静电分析器用的±2O千伏稳定高压电源

本文提出了一种稳定静电分析器用的高压电源的电路。文中对电路的工作原理及特点作了较详细的分析。本仪器的输出电压可自±20千伏变到±5千伏,在所有量程内电压的稳定度(约三小时〕优于±0.015％,波纹电压为1/16,000。二年多来该仪器一直运转正常,操作和维护是比较方便的。     

简易静电场强测量仪

工作原理简易静电场强测量仪的电路如图1所示,利用场效应管输入阻抗极高、对周围电场感应非常敏感的特点探测电场感应信号。当开关K接通后,测量仪的探头周围没有静电场时,场效应管BG_1的源、漏极间的电压较低,电阻R_3中无电流,使BG_2截止,因而BG_2的集电极电流为零,电流表无指示,电路处于静止状态。而当测量仪探头周围有电场时,由于静电感应,测量仪探头积累电荷,在电阻R_1两端产生相应的偏压,这个偏压改变了BG_1的源、漏极间内阻,从     

触发线圈小型化

本文介绍了激光器氙灯点火用高压打火线圈的改进工艺和改进后的性能。线圈的大小由原来的直径Φ20mm、高50mm的圆柱体改进成为Φ12mm、高15mm的圆片,重量由原来的16克减轻到4克。初级电压由原来的300伏降低到130伏,次级电压仍为1～2万伏,现已用于手持激光测距机。     

万用变压器说明(续)

二、交流电方面的演示实验(17)演示交流电的感应作用1.跳圈实验。如图三十所示装置仪器,把0—110—220伏线圈套在铁芯上,在套有线圈的铁芯端竖直放上铁芯闭合条,并使两者的磨光面相接触。用导线将线圈经过刀形开关接到110或220伏的交流电源上,但必需注意接线柱上的数字要与电源电压相符。     

紧凑型可重复运行的高功率纳秒脉冲源

讨论了一种低阻抗、高储能密度、可输出中等高压的百ns脉冲形成技术,其输出波形质量较好;采用磁感应电压叠加技术将该脉冲形成装置输出的中等高压脉冲叠加到应用需求的高电压高功率脉冲。研究表明单个感应模块可在2.8 Ω的负载上获得脉冲宽度为220 ns,前沿为50 ns的中等高压脉冲。     

紧凑型可重复运行的高功率纳秒脉冲源

 讨论了一种低阻抗、高储能密度、可输出中等高压的百ns脉冲形成技术,其输出波形质量较好;采用磁感应电压叠加技术将该脉冲形成装置输出的中等高压脉冲叠加到应用需求的高电压高功率脉冲。研究表明单个感应模块可在2.8 Ω的负载上获得脉冲宽度为220 ns,前沿为50 ns的中等高压脉冲。     

静电场电位零点的选择

静电场作为保守场或位场,可以引进电位来描述.定义电位差后,为了确定静电场中任一点的电位,需要选定参考点.从原则上说,参考点的位置及其电位值可以任选,一经选定,静电场各点的电位值就唯一确定了.通常,选取无穷远点或选取地球或同时选取无穷远点和地球两者为电位零点.本文说明这些选择的理由和条件,有无矛盾,是否方便.一、为什么选择U∞=0 不难想像,在几乎一切实际静电场问题中,尽管带电体系的电量不同,分布各异,但电量和分布范围均有限.因此,根据问题所要求的精度,在离带电体系足够远而(在物理上)可称为无穷远点的广大空间是具有零场强和…     

矿物半导体检测仪器

本发明解决了长期以来对不规则形伏、小颗粒矿物半导体样品不能进行检测的难题.利用本测试仪可以快速、准确、可靠地进行矿物半导体的定性检测.该仪器操作简便,不损伤样品,检验之前不需要其它辅助加工程序,直接将矿物样品置于载装台上检测即可.由于不损伤试样,因而对检测金刚石等珍贵矿物更有意义.仪器检测范围广、效率高.凡粒级大于0.5mm 的任何形状、大小的矿物颗粒和人工样品均可检测. 该仪器有以下社会效益: 1.为矿物半导体的检测提供了方便手段:自然界中矿物种类是繁多的,本仪器操作极其简便,检测快速、准确,对矿物半导体材料的研究,应…     

