超晶格Fano共振的Raman散射研究

超晶格Ｆａｎｏ共振的Ｒａｍａｎ散射研究赵铁男，朱恪，陈正豪，金奎绢，潘少华（中国科学院物理研究所北京１０００８０）林筠（中国地质大学北京１０００８１）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉｃＳｔｕｍｅｓｏｎＦａｎｏｒｅｓｏｎａｎｃｅｏｆＳｕｐｅｒＡｔｔｉ...     

GaN外延层的拉曼散射研究

ＧａＮ外延层的拉曼散射研究１李国华１韩和相１汪兆平２段树琨３王晓亮（１半导体超晶格国家重点实验室２集成光电子学国家重点联合实验室３半导体材料科学实验室中国科学院半导体研究所北京１０００８３）ＲａｍａｎＳｃａｔｅｒｉｎｇｏｆＧａＮＥｐｉｌａｙｅｒ１Ｌ...     

铝一价离子A1 Ⅱ高激发态能级的研究

利用多通道量子数亏损理论（ＭＱＤＴ）对Ａ１Ⅱ离子的两个ＭＱＤＴ模型进行了计算，预言了３ｓｎｓ３Ｓ１（ｎ＜４０）、３ｓｎｄ３Ｓ１（ｎ＜４０）、３ｓｎｆ３Ｆ３（ｎ＜８０）、三个主序列的未知能级，讨论了双激发态对主序列以及主序列之间的干扰情况。     

1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。     

“天光”一号MOPA系统光学元件加工与镀膜的进展

本文阐述了在中国原子能科学研究院“天光一号”ＫｒＦ激光核聚变实验装置上，ＭＯＰＡ系统光学元件加工与镀膜研究工作的进展。实验测量结果表明，加工后的基片表面均方根粗糙度对于Ｋ９光学玻璃与熔融石英玻璃来说分别为σｒｍｓ＝１．８±０．５ｎｍ，σｒｍｓ＝２．０±０．４ｎｍ。镀ＨｆＯ２／ＳｉＯ２高反射膜的光学元件的反射率与破坏阈值分别为Ｒ＞９９．５％，Ｅｔｈ＝１．３０～１．３３Ｊ／ｃｍ２。镀Ａｌ２Ｏ３／ＭｇＦ２增透膜的光学元件的透射率与破坏阈值分别为Ｔ＞９９．５％，Ｅｔｈ＝１．３～１．９７Ｊ／ｃｍ２。     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)高温超导膜的Raman标定

ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导膜的Ｒａｍａｎ标定张鹏翔１，２，Ｈ．－Ｕ．ＨＡＢＥＲＭＥＩＥＲ２，Ｍ．Ｃａｒｄｏｎａ２（１云南工业大学材料科学与工程系昆明云南６５００５１中国）（２Ｍａｘ－Ｐｌａｕｄ－ＩｎｓｔｉｔｕｔｆüｒＦｅｓｔｋｏｒｐｅｒｆｏｒｓｃ...     

HL—1M装置欧姆等离子体实验的初步分析

从１９９４年１０月２４日开始，对ＨＬ－１Ｍ装置进行欧姆加热等离子体的调试实验，获得了Ｉｐ＝３１０ｋＡ，ｑｎ＜２．５，ｎｃ＝３×１０＾１３ｃｍ＾－３，Ｔｃ（０）＞１ｋｅＶ，Ｔｉ（０）＞０．５ｋｅＶ和τＥ≈１０ｍｓ的平衡稳定等离子体。本文简述了ＨＬ－１Ｍ装置及其诊断等的实验结果进行了初步分析和讨论。     

应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究

对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）_１（ＧａＡｓ）_１（００１），（ＩｎＰ）_n（ＩｎＡｓ）_n（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅ_v和平均键能Ｅ_m的行为，对以Ｅ_m为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计算方法作了较全面的第一原理的数值检验，基于这一方法，本文分别对ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡ 关键词：     

[Mo3S7]分子簇和聚合簇合物的振动光谱和电子光谱

本文报道了分立簇「Ｍｏ３Ｓ７（ｄｔｐ）３Ｉ」１及它的四聚物｛「Ｍｏ３ＳＵ（ｄｔｐ）３」４Ｉ｝．｛（ＨｇＩ３）４．Ｋ｝２（ｄｔｐ＝Ｓ２Ｐ（ＯＣ２Ｈ５）＾－２的ＩＲ,Ｒａｍａｎ和ＵＶ－Ｖｉｓ光谱,并讨论分立的「Ｍｏ３Ｓ７（ｄｔｐ）３Ｉ」在四聚后这些光谱的变化。     

在平行薄膜上下表面反射的两束光之间的相位变更

在平行薄膜上下表面反射的两束光之间的相位变更关小蓉（广西玉林师专）１问题的提出在一些普通物理参考书（１）（２）中，关于光的薄膜干涉问题，常常可以见到类似这样的结论：“当ｎ１＜ｎ２＞ｎ３或ｎ１＞ｎ２＜ｎ３时，两束反射光之间有附加相位差。如果任一束光未经...     

