配位聚合物{[Co(H2O)6][Co(H2O)4(pmts)]·4H2O}n的合成及晶体结构

以均苯四甲酸(pmts)和CoCl2·6H2O为原料,在碱件水溶液中通过水热法合成了配位聚合物{[Co(H2O)6][Co(H2O)4(pmts)]·4H2O}n,并对其进行了红外、紫外-可见吸收光谱和单品X-射线衍射结构测定.结果表明,Co2+分别与桥配体pmts的1,4位羧基氧及端配体水分子中的氧以轻度畸变的八血体...     

Al_(66)Mn_9Ti_(25) La金属间化合物的变形行为与机制

研究了微量稀土元素La对Al6 6 Mn9Ti2 5 金属间化合物显微组织、变形行为、裂纹生成的影响。在Al6 6 Mn9Ti2 5 金属间化合物中添加微量La ,保持L12 结构 ,晶格常数基本无变化 ,促进了晶粒枝晶化和第二相弥散化 ,起到一定的抑制微裂纹生成和扩展以及沿晶开裂的作用 ;同时 ,还可增强位错的可动性 ,使压缩塑性得到改善。探讨了La改善变形行为的机制。     

Yb:Y_xLu_(1-x)VO_4混合激光晶体中的缺陷研究

采用提拉法生长出了Yb:YxLu1-xVO4混合晶体,XRD测试发现该晶体具有四方Zr Si O4结构,经计算晶胞常数为a=b=0.7126(2)nm,c=0.6259(7)nm。利用化学腐蚀法和同步辐射X射线形貌术,分析了晶体中的缺陷,发现位错和小角度晶界是晶体中的两种主要缺陷。利用Read-Shockley公式计算分析了晶体中的转向小角度晶界,发现Yb:YxLu1-xVO4晶体中存在伯格斯矢量为[100]的位错。分析了晶体中位错和小角度晶界的形成原因,认为晶体生长和退火过程中的温度波动容易在Yb:YxLu1-xVO4晶体内部引起局部晶格畸变,诱发位错和小角度晶界的产生,因此混合晶体生长过程需要更精确控制。     

用熔融织构生长法(MTG)制备YBCO超导体的临界电流密度以及微观结构

用熔融织构生长法(Melt-Textured-Growth)制备出具有高临界电流密度的YBa_2Cu_3O_y超导材料·片状的YBCO粉末烧结体被快速加热到包晶转变温度以上,慢速冷却通过包晶转变点,制成一种高密度层状结构的类单晶超导体。这种超导体具有很强的定向结晶组织和很强的晶粒间的连接。采用持续的直流电四引线法在77K温度下,测量了样品的临界电流密度J_c与外磁场H的关系。在2T场强下,J_c达到了23800A/cm~2。扫描电镜和高压电镜的观察表明,样品中除了有弥散的Y_2BaCuO_y和CuO非超导相颗粒外,还存在着大量的孪晶、位错、位错环以及堆垛层错等品格缺陷。这些缺陷对提高磁场下的J_c起着重要的作用,其中有些缺陷本身就是磁通钉扎中心。     

质子化二十四元六氮二氧杂大环LH_4~(+4)和六异硫氰根合钴(Ⅱ)配合物的晶体结构研究

本文作者制得的单品经分析证明是由质子化大环LH_4~(+4)阳离子、Co(NCS)_6~(-4)阴离子、一分子Co(No_3)_2和4分子H_2O组成,还证明质子化大环L以船式构象存在,为研究超分子配合物的催化机理提供了结构依据。本实验还发现六异硫氰根合钴(Ⅱ)配阴离子能稳定存在。     

