FeMnAl合金的低温电阻率反常

报道了三种剩余电阻率约为100μΩcm,Al 含量不同的 FeMnAl 合金30K 以下电阻率的负温度系数反常行为.参照样品磁阻,比热,M(?)ssbauer 谱的测量数据,经典的理论模型难于解释本文观察到的结果.所观察到的反常可能来源于在弱局域范畴内电子间库仑相互作用的效应.     

FexSn100-x合金颗粒薄膜的反常霍耳效应

采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的FexSn100-x合金颗粒膜,系统地研究了该体系的反常霍耳效应.在该薄膜中发现了铁磁金属/非磁金属体系中最大的霍耳电阻率,讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响.通过研究饱和霍耳电阻率ρxys同电阻率ρxx的关系,讨论了反常霍耳效应的机理.     

FexSn100-x合金颗粒薄膜的反常霍耳效应

采用离子束溅射的方法制备了一系列不同原子比的Fe_xSn_100-x合金颗粒膜，系统地研究了该体系的反常霍耳效应.在该薄膜中发现了铁磁金属/非磁金属体系中最大的霍耳电阻率，讨论了不同原子配比、薄膜厚度对霍耳效应的影响.通过研究饱和霍耳电阻率ρ_xys同电阻率ρ_xx的关系，讨论了反常霍耳效应的机理. 关键词： 反常霍耳效应 xSn_100-x薄膜')" href="#">Fe_xSn_100-x薄膜     

晶态合金电阻率的Ziman型理论与A15化合物的T~2电阻行为

本文评述了高T_cA15化合物低温电阻率反常行为的几种解释,指出现有的模型未能对A15化合物中明显存在的T~2电阻率温度依赖性给出可信的说明.基于作者最近发展的晶态合金系统的Ziman-Baym型电阻理论,我们提出了二元有序A15结构化合物低温电阻率行为的一个新的解释.按照我们的模型,A15化合物中的T_2型电阻反常行为主要来自构成该系统的两组元对电子散射能力存在很大的差异以及其中过渡元素原子的d共振散射,因而是这类化合物广泛存在的本征效应.     

温度各向异性等离子体中的电磁波不稳定性产生的反常电阻率

本文考察了由于温度各向异性分布产生的电磁波不稳定性所联系的反常电阻率问题,讨论了这一现象与地球磁场磁尾区中“磁再联”现象的关系。     

磁层顶中的低混杂漂移不稳定性

本文讨论了具有简单结构磁层顶中的低混杂漂移不稳定性,假定在磁层顶中磁场方向是相互平行的,电子与离子的密度处处相等,总压力为一常数,采用1971年Alpers建立的分布函数做为零级分布,计算了下混杂漂移不稳定性的增长率和饱和时相应的反常电阻,计算表明,当磁层顶厚度接近两个质子迴旋半径时,低混杂漂移不稳定性的增长率约为0.26ω_LH(ω_LH为低混杂频率),反常电阻率为10^-5sec,随着磁层顶厚度成倍增加,反常电阻率以指数形式下降。 关键词：     

FeMnAl合金的低温比热

本文给出了Mn成分在25at.％左右,Al成分从0-14at.％变化的一些FeMnAl合金在2-7.5K温度区间内的低温比热测量结果.联系于电阻率随温度变化的反常行为,我们认为Al原子的外层电子可能已经进入合金的d带.比热中大的线性项来源于磁相互作用不均匀性的贡献.实验中没有发现起源于自旋原子团的常数项存在.     

