NFX(X=-1,0,+1)分子离子基态的结构与势能函数

用密度泛函理论的B3LYP方法,分别以6-311++g(df,3pd),6-311g(3d,3p)和6-311++g(3df,3pd)为基函数对NF分子、NF⁺和NF^-离子基态进行几何优化和频率计算,并进行单点能扫描计算.用最小二乘法拟合得到NF^X(X=-1,0,+1)分子离子基态的Murrell-Sorbie势能函数.利用得到的解析势能函数计算出的NF分子和NF⁺离子基态光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_eχ_e)与实验值符合很好.首次得到NF^-离子基态的光谱常数(B_e,α_e,ω_e,ω_eχ_e)和力常数(f₂,f₃,f₄),为NF-离子基态的后期研究提供理论参考.     

Wn(n=3—27)原子团簇结构的第一性原理计算

使用密度泛函理论下的第一性原理方法,对W_n原子团簇(n=3—27)的结构特性进行了理论计算. 得到了W_n团簇(n=3—7)的最低能量结构和(n=8—27)的局域能量极小的典型结构. 使用凝胶模型,提出的电子组态1s²1p⁶1d¹⁰2s²1f¹⁴2p⁶3s ^{关键词： W团簇 结构性质 稳定性 从头计算}     

由NMR获取原子间距离约束计算蛋白质三维结构

提出一种以核磁共振(NMR)技术获取蛋白质分子多肽链中原于对(主要是H—H对)的距离约束,来计算蛋白质在溶液中的三维结构的方法。这种方法把肽平面之间的二面角当作独立变量,通过从局部到整体逐渐最优化的方法使适当构造的目标函数最小,计算出这些二面角,以及主链每个残基上六种原子N、H~N、C~α、H~α、C′、O的空间坐标.本方法已编写成计算程序DISNMA,并以碱性胰蛋白酶抑制剂(BPTI)为标准结构,得到了很好的验证.     

取代基性质与饱和碳及饱和碳上质子化学位移的关系

根据多元线性回归分析,得到一个表达去屏蔽参数△_α^H与基团电负性X_G的关系式:X_G=(2.6△_α^H-n)/5+2.6.¹³C NMR去屏蔽参数△_α^C与电负性之间的关系可表达为:X_G=(△_α^C+5n)/40+2.由上述二式计算出的基团电负性与文献中提供的数据相仿,说明氢谱和碳谱化学位移主要与取代基电负性及其变形性有线性关系.不过由化学位移或去屏蔽参数计算出的基团电负住不能反映芳环等具有各向异性效应基团的诱导效应.     

电极过程自由基中间体的ESR研究——取代苯基重氮盐的电解还原

本文用自由基捕捉剂苯亚甲基叔丁基氮氧化物(PBN)与ESR相结合的方法研究了十种取代苯基重氮盐RC₆H₄N₂⁺BF₄^-(R=F,Cl,Br,NO₂,OCH₃及CH₃)在乙腈中电解还原产生的活泼自由基。结果表明:1.RC₆H₄N₂⁺BF₄^-电解还原时产生RC₆H₄自由基,并能被捕捉剂PBN所捕捉,以形成稳定的自由基加合物[RC₆H₄-PBN]^·。2.由[RC₆H₄-PBN]^·ESR谱的超精细裂分常数算出的二面角θ_β值大小与处于不同位置的给定取代基R的关系为:θ_β(O-R) < θ_β(m-R) < θ_β(P-R)     

模糊聚类正交方法若干结果

本文提出一个新的模糊聚类方法:正交法,这种方法基于如下正交聚类原则:记截矩阵R_λ=(α₁,α₂,…,α_n),其中列向量α_j=(α_1j,α_2j,…,α_nj)^T,所谓向量α_i,α_j正交,指内积(α_i,α_j)=0。     