四核钴羰基簇合物CO_4(CO)_8(μ-CO)_2(μ_4-PSR)_2的合成和晶体结构

通过Co_2（CO）_8与二气烧流基酸RSPCI_2［R＝－CH_3－C_2H_5，－C（CH_3）_3，－（CH_2）_4H_3］反应，得到4个新簇合物．除用元素分析、IR、~1HNMR和MS表征其结构外，还用X光衍射法测定了侯会物CO_4（CO）_8（μ-CO）_2（μ_4－PSR）_2小的单品结构该簇合物用单斜晶系，P21／C空间群．晶胞参数为α＝8．445（3），b＝8．562（3），c＝17．125（6），β＝104．26（3）°；V＝1200．1A3；Dc＝1．9379cm~3μ＝3．058mm~(－1)；F（000）＝688．结构分析表明，四个Co原子形成平面矩形，两个PSR四重桥基分别在四钻平面上下盖帽构成Co_4P_2类人面体骨架，骨架为D_(2h)点群对称性．PSR配体为4e供体，与四个钴原子成键．     

高压变质岩中角闪石晶内滑动的电子显微镜研究

本文利用电子显微镜研究了江苏东海榴辉岩中的角闪石和陕西鱼洞子群变质角闪岩中的角闪石微结构,发现这些角闪石存在位错和其他缺陷。在榴辉岩的角闪石中,位错为刃型位错,刃位错线平行c轴,B矢量值为9,矢量方向有两类:大多数//[100],少数//b轴。位错露头在a~*-b~*面上线型排列成位错壁。位错壁两侧的亚晶粒有微小的取向偏差,形成2—5°的小角晶界,且刃位错露头间隔越密,晶体扭曲越大,小角晶界也越大。在含水条件下角闪石通过交代反应,逐步增宽pyribole链体,在剪切带内生成滑石结构,并不断把角闪石颗粒细粒化。     

KDP晶体台阶生长动力学的激光干涉实验研究

采用迈克尔逊干涉技术,通过测量KDP晶体生长的法向速率和台阶斜率来研究其台阶生长的动力学系数、台阶自由能、溶质在边界层内的扩散特征以及激发晶体生长台阶的位错活性.实验表明, KDP中不同活性位错的台阶动力学系数差异较大,例如高活性和低活性台阶动力学系数分别为10.3×10-2和5.21×10-2 cm/s,位错源在晶体表面的形状、面积的变化,以及Burgers矢量的变化是造成晶体生长动力学测量数据重复性差的主要原因.     

Zn(Leu)SO4·0.5H2O在丙酮－水混合溶剂中的结晶动力学

确定了Zn(Leu)SO4·0.5H2O在水－丙酮中结晶生长的最佳体积比为1：5,用微 量热法测定了该结晶生长过程在298.15K时的放热量及产热速率,计算了动力学常 数,认为结晶过程符合Burton-Cabrera-Grank位错理论。同时测定了Zn(Leu)SO4· 0.5H2O 298.15K时在纯水中的溶解焓为（3．17±0．09）kJ·mol^-1,计算了Zn (Leu)^2+(aq)的标准生成焓为（－1088.26±4.28)kJ·mol^-1。     

Nd∶GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd∶GdVO4)单晶, 并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑, 测定了(100)面晶体位错密度为600 个/mm2.观察了不同提拉方向的晶体生长形貌, 可采用简单光学方法确定晶体方向.     

亚稳态304不锈钢应力腐蚀影响因素探讨

30 4不锈钢通过低温拉伸制得含有不同马氏体相变量的试样 ,由于冷加工将不可避免地导致位错密度大幅度增加 ,利用铁素体测量仪和透射电镜 (TEM )检测并分析 30 4不锈钢位错形态 .上述试样在 4 2 %MgCl2 沸腾溶液中用慢应变速率法 (SSRT) ,结合金相显微镜 ,扫描电子显微镜等表面分析手段 ,探讨了微观组织变化对 30 4不锈钢应力腐蚀的影响 .结果表明 :由于马氏体相和位错缺陷的交互作用 ,影响了 30 4不锈钢在沸腾MgCl2 溶液中应力腐蚀敏感性 ,且在不同变形量范围内 ,影响的主导因素不同     

Zn(Val)SO4·H2O在丙酮-水混合溶剂中的结晶动力学

确定了Zn(Val)SO4·H2O在水-丙酮中结晶生长的最佳体积比为1:10,用微量热法测定了该结晶生长过程在298.15K时的放热量及产热速率,计算了动力学常数,认为结晶过程符合Burton-Cabrera-Frank位错理论.同时测定了Zn(Val)SO4·H2O于298.15K时在纯水中的溶解焓为(28.46±0.08)kJ·mol-1,计算了Zn(Val)2+(aq)的标准生成焓为(-569.71±3.84)kJ·mol-1.     

