共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
GaN以其宽禁带、高电子迁移率、高击穿场强等特点在高频大功率电子器件领域有着巨大的应用前景.大功率GaN电子器件在工作时存在明显的自热效应,产生大量焦耳热,散热问题已成为制约其发展的瓶颈.而GaN与衬底间的界面热导是影响GaN电子器件热管理全链条上的关键环节.本文首先讨论各种GaN界面缺陷及其对界面热导的影响;然后介绍常见的界面热导研究方法,包括理论分析和实验测量;接着结合具体案例介绍近些年发展的GaN界面热导优化方法,包括常见的化学键结合界面类型及范德瓦耳斯键结合的弱耦合界面;最后总结全文,为GaN器件结构设计提供有价值参考. 相似文献
2.
激光热烧蚀问题的数值模拟与相变界面的跟踪计算方法 总被引:3,自引:1,他引:2
我们提出了一种跟踪活动相变界面的计算方法,以模拟激光-靶相互作用下物质的相变过程,方法的基本思想是:在远离相变界面的区域采用von-Neumann计算格式,在相变界面的附的利用连接条件与流体力学方程的双曲线特性建立特定的差分格式,利用一系列的计算公式和复杂的逻辑处理,把这些差分格式联系在一起形成一套完整的计算方法。 相似文献
3.
4.
5.
8.
9.
论文主要从微观角度研究摩擦热产生的机理及摩擦热对摩擦性能的影响. 依据固体物理学中原子热振动理论, 以界面摩擦为研究对象, 从分析界面原子的受迫振动出发, 得出界面摩擦过程中原子的振动实际上是自激振动和受迫振动的叠加, 界面原子在非平衡状态下的热振动将导致声子的激发和湮灭, 进而导致摩擦热的产生, 摩擦界面的温度升高. 然后, 从温度对界面原子能级分布和跃迁的影响角度探讨了热激发效应对界面摩擦的影响, 分析得出如下结论: 温度低时, 界面原子处在激发态的概率随着温度的升高而增加, 导致摩擦系数随温度增加而增加; 温度在100 K附近界面原子处在激发态的概率出现峰值, 导致摩擦系数出现峰值; 当温度高于临界值后, 摩擦系数随温度的升高反而会降低. 最后将本文的理论分析的结果与他人的实验结果对比, 显示两者的趋势一致, 表明本文提出的理论和方法可行. 相似文献
10.
碳纳米管的可控制生长,及其宏观尺度结构的制备,对于碳纳米管的应用具有重要的意义,为了实现准确的生长控制,对碳纳米管生长机理的深入了解是不可缺少的前提条件.文章介绍了我们近年来在碳纳米管生长机理、可控生长及其应用方面的一些进展.通过引入^13C标记法,我们证实了化学气相沉积法中碳纳米管以析出模式生长;实时改变生长的气相成份和流量,可以在碳纳米管阵列上留下标记序列,并据此测量出其生长速率及活化能.将超顺排碳纳米管阵列的合成扩展到4英寸规模,并发展了用挥发性有机溶剂处理碳纳米管线的方法,大大提高了其强度和可操作性.处理后的碳纳米管线可以方便地用于热电子源、高电流密度冷阴极以及荧光灯等.热界面材料在IT产业中具有重要的应用背景,我们用碳纳米管阵列制备的复合材料具有极高的热导率和极低的界面热阻,同时发展了化学修饰、端部剪裁、金属集热层等新技术以制备高性能的碳纳米管热界面材料. 相似文献
11.
12.
超短脉冲激光加热可应用于研究材料中载能子之间的超快相互作用,同时也广泛应用于超快激光加工.此前人们提出的双温度模型和抛物一步模型都只能用于描述超短脉冲激光加热金属薄膜后热量传递过程的特定片段.基于双温度模型和傅里叶导热定律,提出普适的理论模型可用于完整描述飞秒激光加热金属薄膜/基底时的整个热量传递过程.同时在300 K温度下,采用背面抽运-表面探测瞬态热反射法实验研究了飞秒脉冲激光加热金属薄膜的热量传递过程,理论预测曲线和实验测量结果符合较好,验证了理论模型的正确性.基于此模型测量得到了金薄膜的电子-声子
关键词:
飞秒脉冲激光
电子-声子耦合
界面热导
瞬态热反射 相似文献
13.