静电电位测量的现状与发展

静电电位是最重要的静电参数之一，其测量方法可分为接触式和非接触式两大类。“信息自屏蔽－电荷耦合”原理克服了传统的“接地屏蔽－电压输入”原理的缺点，其仪器具有输入电阻高、动态特性好、抗干扰能力强等特点，利用激光、光导纤维和现代电子技术研究新的测试原理和系统，是该领域当前的发展趋势。     

HL-2Aװ��ECRH�����ѹ��Դϵͳ����

ECRH阳极高压电源系统由高压直流电源及调制器两部分组成。高压直流电源采用晶闸管调节升压变压器的输入电压,在低电位端利用三极管串联线性调整输出DC电压,控制器采用了内外双闭环控制技术,其最大输出为30kV/130mA;调制器使用真空四极管为核心部件。使用仿真软件对电路进行了优化设计。独立调试实验及HL-2A装置放电实验数据表明,该电源系统具有大范围调压、低纹波输出、快速调制等特点。     

三相交流感应电动机模型制作

根据教学需要,我们最近制作了一部三相交流感应电动机模型。它结构简单,一目了然,对于讲解三相交流感应电动机的原理、构造和接线等方面,有极大的帮助。现将制作方法介绍于下。一、材料 1.50瓦、初级电压380伏、次级电压36伏的安全变压器三个(可在一般交电公司购买)。 2.直径φ为0.41毫米的漆包线约1公斤;φ为0.6毫米左右的裸钢丝约1米。 3.少量油绸或黄蜡布、棉纱、竹籤、硬纸片及木板。     

一种能控制场致发光单元的高压薄膜晶体管

介绍一种新型薄膜晶体管,它能承受几百伏的电压。这种器件,我们称为高压薄膜晶体管,在控制电压50伏的范围内,能开通100μA量级的电流。在大于10~7Ω的高阻抗负载下,例如场致发光单元,已达到十分之几毫秒的开关速度。     

气体被激放电演示实验

高二物理(甲种本)238页,有一个空气被激放电的实验,使用两个带等量异种电荷的验电器,让它们上端的金属球互相靠近,然后将火焰置于两球之间,由两个验电器所带正负电荷的中和,说明空气在火焰的     

双脉冲电子束源实验

2MeV直线感应加速器注入器系统由电子束产生器和脉冲功率系统组成。电子束产生器包括由感应腔组成的阴极电压叠加器、阳极电压叠加器和真空二极管及束输运系统。脉冲功率系统则包含初级功率源Marx、次级功率源Blumlein线和触发系统，其作用是为感应腔提供一个具有数十纳秒平顶宽度的高压脉冲，激发感应腔在感应腔间隙上获得一个加速电场。在2MeV注入器功率系统中，4个Blumlein线的充气开关是由发散装置的输出触发信号进行导通控制的。通过控制发散输出触发信号到达Blumlein线开关的时间，即可以实现Blumlein线开关在不同时间内触发导通，使Blumlein线依据所设定的时间顺序输出激励脉冲，从而在真空二极管上获得高压脉冲串。由于功率系统采用的是182C结构，即一根Blumlein线驱动两个感应腔，因此最多可以实现四脉冲串列。     

