固态检测器－ICP－AES中的计算机差谱改进技术──Ⅰ．原理和实验

本文使用固态检测器－光电二极管阵列（ＰＤＡ）或电荷耦合器件（ＣＣＤ）在ＩＣＰ－ＡＥＳ上实现了无需知道基体浓度情况下对复杂组分中微量元素进行测定的计算机差谱改进法。用Ｃ语言编写了实施差谱技术以及实验室例行分析的软件，探讨了方法的原理，对Ｖ基体中Ａｌ，Ａｌ和Ｍｇ基体中Ｖ的测定结果表明，该差谱技术能准确消除复杂基体产生的光谱干扰。     

5—Br—PADAP测定地下水中钒

本文研究了ＨＣｌ－ＫＣｌ缓冲体系中钒（Ｖ）与５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ形成配合物的条件及配合物的带电性质。提出一个灵敏、简便、快速测定钒的分光光度法。配合物的表观摩尔吸光系数为３．８×１０＾４，最大吸收波长为５８８ｎｍ，钒（Ｖ）与５－Ｂｒ－ＰＡＤＡＰ的配合比为１：１。含钒量在０－２０μｇ／２５ｍＬ范围内符合比尔定律。分析季地下水中钒，结果满意。     

MBE和MOCVD生长的AlGaAs／GaAsGRIN—SCH SQW激光器深中心的比较

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术详细研究分子束外延（ＭＢＥ）和金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）生长的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ｇｒａｄｅｄ ｉｎｄｅｘ ｓｅｐａｒａｔｅ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ ＳＱＷ）激光器的深中心。结果表明，在激光器的ｎ－ＡｌＧａＡｓ层里除众所周知的ＤＸ中心外，还存在着较大浓度和俘获截面     

Authors Index to Volume B5

ＡｕｔｈｏｒｓＩｎｄｅｘｔｏＶｏｌｕｍｅＢ５ＡＮＨｏｎｇｌｉｎ－－（６），５０１ＢＡＯＧｕｏｊＵｎ－－（ｌ），８ＢＡＯＪｉａｓｈａｎ－－（ｌ），４３ＣＡＩＢａｎｇｗｅｉ－－（４），３６３ＣＡＯａｃｉｎｇ－－（１），９４ＣＡＯＱｉｎｇ－－（５），４３９...     

氯代甲烷分子对电子激发态CH（A^2△,B^2Σ^—和C^2Σ^＋）的猝灭

本文用激光光解－荧光猝灭方法测定了ＣＨ３Ｃｌ对ＣＨ（Ａ，Ｂ和Ｃ）及ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３和ＣＣｌ４对ＣＨ（Ｃ）的猝灭速率常数。结果表明，氯代甲烷分子对ＣＨ（Ｃ）的猝灭速率常数近似于ＣＨ（Ｂ）的猝灭速率常数，而比ＣＨ（Ａ）的猝灭速率常数大，但都具有与气动速率相当的量线，表明化学反应在其中可能起着重要的作用，且ＣＨ（Ａ，Ｂ，Ｃ）的猝灭速率常数都随氯代甲烷分子中的Ｃ－Ｃｌ键数的增加而增大。我们用碰撞络     

乙烯基吡咯烷酮—醛酸乙烯酯共聚物对1—苯胺基萘—8—磺酸盐水溶液的荧光...

将荧光探针１－苯胺基萘－８－磺酸盐（ＡＮＳ）加入到乙烯基吡咯烷酮（ＶＰ）－醋酸乙烯酯（ＶＡＣ）共聚物溶液中，共聚物组成分别为ＦＶＰ＝０．８４；０．７４；０．７０；０．５５（以乙烯基吡咯烷酮结构单元的分子数表示）。实验结果表明：ＶＰ－ＶＡＣ共聚物对ＡＮＳ水溶液的荧光强度增强效应与共聚物中乙烯基吡咯烷酮在逻节中的比例有关，其组成为ＦＶＰ＝０．５５的共聚物对ＡＮＳ水溶液有显著的荧光增强效应，相对荧光强度     

电热蒸发—电感耦合等离子体原子发射光谱（ETV—ICP—AES）的基体…

本文研究了电热蒸发电感耦合等离子体原子发射光谱（ＥＴＶ－ＩＣＰ－ＡＥＳ）中氯化物，高氯酸等产生的干扰，并且与无火焰石墨炉原子吸收（ＧＦＡＡＳ）中这些基体的干扰作了比较，认为酸等产生的干扰，并且与无火焰石墨炉原子吸收（ＧＦＡＡＳ）中这些基体的干扰作了比较，认为ＥＴＶ－ＩＣＰ－ＡＥＳ的干扰比ＧＦＡＡＳ干扰小。本文还对这两种方法中干扰的差异作了一些探讨。     

