化规律,发现ｘ＝０．２时样品的导电性能最好。对用微粉制备的膜电极过电位进行测试表明,Ｎｄ０．８Ｓｒ０．２ＭｎＯ３有极过电位低于Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３阴极过电位。     

0．53μm激光产生的超热电子的实验观测

介绍了在“神光”Ｉ号装置上利用波长０．５３ｐμｍ、脉宽τ约７５０ｐｓ、能量６０～２３０Ｊ激光（靶面激光强度１×１０￣（１３）～５×１０￣（１５）Ｗ／ｃｍ￣２）照射Ａｕ盘靶和Ａｕ拄黑腔靶产生超热电子的实验观测结果与分析。实验测量１０ｋｅＶ以上硬Ｘ光谱和通量表明：采用倍频激光可以使超热电子能量明显比基频光小一个量级左右，超热电子温度Ｔ＿ｈ、热电子温度Ｔ＿ｅ均降低一半左右，受激Ｒａｍａｎ散射光能量Ｅ＿（ＳＲＳ）减少二个多量级。在我们的实验条件下，Ａｕ盘靶（等离子体定标尺度Ｌ≤１００μｍ）产生超热电子的主要机制可能是双等离子体衰变和共振吸收，此外还有受激Ｒａｍａｎ散射（ｎ≈ｎ＿ｃ／４），１００μｍ＜Ｌ≤２４０μｍ超热电子产生的主要机制是ＴＰＤ，此外还有ＳＲＳ（ｎ≈ｎ＿ｃ／４）；黑腔靶（Ｌ≥３００μｍ）超热电子产生的主要机制是ＳＲＳ（ｎ＜ｎ＿ｃ／４）。     

宽频带KrF激光在SF_6介质中的SBS实验研究

宽频带ＫｒＦ激光泵浦高纯度高气压ＳＦ＿６气体产生了受激布里渊背向散射（ＳＢＳ）。实验研究了ＳＢＳ的强度和反射率随泵浦光强和ＳＦ＿６介质密度的变化，测得在ＳＦ＿６气压为１ＭＰａ时，泵浦光能量为１２０ｍＪ，ＳＢＳ光最大能量为１３ｍＪ，反射率为１０％，产生ＳＢＳ的泵浦光阈值１．１８×１０￣４ＭＷ／ｃｍ￣２。实验验证了ＳＢＳ光与泵浦光相位共轭特性，近场均匀性有很大改善，远场光束质量有一定改善，在泵浦光能量１３３ｍＪ，脉宽２５ｎｓ时，得到了脉宽６．８ｎｓ的ＳＢＳ光输出。脉宽压缩比为４。     

R_2Fe_17稀土三元碳化物的磁学与结晶学性质

Ｒ＿２Ｆｅ＿１７稀土三元碳化物的磁学与结晶学性质钟夏平Ｒ．Ｊ．Ｒａｄｗａｎｓｋｉ、Ｆ．Ｒ．ｄｅＢｏｅｒ、Ｔ．Ｈ．Ｊａｃｏｂｓ、Ｋ．Ｈ．Ｊ．Ｂｕｓｃｈｏｗ（荷兰阿姆斯特丹大学物理实验室）（荷兰菲利浦研究实验室）本刊编者按本文原作发表于荷兰《磁学与磁性材...     

气固界面氧化学吸附物种的动态研究

用自编的傅里叶变换红外（ＦＴ－ＩＲ）动态谱批处理程序，在２０－６５０℃对Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，ｃＲ，Ｍｏ，Ｗ，ＭＮ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ和Ｓｎ等一系列金属氧化物上的氧化学吸附物种进行了原位动态三维谱学研究，就所观测到的超氧（Ｏ＾－２）和过氧（Ｏ＾２－２）物种随温度的变化情况以及甲烷氧化偶联催化反应中的活性氧物种进行了讨论。     

Fe（Ⅲ）、Al（Ⅲ）、Ni（Ⅱ）非有机溶剂液－液萃取行为的研究

本文研究了ＰＥＧ（聚乙二醇）－２０００－钍试剂－（ＮＨ＿４）＿２ＳＯ＿４体系对Ｆｅ（Ⅲ）、Ａｌ（Ⅲ）、Ｎｉ（Ⅱ）的非有机溶剂萃取行为。指出在ｐＨ为３．５－６．５（ＮａＡｃ－ＨＡｃ）的水溶液中，有（ＮＨ＿４）＿２ＳＯ＿４存在下，Ｆｅ（Ⅲ）、Ａｌ（Ⅲ）可被ＰＥＧ－２０００相几乎完全萃取，而Ｎｉ（Ⅱ）则基本上不被萃取。从而获得了Ｎｉ（Ⅱ）与Ｆｅ（Ⅲ）、Ａｌ（Ⅲ）混合离子的定量分离。     

CdS_xSe_（1－x）半导体微晶掺杂玻璃在抗共振环APM激光器中不能压窄脉

本文对具有较大非线性系数，较快非线性响应和回复时间的ＣｄＳ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）半导体微晶掺杂玻璃能否在挽共振环（亦称为非谐振环）ＡＰＭ激光器中有效地压缩脉宽等问题做了详尽的理论与实验的切耐与分析。理论计算与实验研究的结果均表明：在抗共振环ＡＰＭ激光器中，应用ＣｄＳ＿ｘＳｅ＿（１－ｘ）半导体微晶掺杂玻璃不能使超短光脉冲宽度被压窄．