Nd1.67Sr0.33NiO4中的热导反常

报道了两个典型掺杂的镍氧化物Nd＿2-xSr＿xNiO＿4(x =0.33,1.35)的低温热导率、电阻率和低场交流磁化率，测试温区为77—300K. 在Nd＿2-xSr＿xNiO＿4 (x=0.33)样品的热导率-温度曲线上在电荷有序转 变温度（T＿CO）和自旋有序转变温度（T＿SO）附近分别观测到反常， 电荷有序使热导率在T＿CO以下有所增加，反铁磁自旋有序使热导率在T＿SO附近被压制. 在低场交流磁化率-温度曲线上也分别观测到对电荷有序和自旋有 序的响应，而在其电阻率-温度曲线上仅观测到电荷有序. 作为比较，Nd＿1.67Sr0.33NiO＿4样品中没有观测到输运性质和磁性质上的反常. 两个样品中声子热导占 主导地位. Nd＿1.67Sr0.33NiO＿4样品中电荷有序和自旋有序导致的热导 率的反常表明样品中存在强的电荷-声子和自旋-声子相互作用. 关键词： 热导率 电荷有序 自旋有序     

氢对非晶态Y_5Ni_(95)合金膜的磁性和电子输运性质的影响

采用电解法实现了非晶态Y,Ni_(95)合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni_(95)H_x(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。     

YBa2Cu3O6＋x体系中反常的电阻率与载流子浓度关系

样品ＹＢａ２Ｃｕ２Ｏ６＋ｘ的载流子浓度通过４５０℃氮气流中退火来改变，电阻率与载流子浓度的关系由原位电阻测量确定，发现样品的电阻率随退火时间增是增大，这是 氮气氛中退火时间增加导致样品的氧含量减少，然而，当退火达三小时样品的电阻率出现反常，样品的电阻率迅速下降一个量级。     

替代式合金系统的电阻率

本文将文献[1]的无序晶态合金电阻率理论推广到包含长程有序的系统,从而建立了适用于晶态金属,无序及有序替代式合金的Ziman型电阻率理论。根据这个理论我们详细讨论了这类系统电阻率的温度依赖性。文中着重指出:合金系统结构因子的超结构峰对电阻率有重要贡献。这个贡献在低温下是一个T²项,它比电子-电子散射引起的T²项大得多,因而合金系统电阻率在T<<Θ(Θ是德拜温度)时有ρ≈ρ₀+ρ_a(T/Θ)²+ρ_i(T/Θ)⁵的形式。据此,许多A-15化合物正常态电阻率在低温下的反常行为很容易解释。作为例子,我们将低温电阻率的理论表达式与V₃Si的测量值作了比较,符合得很好。     

氢对非晶态Y5Ni95合金膜的磁性和电子输运性质的影响

采用电解法实现了非晶态Y,Ni₉₅合金的加氢。在1.5—400K温度范围内测量了a-Y,Ni₉₅H_x(x=0—15.1)合金的磁矩、电阻率和霍耳电阻率随氢含量的变化关系。结果指出,随氢含量增加,样品的0K磁矩、居里温度和电阻率温度系数显著下降,而高场磁化率、电阻率和反常霍耳系数则迅速增加。借助现行的理论对加氢引起的上述影响进行了简要的讨论。 关键词：     

液体-液体相变与反常特性

绝大多数物质的液态密度随温度降低而增大,即常见的热胀冷缩现象.但存在一类物质,如水及第四主族的硅、锗等,其液态密度在一定温度范围内随温度的升高而增大,即密度反常现象.此外,该类物质还存在动力学反常(密度越大粒子运动越快)、热力学反常(热力学量的涨落随温度降低而升高)等其他反常特性.这类材料的化学性质千差万别,但却具有相似的物理反常特性.进一步的理论研究发现部分材料具有两种液态,即高密度液态和低密度液态,两者之间存在一级相变.因此,反常特性与液体-液体相变是否有直接关联是一个值得深入研究的课题.本文主要介绍了具有液体-液体相变的一类材料及其反常特性,包括高温高压下氢的液体-液体相变及其超临界现象,镓的反常特性及其与液体-液体相变的关联等.     

