| 常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质 |
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| 引用本文： | 王立,莫春兰,熊传兵,蒲勇,陈玉凤,彭绍琴,江风益.常压MOCVD生长ZnO薄膜及其性质[J].发光学报,2004,25(4):393-395,i001. |
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| 作者姓名： | 王立 莫春兰 熊传兵 蒲勇 陈玉凤 彭绍琴 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047;南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047;南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047;南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047;南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047;南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047;南昌大学,材料科学研究所,江西,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家“8 63”计划 ( 2 0 0 3AA3 0 2 160 )，电子发展基金资助项目 |
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| 摘 要： | 用常压MOCVD在蓝宝石 (0 0 0 1)面上生长了氧化锌 (ZnO)薄膜。用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射 /沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光性能和电学性能。AFM分析结果显示 ,薄膜呈六角柱状结晶 ,表面平整 ,粗糙度 (RMS)为 6 .2 5 7nm ,平均晶粒直径达 1.895 μm。室温PL测量该样品在 380nm处有很强的近带边发射 ,半峰全宽为 15nm。使用Hall测量检查了薄膜的电学性质。室温下该样品的载流子浓度为 2× 10 17cm-3 ,迁移率为 75cm2 ·V-1·s-1。用X射线双晶衍射和卢瑟福背散射 /沟道效应研究了薄膜的结晶质量 ,样品的双晶衍射ω扫描半峰全宽为 0 .0 4° ,沟道效应的最小产额比χmin为 3.1%。
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| 关 键 词： | 金属有机化学气相沉积 氧化锌 原子力显微镜 光致发光 X射线双晶衍射 卢瑟福背散射/沟道效应 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)04-0393-03 |
Growth and Characterization of ZnO Films Grown by Atmospheric MOCVD |
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| WANG Li,MO Chun-lan,XIONG Chuan-bing,PU Yong,CHEN Yu-feng,PENG Shao-qin,JIANG Feng-yi.Growth and Characterization of ZnO Films Grown by Atmospheric MOCVD[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(4):393-395,i001. |
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| Authors: | WANG Li MO Chun-lan XIONG Chuan-bing PU Yong CHEN Yu-feng PENG Shao-qin JIANG Feng-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD ZnO AFM PL DXRD RBS/C |
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