单模光纤中Raman光放大

本文报道在单模光纤中，背向受激拉曼散射（ＢＳＲＳ）对通信光的光放大研究。所用泵浦源为声光０开关Ｎｄ￣（＋３）：ＹＡＧ激光器，工作波长１．０６４μｍ。信号源为ＩｎＧａＡｓＰ半导体激光器，工作波长１．３０μｍ。在１．３０μｍ处实现了Ｒａｍａｎ光放大，增益达１９．４ｄＢ以上，增益系数为２．３×１０￣（－１２）ｃｍ／ｗ。     

色素蛋白的共振Raman和FT-Raman光谱

色素蛋白的共振Ｒａｍａｎ和ＦＴ－Ｒａｍａｎ光谱李正强１卜凤泉２（１．吉林大学超分子结构与谱学开放实验室长春１３００２１）（２．白求恩医科大学应用基础医学研究所长春１３００２１）ＲｅｓｏｎａｎｃｅＲａｍａｎａｎｄＦＴ－ＲａｍａｎｏｆＣｈｒｏｍｏｐｈｏｒ...     

几种哌嗪类抗肿瘤化合物的拉曼光谱

几种哌嗪类抗肿瘤化合物的拉曼光谱刘社文１梁二军１李祥杰２（１郑州大学河南省激光应用技术重点实验室，２郑州大学化学化工学院，郑州４５００５２）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＳｅｖｅｒａｌＡｎｔｉｔｕｍｏｒＰｉｐｅｒａｚｉｎｅｓＣｏｍｐｏｕｎｄｓＬｉｕＳｈ...     

偏硼酸锂固体及其熔体结构的高温Raman光谱研究

本文对偏硼酸锂（ＬｉＢＯ２）从室温到１６７３Ｋ进行了Ｒａｍａｎ光谱测试,得到了其在不同温度下的Ｒａｍａｎ谱图。通过分析,阐述了常温下的链状ＢＯ３三角形结构在熔化后逐渐转变为六角环（Ｂ３Ｏ６）＾３－,即相变过程;以及在１２７３Ｋ后,由长链和六角环结构转化为ＣＲＮ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ Ｒｕｌｅｌｅｓｓ Ｎｅｔｗｏｒｋ,ＢＯ３单元组成的连续无规网络）的新的相平衡移动过程。通过各谱峰在相平衡移动过程中相     

热灯丝CVD金刚石膜硼掺杂效应研究

利用Ｒａｍａｎ谱和Ｘ射线衍射微分析研究了金刚石膜硼掺杂效应．研究发现，在硼浓度较低时，金刚石膜中非晶碳（Ｓｐ²键合）含量减少，而随着硼浓度增加，金刚石膜的Ｒａｍａｎ特征峰（Ｓｐ^３）向低频方向漂移，并且展宽和出现不对称．这是由于硼掺杂引起晶格变化及Ｆａｎｏ互作用所致 关键词：     

ZnWO_4∶Sm~(3 )晶体光谱与上转换发光

采用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长出了ＺｎＷＯ４∶Ｓｍ３＋单晶（Ｓｍ２Ｏ３＝０１ｗｔ％），测量了晶体的吸收光谱．利用激光Ｒａｍａｎ谱仪在ＨｅＮｅ激光器６３２８ｎｍ波长激光激发下，观测到４４８，４７１，５０５，５３３ｎｍ的上转换锐线荧光，对其发光机理进行了探讨．     

有机化学气相沉积的钛酸铅铁电薄膜的拉曼光谱研究

有机化学气相沉积的钛酸铅铁电薄膜的拉曼光谱研究马文辉，张明生，孙力，尹真，陈强，陈延峰，闵乃本（南京大学固体微结构物理国家重点实验室南京２１００９３）ＲａｍａｎｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｉＳｓｔｕｄｙｏｆＰｂＴｉＯ＿３ＴｈｉｎＦｉｌｍｓｂｙＭｅｔａｌｏｒ...     

外延Zn_（1－x）Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究

外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅＡｌｌｏｙｓＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒ...     

甲基橙在囊泡双分子膜表面吸附的共振拉曼光谱

甲基橙在囊泡双分子膜表面吸附的共振拉曼光谱吴立新１，２徐尉青１魏君华１李国文１（１吉林大学超分子结构与谱学开放实验室长春１３００２３２中科院长春物理研究所）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＭｅｔｈｙｌＯｒａｎｇｅＡｄｓｏｒｂｅｄｏｎＶｅｓｉｃｌｅＢｉｌａ...     

用于与HRD－1双光栅单色仪及1109光子计数器联用的拉曼光谱计算机数据采集与处理系统

用于与ＨＲＤ－１双光栅单色仪及１１０９光子计数器联用的拉曼光谱计算机数据采集与处理系统杨经国，刘新民，薛康（四川大学物理系成都６１００６４）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｌＣｏｍｐｕｔｅｒＤａｔａＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＳｙｓｔｅｍＣｏｕｐｌｅｄＷｉｔｈＨＲＤ－...