金属表面生成氧化膜在电解质中的电位

测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=E_a⁰+sum from s=1 to 3|η_t,s|-1/(ne)v₇ΔG₇, E=E_c⁰-sum from s=4 to 6|η_t,s|+1/(ne)v₈ΔG₈.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式.     

分形统一方程与分维稳定性

指出L(η,L₀)=L₀~Dη^1-D是适用于变码尺和固定码尺两类分形的统一理论方程,固定码尺法获得稳定分维的前提条件是选用的分形表观线性尺度(如分形或其凸壳的表观面积方根、凸周长、最大切直径等)与分形初始图形长度的比值不随观测用码尺大小而变.提出了周长-凸周长和周长-凸壳面积两种方法.     

Agard的η-偏差函数与Schottky定理

研究由拟共形理论中的η-偏差函数η_k(t)定义的某些函数的单调性,并从其得出η_k(t),η_k(t)-t和η_k(t)-λ(k)等函数的渐近精确的上下界.从而揭示了关于解析函数的Schottky定理中上界函数的一些性质,改进了它的已知的显式估计.     

在盐的水溶液中非电解质的活度系数的研究术——Ⅷ.间硝基苯甲酸在不同温度的盐水溶液中的溶度

在15°、25°、35°和45℃下测定间硝基苯甲酸在不同浓度的LiCl、NaCl、KCl、LiBr、NaBr、KBr、SrCl_2和BaCl₂的水溶液中的溶度。算出该酸的未离解分子在盐溶液中的活度系数γ_n它们在25℃下从盐溶液迁移到纯水溶液的克分子标准熵交化△S°。计算结果:△S°>0,△S°/m_s=常数,即△S°和盐浓度m_s成正比;△S°/m_s的次序是BaCl₂>SrCl₂>KBr>NaBr>KCl>LiBr>NaCl>LiCl,表明对具有同离子的盐,△S°/m_s随反电荷离子的价和晶体半径的增加而上升。用Frank和Evans的离子破坏水的结构来解释这些现象。从log f_u(f_u是体积克分子标度的该酸分子的活度系数)对C_s的图,得出盐析次序如下:SrCl₂>BaCl₂>LiCl>Nacl>LiBr>NaBr>KCl>KBr。用”局部水解”的假说解释这个次序。从log γ_u对t°的图发现KBr对该酸分子的盐析有一个转换温度,约为30℃;30℃以上是盐析,以下是盐溶。若用log f_u对t°的图,转换温度变为≈23℃。总结出一个该酸分子在纯水中的组成和绝对温度关系的经验公式;有效范围是15—45℃。最后算出该酸在四个温度的微分溶解热。     

关于齐次加型同余式

本文研究了形如α₁λ₁^k+…+α_sλ_s^k=0的加型方程,此处诸α₁是一个次数为n的代数域K中的整数,主要结果为:若s≥(2k)ⁿ⁺¹(或当2 k时,s≥cknlog k),方程在任何-adic域中均可以非寻常求解,此处 为K中素理想。     

一个可能的有四代轻费米子的SU(7)大统一模型

本文提出了一个可能的SU(7)大统一理论的模型,其中包含四代轻费米子,它们的弱作用是V—A型式的。在此模型中,可以得到所期望的m_μ～3m_s,m_em_μ～m_dm_s,Cabibbo角sinθ₁～(m_d/m_s)^1/2和SU(5)标准模型中得到的所有符合实验的结果。     

强非线性抛物型方程的广义解

对于非线性抛物型方程其中Q_T=Ω×(0,T)是上半空间R₊ⁿ⁺¹中的一个柱形区域,S_T=Ω×[0,T]是Q_T的侧面,Ω是R~n中的一个有界区域,其边界Ω充分光滑,本文着重讨论函数a_i(x,t,u,s)和a(x,t,u,s)关于变元s=(s₁…,s_n)按指数形式快速增长的情形.文中得到了强非线性抛物型方程(1.1)和(1.2)在空间中广义解的存在性.这个结果也包括了a_i(x,t,u,s)及a(x,t,u,s)关于变元s=(s₁..,s_n)按幂次|s|ⁿ的形式增长的情形,改正了Ladyenskaja等的文献中第五章定理6.7的证明中的一个疏忽。     

