模板法合成高度取向碳纳米管有序阵列膜的场电子发射特性

用多孔阳极氧化铝(AAO)模板, 进行化学气相沉积(CVD), 成功制备出一种大面积高度取向、分立有序的由表面碳膜固定保持的碳纳米管阵列膜. 直接将它作为场电子发射体,发现它同样具有良好的场电子发射特性. 初步研究结果表明, 这种由碳纳米管自组装形成的有序阵列膜开启电场为2～4 V/μm,最大发射电流可达12 mA/cm²; 在发射电流密度j≤1 mA/cm²时, 可稳定发射, 有很长的耐久性; 实验结果的拟合曲线符合Fowler Nordheim模型,场发射增强因子为1 100～7 500. 这种原料来源丰富、制备方法简便、成本低的场电子发射材料, 对平板显示技术有良好的应用前景.     

Tl-1223超导体及其复Ag带

研究了用部分熔化法制备T1-1223超导体的工艺,样品的名义组成为(Tl_0.5Pb_0.5)(Sr_0.8Ba_0.2)₂Ca₂Cu₃O_y,调整样品中Ba的含量,出现了织构的迹象,经烧结一部分熔化—退火的样品,其磁化电流在77K和1T下大于2×10⁴A/cm²,用这样的样品作原料所制备的Tl-1223复Ag带短样,在77K和0T下,J_c达2.1×10⁴A/cm²,超导带横断面的SEM显微观察表明,在1223相中夹杂了BaPbO₃和Sr-Ca-Cu-O相.     

用于无屏蔽环境生物磁测量的倒装片式高温超导梯度计 *

采用φ50.8m (即2 in)YBCO*/YBCO/CeO₂ /YSZ/Si多层膜制成的磁通变换器与SrTiO₃ 双晶上制备的尺寸为10mm×5mm平面式DC-SQUID梯度计构成一个倒装片梯度计 .磁通变换器与平面梯度计之间的耦合系数为0.18.磁通变换器有效地提高了梯度计的磁场梯度分辨率.倒装片式梯度计在白噪声区的磁场梯度分辨率为73fT·cm^-1·Hz^{-1/ 2} ,在1Hz下 ,磁场梯度分辨率为596fT·cm^-1·Hz^{-1/ 2} .在无屏蔽条件下 ,采用该梯度计成功地测得了高质量心磁图 .     

在立方织构的Ni基带上沉积掺Ag的YBCO超导薄膜

用脉冲激光沉积法在立方织构的Ni基片上成功地外延了YBCO超导薄膜 ,其临界电流密度高达 1 .1 5MA cm² .X射线衍射分析结果表明Ni CeO₂ YSZ YBCO多层结构都是c轴取向 ,CeO₂ 和YSZ缓冲层能有效地改进薄膜织构 ;扫描电子显微镜结果表明Ni CeO₂ YSZ YBCO结构所有生长层面存在类似层状的形貌 ,而薄的一层Ag膜能有效地填充各个生长阶段由于高温下热膨胀系数不匹配形成的微裂缝 ,其结果是改进了薄膜微观结构 ,提高了临界电流密度 .     

中子辐照硅中一个新的EPR缺陷及氢对它的影响

在中子辐照区熔硅中,观测到一个具有C_2v对称性、有效自旋为1的新的顺磁性缺陷,按惯例称为Si-PK3,其g和D的主值为g₁=2.0048,g₂=2.0118,g₃=2.0085;D₃=35.9×10^-4cm^-1,D₂=-17.1×10^-4cm^-1,D₃=-18.8×10^-4cm^-1.可能的微观结构是沿〈110〉晶向、在中间空位上俘获一个氧原子的平面三空位链.氢的存在可使它的退火消失温度由500℃降为350℃左右.     

Gd-Fe-Ti三元系室温截面图和晶体结构

本文用X射线衍射方法研究了Gd-Fe-Ti三元系室温截面图.Gd-Fe-Ti三元系有二个三元化合物,即GdFe₁₁Ti和GdFe₉Ti₂。GdFe₁₁Ti的空间群为 I4/mmm,Z=2,属 ThMn₁₂型结构,其点阵常数 a=0.8522nm,c=0.4790nm,c/a=0.562;其计算密度为7.82g/cm³,实测密度为7.84g/cm³.Curie温度为349℃.GdFe₉Ti₂的空间群为P4/mbm,Z=2,属Ce(Mn_0.55Ni_0.45)₁₁型结构,其点阵常数a=0.8245nm,c=0.4832nm,c/a=0.586;其计算密度为7.64g/cm³,实测密度为7.6g/cm³.     