A model of two-region structure of a nucleus is proposed to describe nucleus evolution.The interracial tension between bulk liquid phase and nucleus is dependent on the density gradient in the transition region and varies with the structure change of the transition region.With the interracial tension calculated using this model,the predicted nucleation rate is very close to the experimental measurement.Furthermore,this model and associated analysis provide solid theoretical evidence to clarify the definition of nucleation rate and understand the nucleation phenomenon with insight into the physical nature. 相似文献
14.
Coupling of Evaporation and Thermocapillary Convection in a Liquid Layer with Mass and Heat Exchanging Interface 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
We propose and analyse a new model of thermocapillary convection with evaporation in a cavity subjected to horizontal temperature gradient, rather than the previously studied model without evaporation. The pure liquid layer with a top free surface in contact with its own vapour is considered in microgravity condition. The computing programme developed for simulating this model integrates the two-dimensional, time-dependent Navier-Stokes equations and energy equation by a second-order accurate projection method. We focus on the coupling of evaporation and thermocapillary convection by investigating the influence of evaporation Biot number and Marangoni number on the interracial mass and heat transfer. Three different regimes of the coupling mechanisms are found and explained from our numerical results. 相似文献
15.
瞬态条件下的热整流有广阔的实际应用背景,本文建立了一维板状复合结构热整流器的瞬态热整流模型,并利用有限元方法研究了不同恒定热阻、不同界面间隙、周期性温度边界条件以及材料和几何参数对瞬态热整流效果的影响规律.研究结果表明,界面热阻的存在可以提高系统的瞬态热整流系数,而初始界面间隙的引入让瞬态热整流系数实现了量级的飞跃.通过几何以及材料参数的合理设置有利于优化结构的热整流效果,针对周期性高温边界条件,温差和频率的变化可进一步提升复合结构的热整流系数.本文所提出热整流机制可以指导瞬态下热整流器的优化设计. 相似文献
16.
本文以多壁碳纳米管为添加材料用于改善导热硅脂的导热性能,分别研究了碳纳米管长度和碳管表面改性对硅脂热性能的影响。结果表明碳管长度对硅脂的热性能有明显影响,硅脂的导热性能会随着添加的MWCNT长度的增加而降低,只有当MWCNT的长度小于一定值后,才能有效提高硅脂的导热性能,否则可能会产生相反的效果。碳管表面的功能化处理能提高硅脂的导热性能。透射电子显微镜分析表明,经过表面改性的MWCNT表面发生明显变化,功能团的附着使得碳管之间的分散性增强,从而使添加了改性后的MWCNT/硅脂导热系数增大,热阻降低。 相似文献
17.
电子封装技术中, 微互连焊点在一定温度梯度下将发生金属原子的热迁移现象, 显著影响界面金属间化合物的生长和基体金属的溶解行为. 采用Cu/Sn/Cu焊点在250℃和280℃下进行等温时效和热台回流, 对比研究了热迁移对液-固界面Cu6Sn5生长动力学的影响. 等温时效条件下, 界面Cu6Sn5生长服从抛物线规律, 由体扩散控制. 温度梯度作用下, 焊点冷、热端界面Cu6Sn5表现出非对称性生长, 冷端界面Cu6Sn5生长受到促进并服从直线规律, 由反应控制, 而热端界面Cu6Sn5生长受到抑制并服从抛物线规律, 由晶界扩散控制. 热端Cu 基体溶解到液态Sn中的Cu原子在温度梯度作用下不断向冷端热迁移, 为冷端界面Cu6Sn5的快速生长提供Cu 原子通量. 计算获得250℃和280℃下Cu原子在液态Sn中的摩尔传递热Q*分别为14.11和14.44 kJ/mol, 热迁移驱动力FL分别为1.62×10-19和1.70×10-19 N. 相似文献
18.
19.
调节界面热导(ITC)是纳米电子器件热管理的关键任务.本文采用非平衡态分子动力学方法研究了在界面处嵌入锡(Sn)纳米点对硅锗(Si/Ge) ITC的影响.研究发现,在声子弹性和非弹性两种竞争机制下ITC随Sn纳米点的数量的增加先升后降,在嵌入4个Sn纳米点时达到顶峰,ITC是完美界面(无纳米点嵌入)时的1.92倍.通过计算声子透射函数和态密度可以知道,ITC增加的原因是声子的非弹性散射得到加强,增强的非弹性声子散射为界面声子输运打开了新的通道.随着纳米点数量增加到一定值时,声子的弹性散射逐渐占据主导地位,ITC开始降低. 相似文献