DC AA 5052铝合金冷轧板沿厚度方向织构变化的X射线衍射分析

以不同变形量对预先经过热轧和再结晶退火的DC AA 5052直接冷却铸造铝合金板进行冷轧制后,采用X射线衍射和专用软件测试、计算并分析表层、1/4厚度层、中心层的织构极图和ODF图及有关数据,研究板厚度方向轧制织构的变化情况,以为改进轧制工艺、获得板厚度方向的织构织及性能均匀性提供依据。各变形量的试样之表层向1/4层、中心层方向,存在β织构逐渐增强的梯度;变形量逐渐增大到90%的过程中,沿板厚度方向β织构强度的变化梯度逐渐降低、体积分数逐步增大、强度逐渐增大并达到各层基本接近。     

冷轧CC5052铝合金板表层至中心层织构变化的X射线衍射分析

为了对铝合金板轧制技术发展提供依据,采用X射线衍射仪测试极图并使用专用软件计算织构的ODF,研究了热轧后经过454℃×4h预先再结晶退火处理的5052双履带连续冷却铸造铝合金板,进行不同变形量冷轧后自表层至心部层的织构分布状况。冷轧制后变形量小于40%的试样,存在织构强度由表层向中心层提高的变化梯度。变形量大于56.1%的试样,β织构的增加主要是来自剩余位向转变量随变形量的增加;主要织构β较强、Goss和剩余位向较弱,各层之间的织构状态接近。     

用于YBCO高温超导涂层的立方织构铜基带制备

Cu是制备双轴织构YBCO高温超导涂层的优良基带材料之一,立方织构的铜带可以提供良好的外延生长环境。文中采用轧制辅助双轴织构基带技术(RABiTS),研究了立方织构铜基带的制备工艺。将铜锭在初轧变形量达到88.4%后,进行400℃退火30min,再经二次轧制总变形量达到99.07%后,在氩气环境125—850℃之间不同温度下退火30min。用March-Dollase函数计算该系列样品的r值,其中850℃退火的样品具有最强的200择优取向,r值为0.25,用不完整极图对该样品的织构情况做进一步分析,用ODF函数定量计算了该样品立方织构的体积百分含量。该样品形成了较强的{001}<100>立方织构,体积百分含量为70.8%。     

DC与CC 5052铝合金冷轧后沿厚度方向织构分布状态对比的X射线衍射分析

采用X射线衍射测试极图、使用专用软件计算织构取向分布函数(ODF), 研究了热轧后454℃×4h再结晶退火的直接铸造5052铝合金板(DC 5052)和双履带连续冷却铸造5052铝合金板(CC 5052)冷轧制到不同压下量的试样,自表层至心部层的冷轧织构分布差别,为工业上生产及应用DC 5052与CC 5052铝合金冷轧板提供依据。结果显示：同样的大压下量时CC 5052的β织构强度及体积分数高于DC 5052的。冷轧前CC 5052的再结晶织构Cube的体积分数小于DC 5052的,剩余位向的体积分数多于DC 5052的,导致CC 5052表层的β织构强度及体积分数达到与1/4层、中心层接近所需要的冷轧压下量比DC 5052试样需要的小。CC 5052冷轧板冲压加工方面的性能优于DC 5052冷轧板。     

利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜

利用脉冲激光沉积技术在氢还原气氛下成功地在双轴织构的Ni基带上外延了高质量的CeO2薄膜.x射线衍射θ-2θ扫描和ω扫描结果表明,CeO2薄膜在Ni基带上呈c轴方向生长,存在很强的平面外织构;极图和ψ扫描显示它具有良好的平面内织构.Ni基片上织构的CeO2薄膜为进一步在其上外延高质量的YBa2Cu3O7-x超导薄膜提供了很好的模板.     