YBa2Cu3Ox超导体的光谱研究

能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa₂Cu₂O_x高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu⁺发光中心,是跃迁过程¹A_1g(3d¹⁰)-¹E_g和~3E_g(3d⁹4s¹)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu²⁺发光中心,是由于自由离子光谱项²D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu³⁺发光中心,其481cm^-1和551cm^-1声子对说明了312cm^-1处声子对与电子系统是强耦合。     

小角X射线散射技术研究非晶合金回火过程中结晶-非晶两相系统比内表面

本文应用小角X射线散射技术(SAXS),结合广角X射线衍射(WAXD)确定了Cu₇₃Sn₆Ni₆P₁₅非晶合金经过473K回火后形成的结晶-非晶两相系统的比内表面.结果表明这个非晶合金在473K回火过程中,当回火时间从5min增加到4h时,两相系统比内表面从144m²/cm³减少到96m²/cm³.本文确定出的两相系统比内表面的误差约为7％.     

关于算子─（▽—ia）2＋Ⅴ的性质（Ⅰ）

In this paper,we consider Schrodinger forms (operators) with singular magnetic vectorpotentials ─(▽—ia）²+Ⅴ. We prove that when the negative part V_{_} of electric potentialV satisfies(?) in dependentof V and a=(a₁,a₂,…,a_N)∈L_loc²(R^N)^N, ─(▽—ia）²+Ⅴ has essential self-adjointextension F and it is the only self-adjoint realization of ─(▽—ia）²+Ⅴ. Moreover,We consider the continuity of (a,V) respect to a and V in the sense of strong resolvent.     

GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光学性质研究

采用单光束的Z扫描技术研究了GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光吸收和非线性光折射特性,获得了增强的三阶光学非线性响应.实验测得的非线性折射率系数为 10^-3esu和非线性光吸收系数为10^-1cm/W量级.研究了产生饱和吸收时的光跃迁选择定则,观察到了饱和吸收现象和双激子态的双光子吸收现象,实现其饱和吸收和双光子吸收所需的辐射光强小于10⁴w/cm²结果表明:增强主要起源于量子限域效应,在强限域条件下,库仑作用效应被更强的限域作用所掩盖.GaAs颗粒表现出类似于二能级系统的光学非线性响应特征.     

Nd-Fe-B(B≤50at.％)三元系相图的研究

本文用X射线衍射、热学分析、磁性测量等手段研究了Nd-Fe-B(B≤50at.％)三元系相图,主要结果如下:1.重新测定了Nd-Fe二元系相图,确证NdFe₂相是不存在的。2.测定了Nd-Fe-B(B≤50at.％)三元系室温横截面。在该三元系中存在三个化合物:Nd₂Fe₁₄B,Nd₈Fe₂₇B₂₄,Nd₂FeB₃。 指出:在未经退火的Nd-Fe-B三元母合金中,存在有过冷液相(非晶)的可能性。实用Nd-Fe-B新型永磁合金,由三相构成,主相为Nd₂Fe₁₄B,次相为Nd和Nd₈Fe₂₇B₂₄。3.测定了Fe₉₄B₆-Nd₁₂Fe₈₂B₆-Nd_33.5Fe_60.5B₆和Nd₂Fe₁₇-Nd₂Fe₁₄B-Nd₈Fe₂₇B₂₄纵截面。指出:在制备Nd-Fe-B三元永磁合金时,最高烧结温度不得高于1100℃,而后热处理的温度在600℃左右为宜。4.研究了Nd₂Fe₁₄B,Nd₈Fe₂₇B₂₄的结构和Nd₂Fe₁₄B的单相区。Nd₂Fe₁₄B为四方晶系,a=8.800,c=12.190,z=4,空间群为P4₂/mnm,X射线密度D_X=7.60g/cm³,测量密度D_O=7.50g/cm³。在测量精度范围内,观测不到Nd₂Fe₁₄B有单相区存在。Nd₈Fe₂₇B₂₄为四方晶系,a=7.12,c=27.40,z=2,D_X=7.01g/cm³,D_O=7.00g/cm³,可能的空间群为P4₂/n。5.在实验的基础上,讨论了Nd₂Fe₁₄B的热稳定性,并对制备Nd-Fe-B永磁合金的粉末冶金工艺提供了解释。     

光折变材料KNSBN:Cu

本文系统报道了KNSBN:Cu晶体的生长和光折变性能,分析了铜离子影响光折变性能的机制。研究表明:由于铜离子在能隙中形成深能级,电子迁移率下降;同时,光折变有效电荷复合中心浓度增加,两波耦合增益系数增大到纯KNSBN晶体的两倍,光折变灵敏度达 10^-3cm²/J的数量级,而光折变性能受直流电场的影响减弱.KNSBSN:Cu晶体的自泵浦位相共轭反射率达65%,响应时间小于8s。     

