激光分子束外延氧化物薄膜机理研究

实验结果表明外延结构复杂的氧化物薄膜,基片温度在600～650℃条件下,其表面原胞层的扩散时间是几十秒到上百秒.根据此特点,采用单原胞间歇式外延,用激光分子束外延制备原子尺度控制的高质量氧化物薄膜和超晶格材料.     

低温分子束外延生长GaAs单晶的材料特性

对低温分子束外延生长的GaAs单晶进行了理论分析和实验研究,结果表明,低温分子束外延生长的GaAs单晶中含有密度大约为10²⁰cm^-3的过量As原子,这些As原子主要以间隙原子对As_2i的形式位于正常的As格点位置,使LTMBEGaAs单晶的晶格常数相对于SI-GaAs单晶衬底增加约为0.1％.高于300℃的退火即可使间隙原子对As_2i离解,使过量的As原子形成沉淀.随着退火温度的增加,As沉淀向外延层界面处集中.在外延层界面处As沉淀团与GaAs单晶形成的载流子耗尽区相互重叠,呈现出高阻特性,有效地抑制了FET的背栅和侧栅效应.     

气相外延生长单晶金刚石薄膜

本文用氢气、丙酮做为气体源,通过微波增强的化学气相沉积方法,在人造金刚石的<100>,<111>及<110>晶面上实现了气相外延生长。通过扫描电子显微分析,观察到了外延生长台及螺旋线,并用显微激光Raman光谱法分析证明,生长层中不合非金刚石成分。反射电子衍射分析结果表明,在金刚石<100>,<110>面上的生长层为单晶生长层。从实验结果中还发现,外延生长温度与晶面原子密度密切相关。     

因素空间反馈外延包络及其改善

研究了因素空间中概念外延的两种近似方法,即反馈外延外包络和反馈外延内包络。首先从概念及其对立概念出发定义了这两种外延近似,讨论了其与粗糙集的上、下近似的关系,得出它们之间具有一致性的结论,并以此给出了两种包络之间的相关性质。随后,讨论了反馈外延包络对概念外延逼近精度问题,给出了四种改善方法。     

BaTiO3铁电薄膜的原子层水平外延生长

利用激光分子束外延镀膜设备,实现了原子层水平BaTiO₃(BTO)薄膜的外延生长.高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜和透射电子显微镜(TEM)等研究结果表明,薄膜的结构为c-取向单相BTO铁电薄膜,表面非常平整。在此基础上制备了铁电/超导多层异质结构.研究了BTO薄膜的铁电性质。结果表明用激光分子束外延方法有利于改进BTO薄膜的质量,提高薄膜器件的性能。     

基于形式概念的粗糙近似

证明了对象(属性)概念的外延(内涵)是构成概念外延(内涵)的基本单位,由此提供了通过外延(内涵)基本元来构造形式概念的方法.定义了几种基于外延基本元和内涵基本元的上、下近似,给出了近似算子的性质,并讨论了这些近似算子之间的相互关系.     

基于因素空间理论的犹豫模糊群决策

为了更充分的利用数据信息, 本文提出了以犹豫模糊集作为概念的反馈外延.进而给出了考虑犹豫度的犹豫模糊集间的关系与运算; 基于此运算, 定义了模糊概念的外延包络, 并利用包络来集结多因素的偏好信息, 最后给出群决策步骤, 并通过实例对上述理论方法进行了应用。     

概念格的粗糙近似比较研究

形式背景产生了概念格,每个节点由外延和内涵组成.对形式背景论域中的任何一个子集,可用外延来近似,在这方面已有了4种方法.对这些方法进行了比较研究,利用粗糙集理论证明了用这些方法所求出的概念的上近似外延是相同的,并利用粗糙集理论研究了概念格属性约简后,原来方法对结果的一致性.     

基于极小扩展原理的表现外延及其性质

讨论因素空间理论中基于极小扩展原理的概念表现外延,给出了表现外延的投影与柱体扩张的性质.     

