Nd：GdVO4单晶的生长、位错和形貌

用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd：GdVO4)单晶，并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑，测定了(100)面晶体位错密度为600个／mm^2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌，可采用简单光学方法确定晶体方向。     

Yb:Y_xLu_(1-x)VO_4混合激光晶体中的缺陷研究

采用提拉法生长出了Yb:YxLu1-xVO4混合晶体,XRD测试发现该晶体具有四方Zr Si O4结构,经计算晶胞常数为a=b=0.7126(2)nm,c=0.6259(7)nm。利用化学腐蚀法和同步辐射X射线形貌术,分析了晶体中的缺陷,发现位错和小角度晶界是晶体中的两种主要缺陷。利用Read-Shockley公式计算分析了晶体中的转向小角度晶界,发现Yb:YxLu1-xVO4晶体中存在伯格斯矢量为[100]的位错。分析了晶体中位错和小角度晶界的形成原因,认为晶体生长和退火过程中的温度波动容易在Yb:YxLu1-xVO4晶体内部引起局部晶格畸变,诱发位错和小角度晶界的产生,因此混合晶体生长过程需要更精确控制。     

化合物半导体异质外延层中的缺陷

本文报道了用MBE方法在Si(100)上生成GaAs和用MOCVD方法在GaAs(100)上生成CdTe的异质外延层中的某些缺陷。用JEM-4000EX和JEM-200CX电镜观察,电子束沿晶体的[011]方向入射,观察到的晶体缺陷运用高分辨像和选区衍射技术进行研究和分析。结果表明CdTe/GaAs中主要缺陷是失配位错及微孪晶,而在GaAs/Si中还含有反相无序。     

线性低密度聚乙烯流延膜取向与阻隔性能关系研究

采用广角X射线衍射(WAXD),小角X射线散射(SAXS)和小角激光光散射(SALS)系统地表征了线性低密度聚乙烯(LLDPE)流延膜以及加入成核剂HPN-20E的LLDPE流延膜的多层级凝聚态结构,并研究晶体取向分布与流延膜阻隔性能之间的关系.未加成核剂的流延膜内PE晶体的主要取向为b轴在TDND(流延膜横向-垂直于流延膜方向)平面内的,以b轴为螺旋轴的螺旋状取向,而以b轴沿MD(流延膜机械方向)方向的方式取向的晶体分布较少.成核剂的加入改变了流延膜内晶体的取向分布以及聚集情况,b轴沿ND方向的螺旋状取向(O_(ND))的晶体明显减少,片晶的尺寸、取向程度以及微观尺寸的晶体聚集情况均发生明显变化.发现在结晶度相近的情况下,晶体的取向排列是影响阻隔性能的关键因素,进而提出用一种半定量的取向结构参数R_(ND),即X射线沿着ND方向得到的晶体(110)与(200)晶面的衍射峰面积的比值,表征晶体取向与阻隔性能之间的关系.     

熔融织构生长(MTG)法制备的YBa_2Cu_3O_(7-x)超导晶体点阵缺陷的同步辐射形貌研究

自Jin等人首次采用熔融法合成类单晶显微结构的体材以来,许多研究者已获得具有高度C轴取向的类单品或高质量的单品。我们用同样方法也制得了在77K、2T磁场下,J_c为2.38×10~4A/cm~2的YBa_2Cu_3O_(7-x)超导晶体,并用高压透射电镜观察证实了高密度的位错、位错环以及弥散分布的211相,CuO粒子可能是主要的磁通钉扎中心,从而大大地     

聚苯乙烯胶态晶体的合成

近年来 ,胶态晶体引起物理学家和化学家的共同关注 [1] .占据晶格点的纳米或微米级微粒自组装行为 [2 ] 在光学显微镜和扫描电子显微镜下可被清晰地观察到 ,因此能作为研究晶体相变的模型 [3 ] ,并有助于人们加深对晶体中点缺陷、晶界及位错等现象的了解 .胶态晶体所具有的周期性结构更使其在光学研究领域具有特殊意义 .与半导体中电子的能带结构类似 [4 ] ,胶态晶体中传播的光波色散曲线为不连续的带状结构 ,被称为“光子晶体”(photonic crystal) .在禁带区 (photonic band gap) ,光被禁止传播 ,而光散射加强 ,可将其应用于光电开关及光催…     

ZnO衍射花样180°不唯一性的消除

晶体电子衍射花样涉及到界面、位错等缺陷的晶体学性质测定时,需要设法消除180°不唯一性这一问题.应用Tecnai G~2 F20场发射透射电镜精密的倾斜样品台使晶体做有系统的倾转,观察衍射花样的变化并加以分析,从而消除了ZnO粉末单晶花样的180°不唯一性.     

聚乙烯在氧化铝模板中的结晶与取向行为

用多孔阳极氧化铝(AAO)模板制备了直径为200nm的聚乙烯(PE)纳米纤维,并用傅立叶变换红外光谱(FTIR)、偏光显微镜(PLM)和X-射线衍射(XRD)方法研究了PE在二维圆柱状受限条件下的结晶与取向行为.FTIR研究表明,由于模板的限制作用,PE纳米纤维的结晶度低于本体.同时,PE纳米纤维晶体的b轴平行于模板孔洞的方向取向,而a轴垂直于孔洞的方向取向.XRD结果进一步证明,在纳米孔洞中PE晶体的b轴平行于纳米孔洞方向.PLM结果表明,在结晶过程中,晶体主要是在模板与本体的界面处成核,然后晶体呈发散状向本体和纳米纤维中竞争生长.由于PE晶体的b轴是其生长速率最快的方向,在本体中形成典型的环带球晶形貌;而在二维圆柱受限条件下,只有沿孔洞方向生长的晶体才能增长,而其它生长方向则受到抑制,造成PE晶体的b轴沿孔洞方向优先取向.     

