YVO_4晶体及其掺Nd的喇曼光谱

本文报道了对YVO4 晶体及其掺Nd的喇曼光谱的测量结果 ,用这些结果可以了解到这种材料的声子能谱情况 ,在与其它基质材料比较中可以看出它的特点是 :分立的低声子在 5 0 0～ 80 0cm-1之间有一个间隙 ,主要的部分分布在 80 0～ 90 0cm-1附近 ,根据群论分析可以得出各喇曼谱线相应的对称性 ,而且可看出这些喇曼谱线主要来源于VO3 -4 的振动。对这种不均匀分布的声子能谱对于其光谱性能可能产生的影响也作了分析讨论。测量结果还发现掺杂能抑制原有的高能声子。     

液体的脉冲差分光声喇曼光谱

采用脉冲光声方法测量了各种有机和无机液体的受激喇曼光谱,探讨了影响这种光谱技术灵敏度的主要原因,即来自线性吸收信号的干扰,并进一步采用一种改进的方法——差分方法,消除了线性光声信号的影响,可以测量到比较弱的喇曼谱线以及浓度比较低的物质的喇曼光谱,并探讨了这种技术在痕量物质测量以及探测环境污染物质等领域中的应用前景.     

基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的喇曼光谱

本文研究了基质发光材料Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的喇曼光谱.用群论方法分析了它们的内、外振动模式,对实验振动模进行了指认.本文还将上述喇曼光谱与Na5Eu(WO4)4、CaWO4、SrWO4、CaMoO4和SrMoO4的喇曼光谱进行了比较,Na5Eu(MoO4)4和NaEu(MoO4)2的喇曼光谱结果表明(MoO4)2-离子团的高能量拉伸内振动是产生Eu3+的5D2→5D1,5D1→5D0-多声子无辐射弛豫的原因,这导致了Eu3+在这类材料中主要产生5DO→7Fj的发光跃迁.     

钆镓石榴石单晶的喇曼光谱

测量了助熔剂法和提拉法生长的钆镓石榴石单晶的喇曼光谱。识别了该晶体的喇曼活性声子。和文献[6]相比,本文得到了更完全的结果。我们也比较了两种方法生长的晶体的喇曼谱,声子模式彼此一致。发现一些不同的谱线,这被识别为不同稀土掺杂离子的荧光谱线。 关键词：     

BaTiO3和Ce:BaTiO3晶体极性声子和电磁激元的喇曼散射研究

从声子-电磁激元频率色散关系的普遍公式出发,推导出了单轴晶体的Merten方程和电磁激元的频率色散关系。测量了BaTiO₃和Ce:BaTiO₃晶体的简正模和斜声子的喇曼散射谱,并根据Merten方程,拟合出了斜声子的方向色散曲线;记录了A₁类电磁激元在不同波矢值下的喇曼谱,观察到其频率色散现象.根据以上结果,对A₁(TO)模喇曼谱中两个宽的非对称峰的归属和BaTiO₃晶体的结构相变机制进行了讨论;计算出了这两种晶体的受夹介电常数;分析了掺Ce对BaTiO₃晶体结构的影响。 关键词：     

反向泵浦的受激喇曼光声光谱

报道一种改进的受激喇曼光声光谱实验方法 (PhotoacousticRamanSpectroscopy ,PARS) ,该方法的主要特点是将两束激光以反向传播的方式重合 ,从而不仅克服了通常的实验方法 (两束激光通过双色镜片重合 )在测量小喇曼位移方面的限制 ,也使实验的操作更加简单 .在实验中 ,以CH4 分子为研究对象 ,一束波长为 5 3 2 .1nm的激光作为泵浦光 ,另一束可调谐激光作为探测光 (Stokes光 ) ,两束光相向作用于光声池内 ,在 62 5～ 64 2nm和 5 73～ 5 89nm得到了CH4 分子ν1 、ν2 和ν3模的PARS光谱 ,其结果与前人利用自发喇曼散射技术 (ORS)一致 ,其中喇曼活性较弱且喇曼位移较小的ν2 模的PARS光谱是新得到的     

激光、激光技术 激光工作物质

TN2442006053962Nd∶LuVO4晶体的喇曼光谱研究=Raman spectrainvesti-gation of Nd∶LuVO4crystal[刊,中]/冉栋刚(山东大学物理与微电子学院.山东,济南(250100)),夏海瑞//光散射学报.—2006,18(2).—139-146采用不同的几何配置测量了Nd∶LuVO4晶体的室温喇曼光谱,根据群论对称性分类计算了该晶体的红外和喇曼活性振动模并与实验结果做了比较,指认了测定的特征谱线。测量并分析了Nd∶LuVO4晶体A1g全对称类的高温喇曼光谱,讨论了喇曼频移随温度变化的关系,认为晶体的热膨胀是引起喇曼频移变化的主要原因。图6表3参11(杨妹清)TN244200…     

