新型γ-聚谷氨酸吸水树脂的合成

以γ-聚谷氨酸(γ-PGA)为原料,乙二醇缩水甘油醚为交联剂,采用溶液聚合法合成了新型γ-PGA吸水树脂(1),其结构经IR表征.研究了反应体系的pH,反应温度和反应时间对1吸水率和透光率的影响.结果表明,在反应体系pH 4.3,于70℃反应36 h的最佳反应条件下合成1,吸水率220 g·g-1,透光率99.6％,分解温度334.9℃.     

四氢异喹啉衍生物的合成研究

以间甲氧基苯乙胺和氯甲酸乙酯为原料,通过亲核取代、关环、铝锂氢还原、脱甲基以及在N位上Boc保护及脱保护等9步反应得到一系列重要的1,2,3,4-四氢异喹啉及其衍生物.产物的结构经核磁共振氢谱、红外光谱及元素分析确证.与传统四氢异喹啉衍生物的合成工艺相比,该工艺反应条件温和、简便、经济、产率高且对环境友好.     

接触与大变形问题的光滑有限元分析

橡胶材料因具有良好的抗震、吸能作用,在实际工程中应用广泛.然而橡胶超弹性材料的碰撞属于强非线性问题,分析橡胶材料的接触碰撞和大变形问题对于提高装置的缓冲性能具有重要意义.光滑有限元法(smoothed finite element method, S-FEM)是一种弱形式的数值计算方法,相比于传统的有限元方法,光滑有限元法对网格的质量要求不高,允许单元在计算过程中发生较大的变形,且光滑域的构造比较灵活,在不增加自由度的前提下,可以达到较高的精度.在光滑有限元法的基础上,采用双势方法进行接触计算,以充分利用光滑有限元法计算大变形问题的优点和双势方法求解接触力的优势.通过与有限元软件MSC.Marc的数值结果对比,验证了该算法的准确性和能量守恒性,并且分析了摩擦因数对碰撞体的影响.     

空气劈等厚条纹不等间距现象简析

空气劈等厚条纹不等间距现象简析清华大学冯志强，朱鹤年一、问题的提出在大面积超扭曲液晶（ＳＴＮ）显示器件的研究和生产过程中，盒厚从几微米到十几微米，常需控制到０．ｌｐｍ的准确度．盒厚测试仪大多采用干涉原理，分程差补偿白光条纹观测法、光源波长扫描法和动量...     

以L-焦谷氨酸为手性源的不对称合成研究进展

简介了Ｌ－焦谷氨酸作为手性源的反应特点，综述了Ｌ－焦谷氨酸作为手性源在不对称合成中的应用。     

基于合成规则的相似性推理及其在焊接参数设计中的应用

焊接过程是典型的复杂过程,应用模糊逻辑建立焊接参数推理系统可快速实现焊接工艺参数设计.近似推理机制是模糊系统研究和开发中的一个重要组成部分,在现有的相似性推理方法的基础上,融合经典的合成规则推理技术,提出一种新的基于合成规则的相似性推理方法.以CO_2保护焊焊接规范参数设计为背景介绍模糊推理在焊接领域的应用,运行结果表明,采用方法建立的模糊推理模型具有较高的推算精度,能够满足焊接工艺参数设计的要求.     

薄膜硅/晶体硅异质结电池中本征硅薄膜钝化层的性质及光发射谱研究

本文采用甚高频等离子体化学气相沉积技术 (VHF-PECVD) 制备薄膜硅/晶体硅异质结电池中的本征硅薄膜钝化层, 光发射谱 (OES) 测量技术研究了硅薄膜沉积过程中等离子体发光谱随时间的变化. 结果表明: 在实验优化条件下等离子体发光谱很快达到稳定 (大约25 s), 并且SiH^*/H_α^* 的比值随时间变化较小, 避免了生长过程中硅薄膜结构的不均匀性, 这主要是SiH₄没有完全耗尽避免了SiH₄的反向扩散. 进一步研究了沉积参数对稳态发光谱和硅薄膜性质的影响, 结果表明: 随着硅烷浓度增加, H_α^*峰强度减小, SiH^*峰强度增加, 薄膜从微晶转变成非晶, 非晶硅薄膜钝化效果好; 随着沉积气压增大, H_α^*和 SiH^*峰强度先增加后减小, 高气压下H_α^*和 SiH^*峰强度下降主要是反应前驱物的聚合形成高聚合物, 不利于形成高质量的硅薄膜, 因此钝化效果下降; 随着反应功率密度增加, H_α^*和 SiH^*峰强度增大, 当功率密度为150 mW/cm² 趋于饱和, 硅薄膜的致密度和钝化效果也开始下降, 50 mW/cm²的低功率密度下硅薄膜钝化效果差可能是由于原子H 浓度低, 不能完全钝化单晶硅表面的悬挂键. 关键词： 薄膜硅 异质结 光发射谱 钝化     

新型手性α,α-二烃基-5-氧代-2-吡咯烷甲醇的合成

以L-谷氨酸为手性原料,经过环化、酯化和格氏加成反应合成了6个未见文献报道的手性α,α-二烃基-5-氧代-2-吡咯烷甲醇,其结构经比旋光度,1H NMR,IR和元素分析表征.     

有机不对称放大反应研究进展

概述了不对称放大的提出，不对称放大反应类型，不对称放大反应类型，不对称放大反应中关键配合物的以及不对称放大的数学模型。     

三次采油用疏水缔合型AM/DBA共聚物的研究

微乳液;耐温耐盐聚合物;三次采油用疏水缔合型AM/DBA共聚物的研究