锻造镦粗Mo-La2O3的横向塑性和组织

利用锻造镦粗工艺制备了高横向塑性Mo-La2O3棒材,并检测了其在退火过程中横向弯曲性能,观察了其组织结构,利用SEM进行了断口形貌分析。结果表明:Mo-La2O3棒经锻造镦粗变形85%后横向具有较好的塑性,延伸率达到了2%,在退火过程中横向塑性逐渐升高,在1200℃时延伸率达到10%以上,经1570℃退火1 h后,合金发生了再结晶,此时延伸率为1.5%;Mo-La2O3棒中形成了大量的位错胞亚结构,胞内有大量的位错缠结在一起,这些位错还被La2O3钉扎;Mo-La2O3棒经1200℃退火后,断口有"分层"现象,且断口上具有明显的河流状花样和解理台阶,断裂面上伴有大量塑性变形的韧带和撕裂岭。     

Ni_(x)Cu_(y)-B_(24)N_(28)催化CO_(2)氧化C_(3)H_(8)速控步骤的反应机理研究北大核心CSCD

采用密度泛函理论(DFT)研究了C_(3)H_(8)和CO_(2)在Ni_(x)Cu_(y)-B_(24)N_(28)(x+y=4,x=1、2、3、4)表面吸附及速控步骤反应机理.计算了C_(3)H_(8)、CO_(2)和相应中间体在Ni_(x)Cu_(y)-B_(24)N_(28)表面的吸附能以及6条可能路径下的反应热和活化能.计算结果表明,C_(3)H_(8)和CO_(2)在Ni_(x)Cu_(y)-B_(24)N_(28)表面是物理吸附,C_(3)H_(8)+CO_(2)→CH_(3)CHCH_(3)+OCOH是最有利的路径,其在不同催化剂表面的活化能顺序是NiCu_(3)-B_(24)N_(28)(1.42 eV)、Ni_(2)Cu_(2)-B_(24)N_(28)(1.57 eV)、Ni_(3)Cu-B_(24)N_(28)(1.62 eV)、Ni_(4)-B_(24)N_(28)(1.75 eV).由此可知,在Ni_(x)Cu_(y)-B_(24)N_(28)催化CO_(2)氧化C_(3)H_(8)的体系中,Cu含量直接影响其催化活性,即NiCu_(3)-B_(24)N_(28)用于催化CO_(2)氧化C_(3)H_(8)有一定优势.     

镧系金属有机配合物的研究,XL.双(2-甲氧乙基环戊二烯基)钇和镱的硼氢配合物的合成及晶体结构

双(2-甲氧乙基环戊二烯基)氯化钇和镱, 在THF中, 室温与硼氢化钠发生置换反应, 生成双(2-甲氧乙基环戊二烯基)硼氢化钇(1)和镱(2), 产率分别为70和59%。它们都经红外光谱, 质谱, ^1HNMR和元素分析鉴定。将1和2在THF-己烷中重结晶,得到适用于X射线衍射分析的单品。1的空间群为Pna2~1, 晶胞参数:a=1.2390(3),b=1.1339(2), c=1.1919(2)nm, 晶胞体积,1.6745(6)nm^3,D~c=1.39g.cm^-3, z=4, R=0.061;2的空间群为Pna2~1, 晶胞参数:a=1.2399(6),b=1.1371(5),c=1.1897(2)nm, 晶胞体积, 1.6773(1)nm^3,Dc=1.72g.cm^-3, z=4, R=0.038, 1与2都是含有两个配位键(Ln-O)的双型的单体结构。     

Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

含SR桥的双核钼(I)配合物Mo2(CO)8-n(SR)2Ln的新合成途径和Mo2(C(O)6(SPh)2(MeCN)2的结构研究

经由零价双核钼含SR桥的配合物的氧化反应合成了一系列含各种SR桥的双核钼(I)配合物Mo2-(CO)8-n(μ-SR)2Ln(R=Br^t, Ph, Bz(C6H5CH2), CH2CO2Et;L=MeCN, PPh3; n=0,2]. 并应用红外光谱、元素分析等进行表征, 讨论了新的合成途径. 含MeCN配位体配位到Mo(I)上的配合物, Mo2(CO)6(SPh)2(MeCN)2经X射线结构测定, 系属单斜晶系, 空间群P21/c,a=9.241(2), b=9.330(3), C=15.458(4)A:β=105.77(2)°V=1283(1)A^3; Z=2; R=0.033. Mo-Mo距离为2.978A, 表明其Mo-Mo距离为2.978A, 表明其Mo-Mo键的形成, Mo-S键长为2.469A. 比较同系物Mo2(CO)8(μ-SCH2CO2-Et)2, Mo2(CO)6(μ-SCH2CO2Et)2(MeCN)2和Mo2(CO)8(μ-SBu^t)2的结构, 并讨论其结构与化学.     

含SR桥的双核钼(I)配合物Mo2(CO)8-n(SR)2Ln的新合成途径和Mo2(C(O)6(SPh)2(MeCN)2的结构研究

经由零价双核钼含SR桥的配合物的氧化反应合成了一系列含各种SR桥的双核钼(I)配合物Mo2-(CO)8-n(μ-SR)2Ln(R=Br^t, Ph, Bz(C6H5CH2), CH2CO2Et;L=MeCN, PPh3; n=0,2]. 并应用红外光谱、元素分析等进行表征, 讨论了新的合成途径. 含MeCN配位体配位到Mo(I)上的配合物, Mo2(CO)6(SPh)2(MeCN)2经X射线结构测定, 系属单斜晶系, 空间群P21/c,a=9.241(2), b=9.330(3), C=15.458(4)A:β=105.77(2)°V=1283(1)A^3; Z=2; R=0.033. Mo-Mo距离为2.978A, 表明其Mo-Mo距离为2.978A, 表明其Mo-Mo键的形成, Mo-S键长为2.469A. 比较同系物Mo2(CO)8(μ-SCH2CO2-Et)2, Mo2(CO)6(μ-SCH2CO2Et)2(MeCN)2和Mo2(CO)8(μ-SBu^t)2的结构, 并讨论其结构与化学.     

稀土对硼铝共渗渗层相组成的影响

X射线衍射、透射电镜衍射及能谱分析表明 ,共渗初期渗层主要由Fe2 B相组成 ,加稀土后检测到了 (RE0 .6 5,Fe0 .35) 2 3B6 化合物 ;共渗4h渗层主要由Fe2 B相 少量FeB相级成 ,在加入稀土后的硼铝共渗层中 ,检测到了稀土化合物 (Fe0 .8,RE0 .2 ) 6 B ,发现α Fe的晶面间距有所增大。对硼化物的形成进行了分析 ,由于Al,C ,稀土等化合物的形成阻碍了位错的运动 ,稀土的晶界强化、位错强化和固溶强化是加入稀土后硼铝共渗层性能提高的主要原因。     

密度泛函理论预测微量元素在Al(100)表面的偏聚

通过周期性层状模型, 利用密度泛函理论预测了微量杂质元素原子M(M=Fe, Si, Mg, Cu, Mn, Ga, In, Sn, Pb)在高纯铝箔(100)表面的偏聚趋势. 计算得到表面偏聚能与已有实验结果相吻合. 表面偏聚能由表面取代的微量元素原子M的位置、原子半径和金属的表面能决定. 当表面偏聚能为负时, 微量元素原子M在表面偏聚, 反之则杂质原子不发生表面聚集. 微量元素原子在铝箔表面偏聚可以使铝箔表面产生大量的缺陷和位错, 它们在铝箔腐蚀时容易成为腐蚀的形核起点, 进而增加铝箔的腐蚀发孔密度.