高等教育系统的办学效益分析与评价

在研究高等教育系统内部机理的基础上,揭示了系统的物理力学性质,建立了外延扩大、内涵挖潜而提高培养力与高等教育系统办学效益的数学模型.利用模型对系统的办学效益进行分析和评价指标体系的建立作了探索.     

La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其电性能的研究

系统研究了在LaAlO3,SrTiO3和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长和电输运特性,测定了薄膜的电阻-温度关系.研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征;在LaAlO3衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理.     

基于因素空间理论的直觉模糊概念外延构建及其在决策中的应用

在因素空间理论基础上，提出直觉模糊概念，从原概念及其对立概念的表现外延出发，构造了直觉模糊概念外延的两种逼近，并在此基础上提出了基于反馈外延双层包络的DFE决策方法，最后，给出操作步骤并通过实例对上述理论方法进行了应用。     

关于数学建模课程的一些思考

数学建模课程的教学目标是培养学生应用数学解决实际问题的能力.根据多年的教学实践经验,本文探讨如何在教学过程中注重数学思想方法的传授和能力的培养.对目前教学过程中存在的一些问题进行了剖析.介绍了我们在课程的课外延拓方面所做的一些工作.     

不完整信息下的犹豫模糊群决策北大核心

为了更充分的利用数据信息,本文提出了以犹豫模糊集作为概念的反馈外延。进而给出了考虑犹豫度的犹豫模糊集间的关系与运算;基于此运算,定义了模糊概念的外延包络,并利用包络来集结多因素的偏好信息,为了给出不完整信息下的犹豫模糊群决策方法,本文还提出了一种缺失信息的填补方法,最后给出群决策步骤,并通过实例对上述理论方法进行了应用。     

因素空间与概念内涵的表示

本文综合应用因素空间、信息系统和重于关系的方法,讨论了概念的内涵表示及其他有关问题。特别是,对在描述概念问题中不同于内涵和外延的第三种方法,即典型示范表示做了进一步的分析。     

La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其电性能的研究 *

系统研究了在LaAlO₃ ,SrTiO₃ 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La_0.5Sr_0.5CoO₃薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻 温度关系 .研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性 ,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征 ;在LaAlO3 衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能 ;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理 .     

外延生长YBa2Cu3O7-x超导薄膜的TEM和SEM研究

本文利用高分辨率透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对高J_c外延生长YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜的微观结构进行了观察分析.研究发现,薄膜外延程度的好坏与生长工艺和衬底表面的完整性有直接的关系.实验结果表明(100)SrTiO₃单晶衬底上外延生长YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜中影响临界电流密度J_c的因素主要有界面过渡区、缺陷和不同的外延取代等.     

BaTiO3/SrTiO3超晶格的二次谐波产生研究

用激光分子束外延技术生长了BaTiO3 /SrTiO3 超晶格并首次对之采用二次谐波产生的方法进行了研究 .实验表明其结构为类似BaTiO3 的四方相结构 .实验得到的材料的有效倍频系数远大于BaTiO3 薄膜 ,也大于BaTiO3 体材料的值 .这表明这种人为控制的BaTiO3 /SrTiO3 超晶格结构具有较大的非线性光学的应用前景 .     

金刚石膜压阻效应的理论研究

在Fuchs-Sondheimer薄膜理论（F-S理论）和修正的价带分裂模型的基础上,考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,利用并联电阻模型从理论上研究了p-型异质外延金刚石膜的压阻效应,给出了压阻效应的计算表达式. 从理论上得到了和实验一致的压阻效应的主要特性. 提出了应力作用下分裂带间距变化的模型,对大应力时饱和压阻的理论和实验误差给出了合理解释.     

GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制

采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因. 发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiN_x掩模层弯曲. 采用选择性腐蚀逐渐去掉SiN_x掩模层, 发现XRD中GaN(0002)w扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息. 该衍射信息起初为一个很宽的峰, 随着选择性腐蚀的进行, 会先分裂为两个峰, 最后当SiN_x掩模层全部腐蚀掉后, 其中一个衍射峰会消失, 而只剩下一个很窄的峰. 作者证实造成横向外延GaN 中晶面倾斜的原因有两个: 一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变; 另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.