B-S方程在强耦合非相对论近似下的约化和粲偶素模型

本文讨论B-S方程在强耦合非相对论近似下的约化。所取的相互作用核为G(k)=-1×1G_s(k)+r₄×r₄G_ν(k)+r_μ×r_μG_r^''(k)。在零级近似下约化得到的Schrdinger方程中,组分粒子的有效质量将因标量相互作用的参与而改变。若相互作用的主要部分具有矢量第四分量(γ₄)的变换性质,则组分粒子的有效质量不改变,且对能量和波函数的一级相对论修正也与弱耦合的情形相似。在粲偶素现象学中,解释实验观测到的M1磁跃迁J/ψ→γη_c和E1电跃迁ψ′→γX_J(J=0,1,2)压低现象的一个可能性是粲夸克具有较大的组分质量(M_c～2.2—2.5GeV),因而粲偶素有可能是一个结合能较大的强耦合体系,其相互作用的主要部分应具有矢量第四分量(γ_4)的变换性质。     

超塑胀形的变m值本构方程

本文考虑到超塑变形具有强的结构敏感性,直接根据双拉应力状态的m-log曲线用函数模拟法求解定义m值的微分方程,首次给出了超塑胀形的变m值本构方程。文中指出,用负幂函数模拟m-log曲线所建立的本构方程,不但反应了m值变化的特征,而且既可用表达σ,也可用σ表达.由于方程中包含了m_m,m_k和η三个常数,而且当m_m和η越大,m_m/m_k越接近于1,材料的超塑性越好,这就把材料胀形的超塑性指标与m-log曲线的形状联系起来,从而解答了为什么只用单向拉伸测得的m_m不能描述超塑胀形的变形规律和材料胀形的超塑性指标的症结所在,最后就ZnAl₂₂和ZnAl₄Cu₁两种超塑性板材实测的m-log曲线给出对应的超塑胀形变m值本构方程。     

IRAS星系大尺度分布的分维

本文对在F15(120°≤l≤180°,20°≤b≤40°)和NGW(0°≤l≤110°,60°≤b)选区,经 IRAS星系红移巡天所得样本选取了不同红外光度的体积限定的子样本进行分维分析。结果表明:红外星系在大子60 h₅₀^-1Mpc尺度上的分布仍然存在明显的结构;红外星系的分布形成多级分形结构。在一定尺度范围内有确定分维的分形结构。当尺度增加到某一转变尺度r_c后,分布由原来的分形结构转变到有另一分维数的分形结构。更大尺度上的分形结构的分维数大于较小尺度上的分维数。这与较小尺度上分布的主要特征为星系的成团而更大尺度上分布以空洞为主要特征是一致的;分析还表明转变尺度随星系内禀红外流量增加而增大。本文对这些结果的含义进行了初步探讨。     

在MOS结构Si-SiO2界面上的一个主界面缺陷

本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO₂界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷H_it(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔG_P≥0.503eV;当栅压使Si-SiO₂界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔG_P时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO₂系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO₂的能带;H_it(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。     

La2/3Ca1/3MnO3-δ薄膜中磁致电阻温度关系的一种经验描述

在不同磁场H下 ,在 300～ 77K范围内测量了外延L_{a2 /3} Ca_1/3 MnO_3-y薄膜的电阻率ρ(T) ,发现电阻率的温度依赖关系可以按如下的经验公式来描述:ρ(T) =1σ(T) =1/α(M/M_s)² + βexp(-E0/k_BT) ,其中拟合参数α ,β随磁场的变化略有变化,E₀为磁极化子热激活能 ,约等于1 160k_B,M_s 为饱和磁化强度 ,M/Ms采用平均场近似求得,据此对提高CMR效应的可能性作了讨论.     

Adams谱序列中α~s(n)h0hk的收敛性

证明了(i)在p≥ 5,2≤s≤p- 1 ,k≥ 2时, β_sh₀h_k+1收敛到E_∞ ;(ii)在p≥7,3≤s≤p-1,k≥3时, γ_sh₀h_k+1收敛到E_∞.     