弹光调制傅里叶变换光谱相位校正及DSP实现

弹光调制傅里叶变换光谱仪(PEM-FTS)具有调制速度快、信息量大的特点,但采样位置偏差会导致干涉图存在相位误差,影响复原光谱的准确性。因此,必需采用一种运算速度高的相位校正方案。以300 K黑体为辐射源,通过弹光调制干涉具产生干涉数据,并在TMS320C6713DSP芯片上,采用Mertz法对弹光调制干涉图进行相位校正。首先提取出一幅完整周期的双边干涉图,经过切趾处理后,以零光程差点为中心计算小双边干涉图的相位误差,再通过插值补零得到整幅干涉图的相位误差,求出整体干涉图的频谱并进行相位修正。采用二范数定义校正后反演光谱的精度,以计算定时器周期寄存器值的方法设置DSP定时器,以统计代码的运行时间,并通过观察链接命令文件.cmd中程序与数据的分配存储情况,来对比分析Mertz法与模平方法的校正结果。实验结果表明,在DSP上实现相位校正时,Mertz法相位校正方案具有运算速度快、占用存储空间少、误差较小等特点,并且Mertz相位校正法的运算时间较模平方法快20倍,适用于对PEM-FTS干涉图进行高速准确的相位校正。     

YBa2Cu3O7-x涂层导体的外延生长和性能对CeO2缓冲层的依赖性

利用倾斜衬底沉积法在无织构的金属衬底上生长了MgO双轴织构的模板层,在这一模板层上实现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长.在外延YBa2Cu3O7-x薄膜前,依次沉积了钇稳定的立方氧化锆和CeO2作为缓冲层.利用X射线衍射2θ扫描、φ扫描、Ω扫描和极图分析测定了这些膜的结构和双轴织构取向,利用Raman光谱表征了其超导相的品质和取向特性,利用扫描电镜和原子力显微镜观测了薄膜的表面形貌和粗糙度.考察了不同厚度的CeO2层对YBa2Cu3O7-x生长和性质的影响.发现了YBa2Cu3O7-x薄膜的外延生长和性能对CeO2的不同厚度具有显著而独特依赖性.讨论了其可能的机理.     

YBCO涂层导体用Ni5W基带的制备和立方织构的发展

为了制作能满足YBCO涂层导体(coated conductor)所需要的高强度、低磁性的立方织构基带,本工作用粉末冶金方法制作了Ni-5at%W合金基带.为评估基带中立方织构的发展,用March-Dollase函数对各种热处理样品的择优取向度进行了研究,结果与用X射线极图法和电子背散射衍射法得到的结果基本一致.研究结果表明,在实验中所用的工艺参数范围内,随总加工率和热处理温度的提高,基带中立方织构百分数明显增高.提高总加工率实际增加了冷加工样品中立方织构晶粒或立方核心的数量.实验中得到了较好的和实用的工艺制度,用这种工艺可以制作出具有99%～100%立方织构百分数,并具有很好一致取向度的Ni5W基带.     

FTIR单边干涉图相位校正技术的研究与改进

基于傅里叶变换红外光谱仪干涉图的单边过零采样和非对称性,对相位校正技术进行研究和改进。针对Mertz乘积法对切趾函数的匹配性要求高,干涉图非对称切趾旁瓣抑制效果差、光谱分辨率低的缺点,综合Mertz法和Forman法的特点提出一种改进的相位校正方法。采用对称化方法将单边干涉图变换为双边干涉图、对称切趾、傅里叶变换重建功率谱,并采用对称化的双边干涉图傅里叶变换求取高分辨率的相位谱,提高相位校正的精度。通过仿真分析了非对称窗函数较对称窗函数有比较宽的主瓣宽度、高的旁瓣幅值,分辨率降低;实验验证该改进的相位校正方法功率谱误差小、计算量少,且光谱分辨率比较高,达到2cm-1。     

