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| Ge＿xSi＿（1－x）合金中的键长及其对电子能带结构的影响 | |
| 引用本文： | 徐至中.Ge＿xSi＿（1－x）合金中的键长及其对电子能带结构的影响[J].物理学报,1994(7). |
| 作者姓名： | 徐至中 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理实验室 |
| 摘 要： | 采用经验紧束缚理论，以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金，根据总能最小原则计算了Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长及点阵常数．同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构，并与虚晶近似下的计算结果进行了比较．计算结果表明，Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）合金中的键长基本上与合金组分无关，各自接近于Ｇｅ，Ｓｉ晶体中的键长，与广延ｘ射线吸收精细结构（ＥＸＡＦＳ）测量结果符合得很好．原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小，对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序． |
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