两指标鞅差序列的中心极限定理及其在平稳随机场上的应用

本文讨论了两指标鞅差序列及平稳随机场上的中心极限定理.所考虑的鞅差是根据平面格点的序:(s₁,s₂)<(t₁,t₂)当且仅当s_1...     

关于一类Fourier积分算子的Lp估计

本文研究一类形如(1)的Fourier积分算子的保持L_p,H_p^s及B_pq^s的有界性问题。此中位相函数满足条件(2),而振幅属于象征类S_1,δ^-m,0≤δ≤1,文中还初步探讨了(0≤p<1)时的L_p有界性。     

用STM研究金属间化合物脆断表面的纳米尺度特征与分形维数

用扫描隧道显微镜(STM)在纳米尺度研究了Ti₃Al,Ti-24Al-11Nb合金脆断表面特征,确定了STM在纳米尺度测量材料断裂表面分形维数的方法及原理,并用来测量了上面两种合金脆断表面的分形维数D_F。结果表明:在纳米尺度的断口特征与用SEM在微米尺度观察到的断口形貌非常相似,具有典型的解理脆断特征,观察到了纳米数量级解理台阶,断裂表面在纳米尺度上存在分形结构,但不同断裂方向的分形维数D_F不相同,Ti-24Al-11Nb合金的分形维数高于Ti₃Al合金的分形维数。研究表明使用STM并采用连续拓扑结构分形方法研究固体断裂中的原子过程以及用分形维数来描述材料的微观结构是很有可能的.     

C60-Ag薄膜高、低温粗糙表面的标度行为和粗糙化机理的实验研究

利用原子力显微镜和透射电子显微镜对沉积在NaCl衬底上的C₆₀-Ag复合薄膜的表面形貌和微结构进行了研究 .结果表明薄膜表面的粗糙度依赖于衬底的温度 ,当衬底温度从 - 80℃上升到 1 2 0℃ ,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程 .由于高温和低温条件下 ,薄膜表面的粗糙化机理不同 .高低温的表面虽然具有类似的rms粗糙度 ,但却具有不同的分形标度行为 .同时探讨了标度行为、微结构和粗糙化机理之间的关系     

关于世界时的定义

本文对于Newcomb提出的世界时定义,以及国际上对将于1984年开始采用的世界时新定义的讨论和建议进行了研究。文中指出应注意区分两种赤经岁差以及两种非旋转原点概念上的差异,并认为目前的主要问题是时间变量定义含糊。本文建议采用与地球自转速率有明确关系的世界时新定义: θ₀=24110^s.54841+8639877^s.317119T₃, UTl=0.9972696632372(θ—θ₀),其中θ=格林尼治平恒星时一绝对赤经岁差,T₃为自2000年1月1日UTl 12^h起算的世界时儒略世纪数。     

关于Kahler流形截面曲率的最大和最小值的注记

本文证明:当M是一Khler流形其黎曼截面曲率在点p∈M恒为半正定或半负定时,则恒有不等式。 其中J是M的复结构张量,X与Y是p点的切向量;上面的不等式可以写为复的形式,即 其中(ξ¹,…ξⁿ)与(η~1,…,ηⁿ)是任两n维复向量,2n=dimM,而这里是M的Kahler度量。     

约束形式变分计算及其在孤立子方程研究中的应用

本文以纯代数方式发展了约束形式变分计算,应用这一方法证明了次之迹恒等式其中U=U(u_a,η),矩阵K满足假设为唯一可解的方程K_x=[U,K]。我们并指出:一系列不同作者用繁复计算得到的等式均为上述值得注目的迹恒等式的特例。这一等式并提示我们,对一些经典李代数言,其Killing-Cartan形可选为与谱问题φ_x=Uφ相连的方程族的Hamilton量。 我们还给出了次之有趣公式的基于约束变分计算的一种推导,以示方法的又一应用:其中B_η与L分别为AKNS方程族的Backlund变换与递推算子。