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分别用HF/4 31G(Si =6 2 1G)、B3LYP/6 31G(D)、B3LYP/6 31G、HF/6 31G、MP2 /6 31G(D)对TMS进行了结构优化 ,在此基础上 ,用Hartree Fock、B3LYP理论水平下 ,分别用不同的基组 6 31G、6 31+ +G(D ,P)、6 311+G(2D ,P)、6 311+ +G(D ,P)进行NMR的计算 ;在MP2理论水平上 ,用STO 3G、3 2 1G、4 31G、6 31G、6 31G(D)、6 31+ +G(D ,P)等基组进行NMR的计算 .并用GAUSSION98程序所给出的四种计算NMR的方法 :GIAO、IGAIM、CSGT、SINGLEGAUGEORIGIN ,分别在上述基础上进行了TMS的屏蔽值的计算 .研究结果表明 ,就理论水平而言 ,DFT(B3LYP)比HF计算结果要好 ,而且基组越大 ,计算精度越高 ,但有一饱和基组存在 .就计算方法而言 ,用GIAO有利于计算精度的提高 .计算结果与实验值基本上吻合 相似文献
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不同晶体对称类的栅条反射系数的理论与实验研究 总被引:1,自引:1,他引:0
对四方4/mmm、六角6/mmm和三角3m等晶体栅条反射系数进行了详细理论分析,给出具体的数学表达式,不同于已有的立方m3m栅条反射系数理论计算公式。根据理论分析结果给出112°旋转X切Y传LiTaO3基片上的铝短路反射栅和沟槽的反射系数。用实验方法研究了112°LiTaO3基片上的沟槽填铝短路反射的反射特性,得到了内反射为零的条件。证明了在112°LiTaO3基片上可用沟槽填铝单指结构实现无内反射的结论。将上述结果应用于单指无内反射滤波器的研制,得到了中心频率255 MHz、带宽约10 MHz、带内畸变小于0.4 dB的带通滤波器。 相似文献
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用蒙特卡洛中子输运程序(MCNPX)对中国聚变工程实验CFETR超导磁体进行中子学输运计算,利用欧洲活化计算程序FISPACT对其进行活化计算分析,针对计算结果重点分析了磁体系统的中子学剂量分布以及活化情况.计算结果表明,中子能量通量最大处出现在聚变堆内侧线圈处,为3.97×1014 MeV·m–2,在该条件下超导线圈可以满足设计要求.停机后磁体组件的活度为3.33×1010Bq·kg–1,停机10年后下降2个数量级达到6.14×108Bq·kg–1.研究结果验证了所使用的CFETR 3维模型满足初步设计条件. 相似文献
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本文用室温、高温X射线衍射和差热分析等方法,研究了Mg_(x/2)Li_(1-x)IO_3晶体结构及其随成份和温度的变化。 Mg(IO_3)_2·LiIO_3二元系形成一种新型的连续固溶体。 在室温对于富LiIO_3的固溶体,晶体点阵沿x-y,平面产生畸变,其畸变开始随Mg(IO_3)_2含量的增加而加大,晶体的空间群从P6_3转变为P112.当成份为3Mg(IO_3)_2·7LiIO_3时,畸变度达最大,γ=120°22′。随着Mg(IO_3)_2含量的继续增加,畸变度又逐渐减小,当成份为Mg(IO_3)_2·LiIO_3时,晶体点阵的畸变消失,其空间群又转变为P6_3。 对于富Mg(IO_3)_2的固溶休,晶休点阵沿z轴发生畸变,晶体由具有不同c值的单胞所组成。当LiIO_3量为20—30mol%时,这一现象最为明显。随温度升高,晶体逐渐转变为单一c值的单胞。 我们认为:Mg(IO_3)_2·LiIO_3二元系固溶体,晶格发生畸变是与点阵中存在着空位密切相关的。由于空位富集,使得点阵常数c不均匀。也由于空位改变晶格场,引起IO_3~-的移动或转动,使得晶格沿x-y平面发生畸变。 相似文献
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双横向电光克尔效应 总被引:1,自引:0,他引:1