ICP-AES直接测定硅灰石中Al、Mg、Fe

以电荷耦合器件为检测器的ＩＣＰ－ＡＥＳ光谱仪直接测定硅灰石中Ａｌ、Ｍｇ、Ｆｅ。研究了等离子体轴向观测方式下在炬中心通道及偏离中心通道位置，硅灰石中Ｃａ对各元素谱线基体效应。通过选取合适的工作参数与对比来消除基体干扰，测定了合成样及实际硅灰石样中Ａｌ，Ｍｇ，Ｆｅ基体匹配法，结果满意。     

直流等离子体－中阶梯光栅直读光谱仪测定地质样品中微量锂

本文应用ＤＣＰ－ＡＥＳ法测定地质样品中微量锂。讨论了基体效应和阴离子效应、基体（Ｆｅ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｋ和Ｎａ）对Ｌｉ元素谱线产生不同程度的增强效应。在待测溶液中加入一定量的基体元素，能有效地降低或消除这种影响。基体元素产生的增强效应主要是阳离子的作用。还讨论了分析线的线性状况。方法简便可靠，Ｌｉ的测定范围为１～１５００μｇ／ｇ，相对标准偏差为３．１～６．３％。     

ICP—AES法测定人体血清中的Al,Be,Cu,Mn,Mo,V

建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ同时测定人体血清中的Ａｌ，Ｂｅ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｖ等六种元素的方法。在我们的设备上，检出限对Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｏ为１－３μｍｏｌ／Ｌ，而对Ｂｅ，Ｍｎ，Ｖ为０．１－０．３μｍｏｌ／Ｌ。这六种元素的回收率在１００±２０％之间。     

光折变材料Cu;KNSBN的晶格振动和d—d电子跃迁

比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡和钾钠铌酸锶钡两样品的晶格振动和ｄ－ｄ电子跃迁谱，对于拉曼谱，Ａ１（ｚ）对称类的差别较小，Ｅ（ｘｙ）对称类的差别最大；对于红外反射谱，两对称类的均差别较大，认为Ｃｕ＾２＋部分填充了晶格Ａ位和Ｃ位，可见光范围内，ｄ－ｄ电子跃迁谱表明Ｃｕ＾２＋在晶体中形成两个深能级２．５ｅＶ和２．６４ｅＶ。     

一甲基硫脲与支持电解质的阴离子在银电极上共吸附的拉曼光谱研究

本文用电化学现场表面增强拉曼散射光谱（ＳＥＲＳ）技术研究了ＭＴＵ在ＨＣｌＯ４、Ｈ２ＳＯ４和ＨＮＯ３介质中分别与一种或两种无机阴离子的共吸附行为，发现ＣｌＯ－４、ＳＯ２－４和ＮＯ－３等弱吸附无机阴离子均能被ＭＴＵ诱导物理吸附在其质子化了的氨基（ＮＨ＋３）上，这三种无机阴离子被ＭＴＵ诱导物理吸附的强弱顺序是：在电极电位位于－０．２Ｖ～－０．７Ｖ区间时，ＳＯ２－４＞ＣｌＯ－４＞ＮＯ－３，在电位位于－０．８Ｖ～－１．２Ｖ区间时，ＣｌＯ－４＞ＳＯ２－４＞ＮＯ－３。     

ICP-AES法测定碲锭中Al、Ag、Bi、Cu、Cd等13个杂质元素

本文介绍了采用电感耦合等离子体发射光谱法（ＩＣＰ－ＡＥＳ）测定碲锭中Ａｌ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｃｄ 等１３ 个杂质元素的方法。采用离峰扣背景法校正了碲基体的干扰,测定结果令人满意。     

连续氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品…

本文叙述用氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品中痕量硒，砷，锡，锑的方法。比较了浓度为２．８８ｍｏｌ／Ｌ，４．８ｍｏｌ／Ｌ和６．０ｍｏｌ／Ｌ的ＨＣｌ对Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｈｇ和Ｇｅ谱线强度的影响，也比较了ＮａＢＨ４溶液中ＶＣ对测定Ｓｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｈｇ和Ｇｅ的影响。在４．８ｍｏｌ／Ｌ ＨＣｌ浓度下，在１％ＮａＢＨ４溶液中加０．５％ＶＣ，ＨＹ－ＩＣＰ－ＡＥＳ的检出限是：Ｓｅ ０．     