利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜

利用脉冲激光沉积技术在氢还原气氛下成功地在双轴织构的Ni基带上外延了高质量的CeO₂薄膜. x射线衍射θ—２θ扫描和ω扫描结果表明，CeO₂薄膜在Ni基带上呈c轴方向生长，存在很强的平面外织构；极图和φ扫描显示它具有良好的平面内织构. Ni基片上织构的CeO₂薄膜为进一步在其上外延高质量的YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜提供了很好的模板. 关键词： 双轴织构的Ni基带 2薄膜')" href="#">CeO₂薄膜 脉冲激光沉积     

雷诺校正法在煤发热量测定中的应用

介绍雷诺校正法计算煤发热量的原理、算法及应用.方法应用于燃煤发热量计算,结果表明,用雷诺校正法处理煤发热量测定时,其结果优于瑞方公式法和奔特公式法,与国标法相比,分析误差在规定范围内.在文中列出了雷诺校正法处理煤发热量的实用Matlab源程序.     

贝壳珍珠层织构的测定

珍珠和贝壳珍珠层都是在珠贝体内生成的.日本和其它一些国家,在作大量研究后发现:珍珠和贝壳珍珠层的主要成分是正交结构的CaCO3,矿物名称为霰石,是一种具有放射状结构的多晶体[1]; 它们的次要成分为有机胺酸[2,3]和 Sb,Mn,Cu等元素[4].这些研究对饲养珍珠蚌的水质和营养的改善起了作用. 我们在研究珍珠和贝壳珍珠层时,发现它们有明显的织构.当对褶纹蚌蚌壳的珍珠层作极图研究时,不仅进一步弄清了它们的织构,而且通过对极图的解释,还找到了PDF卡片(5-453)上未标明的｛102｝和 ｛204｝衍射数据. 一、实验方法 样品制备:将珍珠在锉和砂纸…     

电化学法涂层导体CeO_2缓冲层外延生长研究

电化学沉积法制备高温超导YBa2Cu3O7-δ涂层导体缓冲层具有工艺简单、设备要求低、易于连续化批量制备等优点。采用电化学沉积法,在双轴织构的Ni-5at.%W(Ni-5W)金属基带上成功制备出了具有良好c轴取向的CeO2缓冲层薄膜。利用X射线衍射、极图、扫描电子显微镜和原子力显微镜等对上述氧化物薄膜的织构、表面形貌等进行表征。重点研究了薄膜厚度、退火温度、退火时间等工艺对薄膜外延生长及其表面形貌的影响,结果表明:电化学沉积方法制备的CeO2缓冲层具有很好的双轴织构、表面平整、均一,粗糙度低,表现出良好的缓冲层性质。结合金属有机化学溶液超导层的制备技术,本工作展示了一条全化学法制备第二代高温超导带材的技术路线,具有很好的应用前景。     

磁六极球差校正系统的计算与分析

限制电子显微镜分辨本领的主要因素是电子透镜的球差，对一种实际的校正磁透镜的磁六极球差校正系统进行了计算和分析，计算结果表明利用该系统可以消除三级球差。     

热锻铁电陶瓷Bi_4Ti_3O_(12)的反极图测定

热锻是在高温下使陶瓷产生塑性形变,成为具有择尤取向陶瓷的重要手段[1].众所周知,极图是某一晶轴在试样的坐标系中几率分布的极射赤面投影图,反极图则是试样的特定参考方向在晶体坐标系中几率分布的极射赤面投影图.鉴于反极图制作比正极图简便,可作定量处理,并可将织构与物理量的变化密切联系起来,因而本文用X射线衍射仪测定了热锻铁电陶瓷Bi_4Ti_3O_(12)的反极图. 钛酸■Bi_4Ti_3O_(12)(简称BIT)是一种■层状结构化合物,它由(Ti_3O_(12))～(2+)顺电性■层和(Bi。Ti。Ol。)‘’铁电性(赝)类钙钛矿层相间排列而成.每个单胞有38个原子…     