理论分析了克尔(Kerr)介质在两个横向电场作用下的电光调制特性.并由此确定了具有双横向电光克尔效应的光学材料种类.采用折射率椭球方法分析可知,各向同性克尔介质和一些晶体在横向外加电场作用下,其电光相位延迟与外加电场幅值的平方成正比,与电场方向无关;而其电光双折射主轴方位角与外加电场的方向角成正比,与电场幅值无关,称这种电光调制特性为双横向电光克尔效应.理论分析结果表明,排除兼有泡克耳斯(Pockels)效应和电致旋光效应的材料,立方晶系432,m3m点群和六角晶系6/mmm点群的晶体以及所有各向同性光学介质具有双横向电光克尔效应.目前已有克尔常数较大的陶瓷玻璃材料研制成功,将有力地促进双横向电光效应在光学各领域中的广泛应用. 相似文献
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在压强为0~100 GPa范围内,运用CALYPSO结构搜索技术,结合基于密度泛函理论中的第一性原理方法,对Ir_2P晶体进行结构预测,并对预测出的晶体结构和物理性质进行细致的研究。在常压下,预测得出α-Ir_2P相具有立方结构,其空间群为Fm3m,与实验所得结构一致;压强为86.4 GPa时,发生结构相变,由α-Ir_2P相转变为β-Ir_2P相,为四方结构,其空间群为I4/mmm。在相变过程中,晶体体积发生坍塌,并且出现不连续变化的一级相变。电子性质计算表明,86.4 GPa时,预测的β-Ir_2P相中导带和价带在费米面附近发生交叠,表明其结构具有金属性质;电子局域函数计算表明,β-Ir_2P相具有丰富的化学键,包括极性共价键、金属键和离子键;Bader电荷转移计算得出,由于Ir原子具有较强的电负性,β-Ir_2P相中每个P原子向每个Ir原子电荷转移0.19e。 相似文献
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在B3LYP/6-31G(d, p)水平下优化了四种姜黄素类似物的几何构型,并通过振动分析验证了其构型稳定性。在B3LYP/6-311G(d, p)水平下计算了该类化合物的核磁共振谱,研究结果表明:四种化合物主体结构共平面性较好,为一较大共轭体系。由于羟基及甲氧基的引入,使Compound-B/C/D中C3,C4以及Compound-A/D中C5均具有较大δ值,Compound-A中C4和C6的δ值相对较小,C3的δ值相对较大。而在羰基与碳碳双键所形成的共轭羰基化合物中,羰基C13的δ值(183 ppm)相对于乙醛中的δ值(201ppm)有所减小,C11, 15(α碳)的δ值(122 ppm)相对减小,而C9, 17(β碳)的δ值(145 ppm)相对增大。最后,通过线性回归方法,利用相关系数值r研究了1H NMR δ值的实验和理论计算值的相关性,结果表明相关性较好,实验值和理论值基本吻合。 相似文献
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光谱法研究Ni[(C4H9O)2PS2]2与氮碱的加合反应(Ⅱ) 总被引:4,自引:0,他引:4
用光谱法研究了NiL2 在 30℃时与乙胺、正丙胺、正丁胺和正戊胺在乙醇溶液中的加合反应。伯胺类氮碱 (B)与NiL2 生成 1∶1的五配位NiL2 ·B和 1∶2的六配位NiL2 ·B2 两种加合物。所有五配位NiL2 ·B和六配位NiL2 ·B2 加合物的吸收光谱分别由NiNS4和NiN2 S4发色基团所产生。实验测定了反应的平衡常数lgβn 及加合分子数n。lgβn 随胺类碱度 pKa值增加而增大 ,且可以经验公式来描述lgβ1 =- 9 6 9+1 15pKa ;lgβ2 =- 18 73+2 2 8pKa 相似文献
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王德鑫 张苏雅拉吐 蒋伟 任杰 王金成 唐靖宇 阮锡超 王宏伟 陈志强 黄美容 唐鑫 胡新荣 李鑫祥 刘龙祥 刘丙岩 孙慧 张岳 郝子锐 宋娜 李雪 牛丹丹 利国 蒙古夫 《物理学报》2022,(7):89-96
C6D6闪烁体探测系统结合脉冲权重技术被广泛应用于中子俘获反应截面测量研究.实验中采用的样品厚度直接影响中子束流时间,同时也影响实验数据的可靠性.本文基于中国散裂中子源反角白光束线(CSNS Back-n)C6D6探测系统,对比研究了不同厚度的镥(Lu)样品中子俘获反应截面的实验测量.利用GEANT4蒙特卡罗程序模拟了考虑样品厚度的探测系统光响应,计算出精确的脉冲权重函数.实验中,通过采用较长中子飞行距离和本底测量,得到了高精度的共振区产额分布.通过R矩阵理论分析产额分布,得到了相应的实验共振参数.结果发现,较厚Lu样品因其厚度效应导致共振曲线发生变化,实验共振参数与ENDF/B-Ⅷ.0评价数据库差距较大;然而,较薄Lu样品实验结果能够很好地再现ENDF/B-Ⅷ.0评价数据. 相似文献