电子相关对Xe10+离子4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响

应用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,对Xe¹⁰⁺离子进行了理论计算,获得了跃迁波长和概率等数据.通过逐步引入4dⁿ—5pⁿ(n=1, 2, 3)电子相关的相互作用组态,重点研究了电子相关效应对4d⁸—4d⁷5p跃迁系跃迁概率的影响.结果显示电子相关效应显著,表明了欲得到精确的4d⁸—4d⁷5p的振子强度(跃迁概率)数据,理论计算中至少要包括到4d²—5p²的电子相关组态的影响.与实验测得的跃迁波长比较发现,理论结果与之有着较好的一致性;同时理论跃迁概率在两种规范下的结果符合得相当精确,显示了计算结果的可靠性. 关键词： 多组态Dirac-Fock(MCDF)方法 电子相关 跃迁概率     

薄膜硅/晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的性质及光发射谱研究

本文采用甚高频等离子体化学气相沉积技术 (VHF-PECVD) 制备薄膜硅/晶体硅异质结电池中的本征硅薄膜钝化层, 光发射谱 (OES) 测量技术研究了硅薄膜沉积过程中等离子体发光谱随时间的变化. 结果表明: 在实验优化条件下等离子体发光谱很快达到稳定 (大约25 s), 并且SiH^*/H_α^* 的比值随时间变化较小, 避免了生长过程中硅薄膜结构的不均匀性, 这主要是SiH₄没有完全耗尽避免了SiH₄的反向扩散. 进一步研究了沉积参数对稳态发光谱和硅薄膜性质的影响, 结果表明: 随着硅烷浓度增加, H_α^*峰强度减小, SiH^*峰强度增加, 薄膜从微晶转变成非晶, 非晶硅薄膜钝化效果好; 随着沉积气压增大, H_α^*和 SiH^*峰强度先增加后减小, 高气压下H_α^*和 SiH^*峰强度下降主要是反应前驱物的聚合形成高聚合物, 不利于形成高质量的硅薄膜, 因此钝化效果下降; 随着反应功率密度增加, H_α^*和 SiH^*峰强度增大, 当功率密度为150 mW/cm² 趋于饱和, 硅薄膜的致密度和钝化效果也开始下降, 50 mW/cm²的低功率密度下硅薄膜钝化效果差可能是由于原子H 浓度低, 不能完全钝化单晶硅表面的悬挂键. 关键词： 薄膜硅 异质结 光发射谱 钝化     

快离子导体AgxTiS2中Ag+离子－空位的二维基态结构与能量性质研究

根据Ag⁺离子-空位的二维有序结构建立了三维晶胞模型.采用局域密度近似下的平面波赝势方法,对有序Ag_xTiS₂(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系列进行了几何结构优化和总能量计算,并与Li_xTiS₂系列进行了对比研究.有序Ag_xTiS₂系统的晶格参量增量Δa_{关键词： x}TiS₂')" href="#">Ag_xTiS₂ 有序—无序相变 离子扩散 第一性原理计算     

一类相空间中的准几率分布函数系

定义了一类相空间中的准几率分布函数系，这个准几率分布函数系直接建立在具有更加广泛意义的量子相空间Schr?dinger方程解的基础之上，其中定义_α=αp-i?q和_α=(1-α)q+i?p.发现了两个有趣的关系.(1)建立的量子相空间Schr?dinger方程的解实际上是对函数φ(λ)exp［i(1-α)qp］做窗口Fourier变换.(2)这个窗口函数g(λ)起着选择窗口形式的作用，而且不同的窗口对应着不同的分布函数.当g(λ)是一个代表Gauss窗的Gauss函数的时候，准几率分布函数就是一个类似于Husimi的分布函数f^HL_α(q,p)；当g(λ)是一个表示椭圆的复函数时，准几率分布函数就是一个椭圆分布函数f^E_α(q,p)；再在g(λ)为复函数的基础上附加α=0，就可得到标准序分布函数f^S(q,p)、反标准序分布函数f^AS(q,p)和Wigner分布函数f^W(q,p)，此时g(λ)表示高度为1/12π?而长度为λ的矩形窗. 关键词： 窗口Fourier变换 相空间 Wigner分布函数     