NYAB晶体的COTTON效应和旋光度估算

本文报道了ＮＹＡＢ［四硼酸铝钇钕，Ｎｄ，Ｙ１－ｘＡｌ３（ＢＯ３）４］在室温下，３００－８００ｎｍ波长范围内晶体Ｚ轴方向的ＣＤ谱（圆二色性谱）测定的结果，给出了相应的Ｃｏｔｔｏｎ效应参数。将Ｋｒｏｎｉｇ－Ｋｒａｍｅｒｓ变换公式应用于晶体，在高斯型ＣＤ带近似下，给出了晶体旋光度与Ｃｏｔｔｏｎ效应参数的关系式。计算了ＮＹＡＢ晶体Ｚ轴方向的旋光度，讨论了在ＣＤ带半宽较小时用ＣＤ谱的测量估算晶体旋光度的优点     

ICP—AES法同时测定掺质钒酸钙晶体中的钙,钒,钕,镱,锗

本文采用ＩＣＰ－ＡＥＳ法同时测定了掺质Ｃａ３（ＶＯ４）２，晶体中Ｃａ，Ｖ，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｇｅ的含量，选择了合适的分析谱线和积分时间，试样用硝酸溶解后直接测定，方法简便，准确，快速，合成试样中各被测元素的回收率为９８％－１０４％，相对标准偏差〈４．０％，Ｎｄ，Ｙｂ，Ｇｅ的检出限为０．０００２－０．０１８μｇ／ｍＬ。     

后退火对InxGa1—xAs单层量子点光学性质的影响

研究了以ＧａＡｓ和Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ为基体,当铟的摩尔分数（ｘ）不同时,后退火对ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ单层量子点光致荧光（ＰＬ）谱特性的影响。后退火将导致铟含量不同的样品（ｘ＝０．２３,０．３７,０．５０,１．０）的ＰＬ谱线宽度变窄和蓝移。对于ＧａＡｓ基体,在７００℃退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移与退火３０分钟相似;（仅当ｘ＝０．２３时,退火９０分钟所造成的ＰＬ谱蓝移小于３０分钟）。对于Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ基体,在７００℃退火３０分钟和９０分钟,其ＰＬ谱蓝移是不同的。     

单源溶液超声波雾化MOCVD法在Ag基体上制备YBCO膜

本报道了用单溶液超声波雾化ＭＯＣＶＤ工艺在金属Ａｇ基体上制备了ＹＢＣＯ超导膜的结果。将Ｙ（ＴＭＨＤ）３、Ｂａ（ＴＭＨＤ）２和Ｃｕ（ＴＭＨＤ）２按要求比例溶于四氢呋喃中，经超声波雾化，通过毛细管送入蒸发室，随即进入沉积室，在Ａｇ基体上沉积ＹＢＣＯ。该技术有效地简化了ＣＶＤ过程，提高了所制样品的再现性。ＸＲＤ分析表明，ＹＢＣＯ膜具有较好的ｃ－轴取和向单相性。     

ICP—AES测定核纯海绵锆中17个杂质元素方法的研究

应用ＩＣＰ－ＡＥＳ法，对核纯海绵锆中１７个杂质元素的测定进行了试验研究。取样量１００ｍｇ时，Ａｌ、Ｃａ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ和Ｚｎ的测定范围是１０μｇ／ｇ－３２００μｇ／ｇ。回收率为９５．２％－１０６．５％。     

光折变材料Cu∶KNSBN的晶格振动和d－d电子跃迁

比较了铜掺杂钾钠铌酸锶钡（Ｃｕ∶ＫＮＳＢＮ）和钾钠铌酸锶钡（ＫＮＳＢＮ）两样品的晶格振动和ｄ－ｄ电子跃迁谱，对于拉曼（Ｒａｍａｎ）谱，Ａ１（ｚ）对称类的差别较小，Ｅ（ｘｙ）对称类的差别最大；对于红外反射谱，两对称类的均差别较大，认为Ｃｕ２＋部分填充了晶格Ａ位和Ｃ位，可见光范围内，ｄ－ｄ电子跃迁谱表明Ｃｕ２＋在晶体中形成两个深能级２．５０ｅＶ和２．６４ｅＶ。