空间限制与应变对发光多孔硅喇曼光谱的影响

发光多孔硅的喇曼光谱在５２０ｃｍ^－１附近呈现一锐峰，峰位的红移随多孔度的增大而增大采用微晶模型拟合喇曼谱的线形，发现除了光学声子的空间限制效应，硅单晶的应变对峰位的移动也有显著贡献。通过谱形的拟合估算了硅微粒的应变，与已报道的Ｘ射线衍射结果相一致。在多孔硅的喇曼光诸中没有观察到起源于非晶硅的光散射信号。 关键词：     

钽酸锂晶体的喇曼光谱及其方向色散的测定

为了测定钽酸锂铁电晶体异常声子的方向色散,我们找到一种较为满意的直角散射几何配置,制备了十个不同取向的样品,并为消除内反射光引起的附加散射,在样品表面上镀了增透膜,获得了波夫与光轴成不同夹角时的一系列寻常声子和异常声子的喇曼光谱.对这些喇曼光谱进行了识别,认定了四个A_1光学声子和九个E光学声子,确定了十三个异常声子方向色散支.由于全部异常声子的散射峰能始终一起出现在同一喇曼光谱中,使得异常声子方向色散的确定一目了然.最后用单轴晶体异常声子方向色散公式计算了异常声子的方向色散曲线,实验与理论计算相当符合.     

BaTiO_3和Ce:BaTiO_3单晶的高温喇曼散射研究

从室温至180℃测量了BaTiO_3和Ce:BaTiO_3单晶的偏振喇曼谱,在X(ZZ)Y几何配置下发现了三条频率分别为986,1204和1480cm~(-1)的新谱线.根据喇曼散射截面的温度依赖关系,确认这些新谱线对应二阶喇曼散射,而A_1(TO)谱中位于275和514cm~(-1)处的非对称宽峰则属于一阶喇曼散射.在此基础上,对立方相BaTiO_3的喇曼谱和结构相变机制进行了讨论.通过比较BaTiO_3与Ce:BaTiO_3喇曼谱随温度的变化,发现掺Ce降低了BaTiO_3晶体的Curie温度,与介电系数的测量结果相符.     

单、双掺钒酸钇晶体的Raman光谱与能量转移研究

文章采用双光栅单色仪(HRD-1),氩离子激光器的488.0 nm波长激发,分别测得室温下,激发光平行、垂直晶体c轴入射时,Tm3 ,Ho3 单掺和双掺钒酸钇晶体的拉曼光谱,对检测结果进行分析并探讨了对能量转移的影响.观测到对Ho3 :YVO4,激发光垂直c轴时的散射光强明显强于激发光平行c轴时的散射光强;由于488.0 nm波长靠近Ho3 的一个吸收峰,吸收和散射相互竞争,使475 cm-1被削弱,且外模振动展宽;测得样品最大声子能量集中在880cm-1附近.主要是(VO4)3-的A1g呼吸模引起的,表明与YAG基质一样,也是一种具有高声子能量的晶体.用808 nm激发,锁相放大器,PbS探头接收,测得双掺Tm3 :Ho3 :YVO4的2.09 μm荧光强度是单掺Tm3 ∶YVO4 1.85 μm的4/5,意味着Tm3 对Ho3 的敏化效率高达80%,因为Tm3 :YVO4的荧光谱与Ho3 吸收谱重合甚少,由辐射跃迁导致的能量转移可能性不大,因此Tm3 离子之间的交叉弛豫以及Tm3 的3F4与Ho3 的5I7之间近共振的能量转移主要是依靠声子辅助的无辐射跃迁.     

The Spectroscopic Properties of Tm and Ho Co-doped YVO4 Crystal

In this paper, the measured results of spectroscopic properties for Tm, Ho co-doped YVO4 crystals are reported. The absorption spectra, fluorescence spectra and calculated spectroscopic parameters are given. The processes of sensitized luminescence of Ho3+ by Tm3+ with 805 nm LD pumping were investigated. It was found that Tm3+ ion in YVO4 has a larger uniform absorption width (～26 nm) and a larger peak and integreted cross-section of absorption at 800nm (～1.4×10-20 cm2 and 246×10-20 cm) than that in YAG and YLF. The high energy transfer efficiency from Tm3+ to Ho3+ (up to 87%) and low pumping threshold (15 mW) show that Tm3+ can efficiently sensitize Ho3+ in YVO4 crystal. The dependence of ～2 μm emission for Ho3+ on the Tm, Ho doping concentrations was preliminarily analyzed and discussed.     

