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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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研究了用部分熔化法制备T1-1223超导体的工艺,样品的名义组成为(Tl0.5Pb0.5)(Sr0.8Ba0.2)2Ca2Cu3Oy,调整样品中Ba的含量,出现了织构的迹象,经烧结一部分熔化—退火的样品,其磁化电流在77K和1T下大于2×104A/cm2,用这样的样品作原料所制备的Tl-1223复Ag带短样,在77K和0T下,Jc达2.1×104A/cm2,超导带横断面的SEM显微观察表明,在1223相中夹杂了BaPbO3和Sr-Ca-Cu-O相. 相似文献
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能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa2Cu2Ox高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu+发光中心,是跃迁过程1A1g(3d10)-1Eg和~3Eg(3d94s1)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu2+发光中心,是由于自由离子光谱项2D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu3+发光中心,其481cm-1和551cm-1声子对说明了312cm-1处声子对与电子系统是强耦合。 相似文献
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通过YBa2Cu3x)SnxO7+y体系样品的结构参数、XPS和Mssbauer谱、电阻-温度关系、氧含量以及热分解温度的综合测量,发现:Sn在该体系中替代了Cu的位置并保持4价状态;在x<0.4范围内Sn替代Cu对晶体结构没有影响,引起Tc的变化也极小;Sn替代Cu使体系的氧含量增加,并明显地影响了Cu的价态,使Cu呈现+3价,实验在结构、氧缺位及电子态方面为认识超导电性的起源提供了一些重要信息,在综合分析实验结果的基础上,本文提出:金属原子与氧原子间的耦合程度决定了体系的超导电性。 相似文献
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本工作发现,用DSC测定从熔体等速降温时辐照样品的结晶温度Tc随辐照剂量R增加而线性变低,即辐照前后样品的△Tc=Tco-TcR=KR。依据Charlesby-Pinner方程,导出一新关系式,S+S1/2=A+B/△Tc。已经证明,式中的Tc只与聚合物的交联度有关,与辐射交联方法和过程无关。因此,该方程可用于结晶聚合物的强化辐射交联,以获得非无规交联的瞬时G(c,1)值。本文为定量研究结晶聚合物的无规交联与非无规交联提供了一个简便的方法。 相似文献
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令G是一个阶为n且最小度为δ的连通图. 当δ很小而n很大时, 现有的依据于最小度参数的彩虹边连通数和彩虹点连通数的上界都很大, 它们是n的线性函数. 本文中, 我们用另一种参数,即k个独立点的最小度和σk来代替δ, 从而在很大程度上改进了彩虹边连通数和彩虹点连通数的上界. 本文证明了如果G有k个独立点, 那么rc(GG)≤3kn/(σk+k)+6k-3. 同时也证明了下面的结果, 如果σk≤7k或σk≥8k, 那么rvc(G)≤(4k+2k2)n/(σk+k)+5k; 如果7k<σk<8k, 那么rvc(G)≤(38k/9+2k2)n/(σk+k)+5k.文中也给出了例子说明我们的界比现有的界更好, 即我们的界为rc(G)≤9k-3和rvc(G)≤9k+2k2或rvc(G)≤83k/9+2k2, 这意味着当δ很小而σk很大时, 我们的界是一个常数, 而现有的界却是n的线性函数. 相似文献
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本文报道了Ar和F离子注入对YBa2Cu3O7-x超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa2Cu3O7-x薄膜Tc,Jc和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,Tc和Jc随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×1013Ar/cm2时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×1013Ar/cm2时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。 相似文献
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对新概念指导下而设计的 (La1-xSrx)2Cu1-xSnxO4超导体进行了119Sn MÖssbauer谱研究 .对不同掺杂量样品的系统研究表明 ,MÖssbauer谱实验结果进一步证实了Sn以Sn4+价态存在并占据Cu晶位 ,不存在占据La晶位的Sn2 +离子 .Sn4+离子附近的局域晶格畸变较小 ,但是随Sn掺杂量有增加趋势 .在对La2 CuO4母体进行Sr和Sn同时掺杂所引入的载流子对超导电性的影响存在新的机制 .在新的额外氧机制下 ,讨论了Sn掺杂所导致的额外氧对超导电性的影响 . 相似文献
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讨论在C*-凸理论下C*-代数A的广义态空间SCn(A)中的Krein-Milman型问题.证明了SCn(A)的任意一个BW-紧的C*-凸子集K都具有一个C*-端点,而且K是其C*-端点的C*-凸包. 相似文献
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本文用DLTS测量了P型硅MOS结构Si-SiO2界面的缺陷,发现了一个主界面缺陷Hit(0.503),其特点是:在测量温度范围内,它的平均空穴离化吉布斯自由能ΔGP≥0.503eV;当栅压使Si-SiO2界面处Fermi能级与硅价带顶的距离明显小于ΔGP时,它仍然具有很高的DLTS峰;随着半导体表面电位势的缩小,它的空穴表现激活能明显增大;它对空穴的俘获过程造成合脉冲宽度的多指数电容瞬态,难于用有限宽度的脉冲电压引进的空穴对其作饱和填充。上述实验结果表明:热氧化生长形成的Si-SiO2系统的能带是从共价键硅的能带连续过渡到SiO2的能带;Hit(0.503)分布在其中的过渡区中,它的能级与价带的距离随着离开硅表面越远而越大。 相似文献
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本文定义了一个由范畴 RMRl到范畴A Grn0 的函子G,并证明了函子G保持分量正合及全正合,关于范畴AGGrn0 证明了定理: 相似文献