高能离子注入硅形成导电埋层的光学表征

将能量为1.5MeV,剂量分别为1.5×10¹⁵cm^-2和7.5×10¹⁵cm^-2的磷离子注入<100>硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层,在500—4000cm^-1波数范围的红外反射谱中,观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象,在分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应光学响应的特征基础上,通过计算机模拟红外反射谱,建立了深导电埋层的光学表征方法,应用这种表征方法,获得了导电埋层中的载流子分布、迁移率和高能注入离子的电激活率,模拟计算结果表明红外反射谱对载流子分布形状和模型中参量是敏感的,模拟计算的准确程度是高的,进行了模拟计算的结果与实验结果的比较。     

YBCO中微结构对Jc的影响及机制

本文揭示了YBa₂Cu₃O_7-x超导陶瓷材料中微结构特征参量与临界电流密度(J_c)以及Cu-O面行为之间的关系.实验用3个样品的T_c均为90K,但他们的J_c分别为30,300和2000A/cm².结果表明,l/w≥3晶粒数,含畴晶粒数和平直晶界数这3个微结构特征参量,在YBCO超导材料中起着重要作用.研究结果还表明,这些微结构特征参量与结构中二维Cu-O面的行为密切相关,并且也是解释微结构影响J_c原因的关键.     

激光晶体MgF2:Co2+的MS-Xα计算——Ⅱ.激光晶体的Xα研究

本文报道了具有D_2h格位对称性的过渡金属络离子(CoF₆)^4-的自旋非限制MS-X_α计算结果。给出了单电子本征值和本征函数。讨论了激光晶体MgF₂:Co²⁺的电子结构。用Slater过渡态方法计算了晶场分裂参数10D_q及电荷转移跃迁能量,结果与光谱及XPS实验值符合得很好,并且优于组态相互作用从头计算结果。由Case-Karplus电荷分配法得到了Co²⁺的自旋-轨道耦合常数λ。最后对两种调谐激光晶体MgF₂:Co²⁺和MgF₂:Ni²⁺的电子结构进行了比较。     

饱和标准电池电动势-温度系数的精确测定

通过精确测试,本文提出了一个在0—40℃范围内适用的饱和标准电池电动势-温度公式. E_t=E₂₀-[39.94(t-20)+ 0.929(t-20)² -0.0090(t-20)³+0.00006(t-20)⁴]×10^-6伏.由于试验电池比国外同类的试验电池多。得到的α值的极差小,所以准确度比国外得到的系数要高.     

含有陡峭势阱和凹凸非线性项的Kirchhoff型问题的多重正解*

在这篇文章中, 作者研究涉及凹凸非线性项的Kirchhoff型问题-(a + b ∫R3|▽u|²dx) Δu + λV (x)u = μf(x)|u|^q?2u + |u|^p?2u, x ∈ R³,u ∈ H¹(R³),其中a,b > 0 是常数, λ, μ > 0 是参数, 1 < q < 2, 4 < p < 6 且 V 是一个非负连续位势. 在f(x) 和 V 的合适条件下,此问题正解的存在性和集中性能够通过Nehari 流形和Ekeland 变分原理得到.     

氖的高离化态离子激发光谱和能级寿命测量

采用束箔技术研究47MeV能量的氖离子和不同材料、不同厚度的C箔(39μg/cm²)和Al箔(3.4mg/cm²)相互作用,产生高离化态的类H(Ne X)、类He(Ne Ⅸ)、类Li(Ne　Ⅷ)、类Be(Ne　Ⅶ)等少电子离子,并测量了这些离子的激发光谱和能级寿命.     

FeI和CuI中性激发谱的研究

利用束箔技术研究能量为110keV的Fe⁺和Cu⁺离子分别与厚度为8.5μg/cm²的碳箔相互作用激发放出的光,这些光经鉴定主要来自中性原子Fel和Cul的激发,测量顺着箔后的光衰变曲线,得到7条Fel和3条CuI的能级寿命,在箔的制备、束流密度的调节等方面做了一系列工作,故在低能重离子轰击下,使箔的使用寿命延长到30min以上。     

含氢硅单晶2210cm-1IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺

本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^-1IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_2d对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的T_d稳态和D_2d亚稳态及高于200K的D_2d稳态和T_d亚稳态。对称性破缺机制所给出的结果不仅在定性上,而且在定量上都能与实验相符,这证明V+4H是2210cm^-1IR峰对应的缺陷中心具有较高的可信度。