Second-Stokes YVO4/Nd:YVO4/YVO4 self-frequency Raman laser

We demonstrated an efficient second-Stokes Raman laser emission at 1313 nm based on self-frequency stimulated Raman scattering from a diode-end-pumped actively Q-switched YVO(4)/Nd:YVO(4)/YVO(4) laser at 1064 nm for the first time, to the authors' knowledge. A double-end diffusion-bonded Nd:YVO(4) composite crystal was adopted for sufficiently improving the thermal lensing effect in the course of self-frequency stimulated Raman scattering operation. With an incident pump power of 14.6 W and a pulse repetition (PRR) of 40 kHz, a maximum average output power of 2.34 W was obtained, corresponding to an optical-to-optical conversion efficiency of 16%. Pulse width and peak power were 1.2 ns and 49 kW, respectively.     

Nd:YVO4激光晶体Raman光谱的分析

根据商群对称性分析法对Nd :YVO4 晶体的Raman光谱做了理论计算和指认 ,运用实验的手段 ,根据谱线数目判定其合理性 ,同时断定晶体原胞中含有 4个Nd :YVO4 分子     

ZnSe-ZnS应变超晶格的Raman散射

本文报导了Znse—ZnS应变超晶格的Raman光学声子谱.我们观测到,随着应变大小的改变,ZnSe和ZnS的纵向光学声子发生频移.ZnSe层中纵向光学声子可发生较大的蓝移,也可发生较小的红移;ZnS层中的纵向光学声子发生较大的红移.这些现象为“应变场下的光学模理论”所解释.文中还报导了在波数为110cm-1处观测到一很强的散射峰,并把它归结为超晶格表面层单斜Se所引起的散射;在其它地方还观测到非晶态Se、三角Se引起的散射峰.     

Efficient subnanosecond diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO4 self-stimulated Raman laser

Generation of efficient subnanosecond self-stimulated Raman pulses by a diode-pumped passively Q-switched Nd:YVO4/Cr4+:YAG laser is demonstrated. Experimental results reveal that self-frequency Raman conversion can be achieved with a c-cut Nd:YVO4 crystal in a nearly hemispherical cavity. At 2.0 W of incident pump power, the self-stimulated Raman laser produces stable 710-ps pulses at a Stokes wavelength of 1178.6 nm with 7.2 microJ of pulse energy at a 17-kHz repetition rate.     

The Spectroscopic Properties of Tm and Ho Co-doped YVO_4 Crystal

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ＴｈｅｓｔｕｄｙｏｎｔｈｅＹＶＯ4ｃｒｙｓｔａｌｃａｎｂｅｔｒａｃｅｄｂａｃｋｔｏ 1 970′ｓ.Ｈｏｗｅｖｅｒｄｕｅｔｏｉｔｓｐｏｏｒｈｅａｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ,ｉｔｈａｓｎｏｔｂｅｅｎｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄａｓａｇｏｏｄｃａｎｄｉｄａｔｅｆｏｒｆｌａｓｈｌａｍｐ ｐｕｍｐｅｄｌａｓｅｒｓｙｓｔｅｍ .Ｌａｔｅｌｙ ,ｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＬＤｌａｓｅｒａｎｄｎａｒｒｏｗｂａｎｄＬＤ ｐｕｍｐｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｉｍｅｄａｔｔｈｅａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ ｐ…     

激光二极管端面抽运Nd:YVO4实现1386 nm连续波激光输出

在Nd:YVO4晶体的4F3/2-4I13/2跃迁带内,除了1342 nm激光辐射之外,其它的跃迁谱线由于小的受激发射截面和强的寄生振荡,很难形成激光振荡.通过调整谐振腔损耗,获得了光纤耦合激光二极管端面抽运1386 nmNd:YVO4激光器激光连续输出.在抽运功率达到4.24 W时,得到了305 mW的1386 nm激光连续输出,最高输出功率下的斜效率为13.9%.实验中还观察到了1342 nm和1386 nm的双波长运转.根据抽运阈值能量和实验数据,计算得到了Nd:YVO4晶体中1386 nm激光辐射处的受激发射截面大约为(3±1)×10-19cm2.     

Tm:YVO4晶体的光谱参数计算

由测量的Tm :YVO4晶体的吸收光谱 ,考虑到单轴晶体在各个方向上的吸收不同和折射率随波长的变化 ,根据Judd Ofelt理论计算了Tm3 +在YVO4中的强度参数、各个能级的振子强度、自发辐射几率、荧光分支比、积分发射截面等参数。强度参数为Ω2 =1 9416× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω4=0 15 6 8× 10 - 2 0 (cm2 ) ,Ω6=0 396 3× 10 - 2 0 (cm2 )。计算结果表明 ,1 D2 → 3 F4的跃迁几率远大于1 D2 向其他各个能级的跃迁几率