对“立方取向铁镍合金的轧制织构”一文的商榷

阅读了张信钰等同志所著的“立方取向铁镍合金的轧制织构”一文后,有一些不同的意见,想提出来和作者讨论。 该文认为,样品经过50%轧制后,形成了(112)[111]和(3,7,11)[945]织构,随着压延率增大,还形成了(110)[112]织构,但从作者给出的图4(a),5(a)和6(a)来看,这种分析是值得怀疑的。该文在表达(112)[111]、(3,7,11)[945]和(110)[112]织构的理想取向时,有时只用了四个(111)极中的2个或3个,如果把以上三种取向的四个(111)极全部画出     

MgB2/Fe带材Jc的各向异性及MgB2芯织构和成分不均一性的研究

本文研究了在不同磁场方向和温度下非原位Fe包套MgB2单芯带Jc的各向异性,通过对各种工艺条件下带材中MgB2芯的X-ray衍射图进行拟合分析和计算,比较了MgB2芯在Fe-MgB2界面和中心处的织构度和成份不均一性.研究发现带材Jc的各向异性受初始粉末颗粒尺寸的影响.由于受套管材料强度和形变加工工艺的影响,MgB2芯在Fe-MgB2界面处比在中心处有较强的织构.在MgB2-Fe的界面处,700℃淬火样品的X-ray衍射图中发现了由中间相Fe23B6生成的金属间化合物Fe2B.另外还研究了MgB4和MgO等主要杂质相的形成原因.     

高温超导涂层导体CeO2缓冲层的化学溶液法制备及其热反应过程研究

本文通过化学溶液法在双轴织构的金属Ni-W衬底上外延生长了CeO2超导涂层导体缓冲层薄膜.X衍射极图表明其面内外织构良好.扫描电子显微镜和原子力显微镜观察薄膜表面光滑、平整且粗糙度低.采用差热分析研究了升温速率及样品质量对前驱溶液热反应过程的影响,结果表明其热反应主要经历了三个过程,其中吸附水的脱去和醋酸组的解离分别发生在110～140℃与230～240℃两个温度范围内,且受升温速率的影响很小,表明这两个反应都在较短的时间内完成.而发生在250～500℃温度段的氧化合成反应则需要较长的时间,其反应结束温度与升温速率近似成线性增加.X衍射分析进一步证实了上述三个热反应过程,当温度达到700℃时CeO2可以得到完好的结晶.     

直径53 mm熔融织构单畴YBCO块材制备研究

实验表明:通过对Y123/Y211前驱粉体粒度的调整以及采用Y123∶Y211=1∶0.3摩尔比的配制方案,在顶部籽晶诱导熔融织构生长条件下,可以提高单畴YBCO块材的起始生长温度Ts,从而有效地抑制了大尺寸单畴高温超导块材生长过程中的非籽晶成核现象. 利用这一技术,我们成功地生长出多块直径53 mm、厚18mm单畴YBCO高温超导块材,其中最大磁浮力达到302牛顿,最小为274牛顿,平均磁浮力密度达到12.9 N/cm2(77K、0.55T),达到和超过了该类材料的实用化国际标准.从宏观形貌上看,样品沿径向呈完全织构生长状态,沿轴向也基本呈完全生长状态. XRD和极图分析结果显示,整块样品具有较理想的织构化程度.这一结果意味着近期有望实现更大直径单畴YBCO超导块材的织构生长.     

光纤傅里叶变换光谱仪光谱复原技术研究

光纤傅里叶变换光谱仪(FFTS)干涉图的采样方式一般有两种,即单边采样方式和双边采样方式.详细介绍了在两种不同采样方式下的光谱复原技术,给出了数学表达式和计算过程,比较了两种算法的优缺点,并对单边复原算法进行了改进,提高了使用乘积法进行相位校正的效率.对研究结果进行了实验验证,用两种算法计算得到的复原谱与标准谱线进行比较,二者基本重合,证明了算法的有效性.