界面极化注极聚丙烯薄膜驻极体的电荷存储特性研究

本文报道一种基于双层介质界面极化机理的新型驻极体注极技术: 借助辅助层对PP薄膜进行注极. 采用表面电位测试方法考察了注极温度、注极电压对所获PP薄膜驻极体电荷存储性能的影响, 并利用热刺激放电技术研究了其高温电荷存储性能, 同时测试了PP薄膜驻极体在X和Y方向的静电场分布. 结果表明: 界面极化注极是一种比电晕注极更为优异的驻极体形成方法. 在一定温度下, 驻极体表面电位随注极电压的增加而增加, 而且两者呈线性关系, 这一结果与注极过程的电荷积聚方程的分析完全一致. 注极温度的影响研究表明, 在保持注极电压不变(注极电压范围为0.5–3.0 kV)的情况下, 温度低于75 ℃时, 温度的变化对于注极效果的影响不明显; 当注极温度大于75 ℃ 时, PP薄膜驻极体的表面电位随注极温度的增加而增加. 表面电位随时间的变化研究表明, PP薄膜驻极体具有良好的电荷存储稳定性. 对其表面电位分布的测试表明, 界面极化注极所形成的PP薄膜驻极体呈现均匀的静电场分布.     

3.5MeV注入器脉冲功率系统

用于直线感应加速器的3.5 MeV注入器脉冲功率系统采用了感应叠加原理。整个系统包含了脉冲形成系统、触发系统以及感应腔负载。脉冲形成系统主要由Marx发生器和Blumlein脉冲形成线组成,产生12个脉宽约90 ns,幅度约200 kV的高压脉冲,通过12个感应腔和变阻抗阴阳极杆,在阴阳极间隙处产生3.5 MV的二极管电压,由天鹅绒阴极发射强流电子束。触发系统主要由两级触发开关构成,严格控制12个高压脉冲的输出时间,时间分散性统计值小于1 ns(动作时间抖动)。采用该脉冲功率系统注入器能产生能量约3.5 MeV,电流2～3 kA的强流电子束。     

简讯

此设备是将杂质离子化,用高电压加速向半导体晶体注入的一种生产半导体的新方法。用此设备完成了二极管、三极管、MOS型场效应晶体管的批量生产。以前的热扩散法是用化学的方法将杂质跟随气体送入,均匀性差,不能自动化生产。离子注入法是将硼素如磷等的活性杂质带电,离子化,用200万伏的高电压加速,向硅基板内直接注入的物理方法。此设备可将硅基板在水平位置下,使用一种抽匣可迅速插入很多张,用离子束扫描,可同时将9张基板均匀注入。通常一小时可处理40张极板。用电子计算机控制,可进行自动化生产。离子源、加速电压(最高20万伏)等的调整均在接地端进行。     

活动影输

我过去在担任中学物理课时,曾在光学教学中制造了一种简单而又很易解释电影原理的教具,名为活动影输,还可以当牛顿色板使用,也可以当水输机给学生作水能利用的实验。过去学校中虽有一些帮助理解电影原理的仪器如惊盘之类等,都只能供一个人在观察,看的时候还要闭住一个眼睛,所表现出来的人物活动情况也都是模糊不清的,这种影输则没有以上所述缺点。     

背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术. 其机理是背栅电压诱生界面电荷，调制有源区电场分布，降低体内漏端电场，提高体内源端电场，从而突破习用结构的纵向耐压限制，提高器件的击穿电压. 借助二维数值仿真，分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS (>600V) 击穿特性的影响，在背栅电压为330V时，实现器件击穿电压1020V，较习用结构提高47.83%. 该技术的提出，为600V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路. 关键词： SOI 背栅 体内场降低 LDMOS     

脉冲变压器锥形绕组感应系数矩阵简化计算方法

 在进行脉冲变压器多匝数（实际变压器绕组匝数多达4000以上）锥形绕组电压分布仿真时,绕组感应系数矩阵巨大的计算量是制约其实现的瓶颈之一。为了克服此瓶颈,研究了绕组感应系数矩阵的规律性,指出感应系数存在端部效应,且线圈间的互有感应系数随间距衰减很快。在此基础上提出了脉冲变压器锥形绕组感应系数矩阵的简化计算方法,对多匝数绕组,该方法能传统方法所需的n(n+1)/2步减少至2n+25（n为绕组匝数）,大大减少了计算量,使多匝数绕组的仿真计算成为可能。