PECVD分层结构对提高氢化非晶硅TFT迁移率的影响

为了进一步提高氢化非晶硅薄膜晶体管 (a-Si:H TFT) 的场效应电子迁移率, 研究了批量生产条件下对欧姆接触层和栅极绝缘层进行多层 制备, 不同的工艺参数对a-Si:H TFT场效应电子迁移率的影响. 研究表明随着对欧姆接触层 (n⁺层) 分层数的增加, 以及低速生长的栅极绝缘层 (GL层) 和高速生长的栅极绝缘层 (GH 层) 厚度比值提高, a-Si:H TFT的场效应迁移率得到提升. 当n⁺层分层数达到 3层, GL层和GH层厚度比值为4:11 时, 器件的场效应电子迁移率达到0.66 cm²/V·s, 比传统工艺提高了约一倍, 显著改善了a-Si:H TFT 的电学特性, 并在量产线上得到了验证. 关键词： 非晶硅薄膜晶体管 电子迁移率 欧姆接触层 栅极绝缘层     

Al_2S_n~±(n=2—10)团簇结构特征和稳定性的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论的B3LYP方法,在6-311G**水平上对Al2S±n(n=2—10)团簇的几何结构和电子结构进行了理论计算.讨论了铝硫二元离子混合团簇基态结构的变化规律、电荷转移和成键特征.结果表明,在S簇中掺杂Al原子会使Sn结构发生明显改变.Al2S±n团簇基态结构是以Al2S2四元环为骨架或桥梁,分别与S原子或S簇相结合形成单环到三环的平面和立体结构.结构中化学键键型和成键数目影响团簇的稳定性.通过对基态结构的解离能和能量二次差分值的分析得到了Al2S±n团簇的稳定性信息.     

水溶液中稀土离子与甘氨酸、丝氨酸、天冬氨酸作用的13C NMR研究

测定了酸性水溶液中甘氨酸、丝氨酸和天冬氨酸稀土络合物(Ln=La、Pr、Nd、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb)的¹³C诱导位移。对位移试剂的分析指出,三种氨基酸通过α-羧基以双齿形式配位于稀土,配位键长为0.23nm~0.25nm,天冬氨酸的γ-羧基也是配位基团。由本文与文献中已报道的各种氨基酸稀土络合物的¹³C诱导位移的系统分析表明,配体¹³C超精细偶合常数A值和结构因子G值有如下规律:(1)│A(C₀)│<│A(C_α)│;A(C₀)为正,A(C_α)为负;(2)│G(C₀)│>│G(C_α)│;配体碳核的G均为负值。     

Cu1-xHxZr2(PO4)3中Cu2+的EPR谱和局域结构研究

本文采用Cu²⁺斜方对称电子顺磁共振（EPR）参量的高阶微扰公式计算了晶体Cu_1-xH_xZr₂（PO₄）₃中Cu²⁺的EPR参量（g因子和超精细结构常数A因子）．计算结果表明,晶体Cu_1-xH_xZr₂（PO₄）₃中[CuO₆]^10-基团的Cu-O键长分别为R_||≈0.241 nm,R_⊥≈0.215 nm,平面键角τ≈80.1°;由于对称性降低,中心金属离子基态²A_1g（θ）和²A_1g（ε）有一定程度混合,混合系数α≈0.995．所得EPR谱图的理论计算值与实验数据符合得很好．     

Angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy study of GeO_x growth by plasma post-oxidation

The growth process of GeO_x films formed by plasma post-oxidation(PPO) at room temperature(RT) is investigated using angle-resolved x-ray photoelectron spectroscopy(AR-XPS). The experimental results show that the distributions of the Ge~(4+)states, a mixture of the Ge_(2+)and Ge~(3+)states, and the Ge~(1+)states are localized from the GeO_x surface to the GeO_x/Ge interface. Moreover, the Ge~(1+)states are predominant when the two outermost layers of Ge atoms are oxidized.These findings are helpful for establishing in-depth knowledge of the growth mechanism of the GeO_x layer and valuable for the optimization of Ge-based gate stacks for future complementary metal–oxide–semiconductor(MOS) field-effect transistor(CMOSFET) devices.