电子相关对Xe10+离子4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响 |
| |
引用本文: | 高 城,沈云峰,曾交龙.电子相关对Xe10+离子4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响[J].物理学报,2008,57(7):4059-4065. |
| |
作者姓名: | 高 城 沈云峰 曾交龙 |
| |
作者单位: | 国防科技大学理学院,长沙 410073 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:10774191)和新世纪高校优秀人才支持计划项目资助的课题. |
| |
摘 要: | 应用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,对Xe10+离子进行了理论计算,获得了跃迁波长和概率等数据.通过逐步引入4dn—5pn(n=1, 2, 3)电子相关的相互作用组态,重点研究了电子相关效应对4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响.结果显示电子相关效应显著,表明了欲得到精确的4d8—4d75p的振子强度(跃迁概率)数据,理论计算中至少要包括到4d2—5p2的电子相关组态的影响.与实验测得的跃迁波长比较发现,理论结果与之有着较好的一致性;同时理论跃迁概率在两种规范下的结果符合得相当精确,显示了计算结果的可靠性.
关键词:
多组态Dirac-Fock(MCDF)方法
电子相关
跃迁概率
|
关 键 词: | 多组态Dirac-Fock(MCDF)方法 电子相关 跃迁概率 |
收稿时间: | 2007-09-10 |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|