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采用高温高压手段,以单质硼粉和铬粉为原料,在压力为6GPa、温度为1 200℃的条件下成功制备出CrB2化合物。利用X射线衍射仪、X射线能谱仪、硬度检测仪和扫描电子显微镜,对合成产物进行了物性表征。结果表明:合成的CrB2固体为六方结构,空间群为P6/mmm,晶格常数a=0.297nm,b=0.307nm;合成样品的晶粒直径为5~40μm,结晶质量良好。硬度测试结果显示,高温高压合成的CrB2具有很高的硬度。对比实验条件和实验结果发现,温度和原料配比均影响CrB2的合成,提高原料中硼的比例有助于目标产物CrB2的形成。 相似文献
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合成了水杨醛缩二乙基三胺 (配体 L,2 - [(N- Salicylideneamino) ethyl]amine)与 Cu( )形成的配合物[Cu L(H2 O) ]Cl,通过元素分析、红外光谱、X射线单晶衍射进行了结构分析。配合物为单斜晶系 ,空间群P2 (1) / c,晶体学结构数据 ,a=0 .912 3(5 ) nm,b=1.382 1(7) nm,c=1.0 82 9(5 ) nm,β=10 1.712 (7)°,V=1.336 9(11) nm3 ,Z=4 ,Dcalcd=1.6 0 6 mg/ m3 ,F(0 0 0 ) =6 6 8,R1=0 .0 377,w R2 =0 .10 18。结构分析表明 ,配合物通过氢键形成二聚结构 相似文献
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40Ca的热中子辐射俘获截面实验值远较统计理论及Lane-Lynn直接俘获理论预言的截面值大. 本文指出, 这是一个位阱俘获与价俘获的干涉增强效应的例子. 使用普适的光学模型位阱并考虑了这一干涉效应, 计算了40Ca的热中子辐射俘获截面、散射截面和41Ca的p3/2中子束缚能, 并与实验值进行了比较. 相似文献
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常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质 总被引:1,自引:1,他引:0
用常压MOCVD在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了氧化锌 (ZnO)薄膜。用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射 /沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能。AFM分析结果显示 ,薄膜呈六角柱状结晶 ,表面平整 ,粗糙度 (RMS)为 6 .2 5 7nm ,平均晶粒直径达 1.895 μm。室温PL测量该样品在 380nm处有很强的近带边发射 ,半峰全宽为 15nm。使用Hall测量检查了薄膜的电学性质。室温下该样品的载流子浓度为 2× 10 17cm-3 ,迁移率为 75cm2 ·V-1·s-1。用X射线双晶衍射和卢瑟福背散射 /沟道效应研究了薄膜的结晶质量 ,样品的双晶衍射ω扫描半峰全宽为 0 .0 4° ,沟道效应的最小产额比χmin为 3.1%。 相似文献
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快中子照相系统由闪烁光纤阵列和科学级可见光CCD等元件组成. 14 MeVD-T聚变中子在穿透样品后进入50 mm×50 mm闪烁光纤阵列,中子辐射转换为中心波长496 nm的绿光. 光纤阵列长100 mm,光纤截面500 μm×500 μm,100×100根闪烁体光纤组成阵列. 阵列对14 MeV中子探测效率经估算可达21.4%. CCD与光纤阵列之间采用反射镜和透镜耦合方式,使CCD避开中子源直接辐照. 综合考虑光纤尺寸、CCD记录噪声及中子源与受照样品几何关系等因素,理论上系统可获得整体分辨率1.5 mm的中子图像. 在K400直流加速器中子源上进行了初步实验,获得了中子图像. 相似文献
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