Fe-25Mn—5Al-0.2C合金低温电阻率的负温度系数行为

在4.2K到300K之间,在大块晶态Fe-25Mn-5Al-0.2C合金中观察到了反常的电阻负温度系数行为,在50K以下,电阻率大体和lnT成正比,可能起源于磁性的机制。 关键词：     

场反向位形形成的实验研究

本文用场反向角收缩装置FRP-1研究了场反向磁场位形的形成。结果表明,没有镜场时,形成的场反向位形的长度大于主线圈长度;有镜场时,形成的场反向位形可以很好地将等离子体约束在主线圈之内,同时有明显的轴向收缩。在主压缩场扩散阶段,等离子体电阻率呈反常性质。     

TI结构Na_(0.33)WO_3的电阻率随温度变化反常

为研究NaxWO3系统的反常超导性质,我们以分析纯Na2WO4和WO3为原料,用熔盐电解法制备了几种组分的钠钨青铜单晶样品.其中发现Na0.33WO3的电阻率随温度的变化关系反常. Na0.33WO3的制备过程如下:将Na2WO4和WO3分别占40%和60%摩尔的原料盛入刚玉坩埚内,加热到780℃,待熔融后进行电     

Heusler合金Co2 TiSn的磁性与输运性能

通过对Heusler合金Co2TiSn磁性和输运性能的实验研究,发现低场中Co2TiSn呈现出亚铁磁性;电阻和霍尔电阻率在温度低于8K时均出现异常.同时分析了电输运的散射机制,并对反常霍尔效应产生的机制进行了探讨.     

Heusler合金Cu2VAl磁性及输运性质的研究

对Heusler合金Cu2VAl多晶甩带样品进行了磁性与输运性质方面的研究.实验发现Cu2VAl在温度T为210K附近发生铁磁-顺磁相变,为弱铁磁体.输运性质的测量表明在7.2K时电阻因局域杂质超导相变而发生突变,电子和声子之间的散射是主要的散射机理.居里温度Tc以下存在侧跃导致的反常霍尔效应,并且7K附近的相变导致霍尔电阻率发生异常.     

分子束外延Mn4N单晶薄膜的反常霍尔效应研究

Mn₄N是立方相的反钙钛矿型晶体,具有显著的亚铁磁性和反常霍尔效应.该文利用等离子辅助分子束外延在MgO(100)衬底上生长厚度为40 nm的Mn₄N(100)单晶薄膜,通过X射线衍射θ扫描和φ扫描,证实外延层的结构符合Mn₄N单晶的空间结构特征;化学态测试结果表明Mn₄N(100)薄膜内部存在Mn⁰、Mn²⁺和Mn⁴⁺等几种价态,其实际化学式为Mn_3.6N,薄膜中存在富余的N元素;电学测试数据表明Mn₄N(100)薄膜具有以电子为载流子的反常霍尔效应(在正磁场中得到负的霍尔电阻率),正常霍尔效应的贡献约占千分之六,其反常霍尔电阻率随着测试温度升高5 K～350 K单调增大,说明温度升高导致电子散射现象加剧.通过对测试数据分析可以推断,在5 K～50 K和50 K～75 K温度范围,反常霍尔效应的来源可分别归结为电子斜散射机制和电子边跳机制.在75 K～350 K这一温度范围内,反常霍尔效应...     

La_(0.67)Ca_(0.33)Mn_(1-x)Cr_xO_3(0.0≤x≤0.15)中异常的CMR效应

我们研究了Mn位掺Cr体系La0 .67Ca0 .33Mn1-xCrxO3( 0 .0≤x≤ 0 .15)的磁性和磁电阻性质 ,发现Cr掺杂对居里温度Tc 影响不明显 ,但是导致了反常的电输运和磁电阻行为 ,随着Cr含量的增加 ,起始电阻率峰向低温移动 ,同时电阻率出现一个附加峰 .在磁场作用下 ,两个电阻率峰被强烈压缩 ,导致CMR效应中出现双峰 ,并且CMR效应的温区被极大地拓宽 ,从低温直到接近室温 .这个结果表明 :Mn位元素替代是调节CMR效应的有效方法 .