高能离子注入硅形成导电埋层的光学表征

将能量为1.5MeV,剂量分别为1.5×10¹⁵cm^-2和7.5×10¹⁵cm^-2的磷离子注入<100>硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层,在500—4000cm^-1波数范围的红外反射谱中,观测到由自由载流子等离子体效应所致的干涉现象,在分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应光学响应的特征基础上,通过计算机模拟红外反射谱,建立了深导电埋层的光学表征方法,应用这种表征方法,获得了导电埋层中的载流子分布、迁移率和高能注入离子的电激活率,模拟计算结果表明红外反射谱对载流子分布形状和模型中参量是敏感的,模拟计算的准确程度是高的,进行了模拟计算的结果与实验结果的比较。     

离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究

本文中研究了O⁺(200keV,1.8×10¹⁸/cm²)和N⁺(190keV,1.8×10¹⁸/cm²)注入Si形成SOI(Silicon on Insulator)结构的界面及埋层的化学组成。俄歇能谱的测量和研究结果表明:注O⁺的SOI结构在经1300℃,5h退火后,其表层Si和氧化硅埋层的界面存在一个不饱和氧化硅状态,氧化硅埋层是由SiO₂相和这不饱和氧化硅态组成,而且氧化硅埋层和体硅界面不同于表层Si和氧化硅埋层界面;注N⁺的SOI结构在经1200℃,2h退火后,其氮化硅埋层中存在一个富N的疏松夹层,表层Si和氮化硅埋层界面与氮化硅埋层和体硅界面性质亦不同。这些结果与红外吸收和透射电子显微镜及离子背散射谱的分析结果相一致。还对两种SOI结构界面与埋层的不同特征的原因进行了分析讨论。 关键词：     

An analytical model for coplanar waveguide on silicon-on-insulator substrate with conformal mapping technique

In this paper, the authors present an analytical model for coplanar waveguide on silicon-on-insulator substrate. The four-element topological network and the conformal mapping technique are used to analyse the capacitance and the conductance of the sandwich substrate. The validity of the model is verified by the full-wave method and the experimental data. It is found that the inductance, the resistance, the capacitance and the conductance from the analytical model show they are in good agreement with the corresponding values extracted from experimental S-parameter until 10 GHz.     

SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究

本文研究了利用大剂量的N⁺和O⁺注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法.