三维SiO2欧泊模板溶剂热法制备硫化锌光子晶体

以单分散二氧化硅微球在重力场下自组装得到的三维有序欧泊(opal)为模板，采用溶剂热法在模板空隙内生长ZnS晶体，从而制备高质量的硫化锌基光子晶体. 通过X射线衍射(XRD)和Raman光谱证明ZnS晶体为闪锌矿结构且晶体质量较好，并对其生长机理进行了讨论. 通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见分光光度计对所合成的ZnS/opal复合物与ZnS反欧泊结构进行了表征，结果表明两种结构都保持了欧泊三维有序性，并且在Г-L方向(垂直于(111)方向)上出现了布拉格衍射峰，说明其具有良好的光子晶体特性.     

HKC细胞损伤前后对草酸钙晶体吞噬能力的差异

采用人类肾脏近端小管上皮细胞系(HKC)建立氧化性损伤模型,研究损伤前后HKC调控草酸钙(CaOxa)结晶的差异。采用CCK-8法检测HKC的细胞活性;利用激光共聚焦显微镜观察HKC损伤后表达的晶体粘附分子骨桥蛋白(OPN);采用倒置显微镜观察HKC的形态变化;采用扫描电子显微镜(SEM)观察HKC微结构及其诱导的晶体;采用X射线衍射分析(XRD)表征晶体的组分。在CaOxa过饱和溶液中,正常HKC主要诱导形成二水草酸钙(COD)晶体,而损伤HKC则同时诱导了COD和一水草酸钙(COM)晶体。正常HKC对COD晶体有较强的吞噬能力,而损伤HKC的这种能力较弱;HKC损伤后表达OPN,促进CaOxa晶体的成核和聚集,从而增加了肾结石形成的危险性。     

铬酸镧材料的微结构研究

用高分辨电子显微镜对铬酸镧的晶体结构及晶界、位错等晶体缺陷进行了观察与分析。高分辨电镜的观察发现了铬酸镧晶体中存在结构调幅,并构建了长程有序结构的模型。对观察到的铬酸镧倾斜晶界进行了分析。电子衍射的结果表铬酸镧在室温上为正交晶系,并发现晶体中存在畴结构。     

铜与硝酸银置换反应的条件及机理探究

在铜与硝酸银溶液反应中通常观察到铜表面析出光亮的银,较难观察到银晶体的形状。为了更清晰地观察银晶体析出的形态,采用实验探究法,以琼脂和水为介质,探究不同介质、温度、浓度下银析出的形态及其机理。结果显示,在琼脂中银为树枝状,溶液中为团簇状,并且在溶液中随着温度升高或浓度降低,银单质分枝变多、变细长。结果可以用琼脂的三维网状结构和晶体的位错生长机理来解释。     

氧化物表面的侧表面原子成象——Ⅰ.Eu_2O_2晶体由位错滑移形成表面台阶的动态原位观察

通过高分辨电子显微术获得了Eu_2O_3晶体分子清洁的表面侧面原子成象,观察到了由表面附近位错滑移出表面而形成表面原子台阶的动态变化过程,同时还观察到了此种表面台阶的形核生长。     

高压变质岩中角闪石晶内滑动的电子显微镜研究

本文利用电子显微镜研究了江苏东海榴辉岩中的角闪石和陕西鱼洞子群变质角闪岩中的角闪石微结构,发现这些角闪石存在位错和其他缺陷。在榴辉岩的角闪石中,位错为刃型位错,刃位错线平行c轴,B矢量值为9,矢量方向有两类:大多数//[100],少数//b轴。位错露头在a~*-b~*面上线型排列成位错壁。位错壁两侧的亚晶粒有微小的取向偏差,形成2—5°的小角晶界,且刃位错露头间隔越密,晶体扭曲越大,小角晶界也越大。在含水条件下角闪石通过交代反应,逐步增宽pyribole链体,在剪切带内生成滑石结构,并不断把角闪石颗粒细粒化。     

肾小管上皮细胞损伤及其诱导草酸钙晶体成核

肾上皮细胞损伤可促进肾结石形成.本文采用过氧化氢(H2O2)对人类肾小管上皮细胞(HKC)进行了氧化损伤,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射分析(XRD)和倒置显微镜观察了HKC损伤前后的形态变化及其调控草酸钙(CaOxa)晶体成核、生长的差异;采用zeta电位分析仪检测了损伤前后HKC表面的zeta电位变化.结果表明,H2O2能明显地损伤HKC,降低细胞活性,且在H2O2浓度范围0.1～0.5mmol/L、作用时间0.5～1.5h内具有明显的剂量和时间的依赖性;使用0.5mmol/LH2O2作用1.5h可使HKC损伤达到饱和状态.HKC损伤程度增加后,其诱导的晶体数量显著增加,但晶体尺寸增加不明显(P0.05),表明损伤细胞诱导尿石症形成主要是增加晶体的成核位点而非促进晶体的生长.本文所建立的HKC氧化损伤的模型有助于进一步阐明CaOxa结石形成的细胞机制.     

Tm3+:NaLa(MoO4)2晶体的1.9 μm准连续激光输出

以0.94 mm厚的c切片7.5%(原子分数)Tm3+:NaLa(MoO4)2晶体为增益介质,采用795.5 nm波长钛宝石激光泵浦,实现了1.9 μm准连续激光输出.当输出镜透过率为6.6%时,激光起振阈值为60 mW,斜率效率为50%,最大输出功率为0.5 W.输出激光波长随输出镜透过率的增大向短波方向移动.实验结果表明,Tm3+:NaLa(MoO4)2晶体是一种性能优良的1.9μm波段激光晶体.     

KTbP_4O_(12)晶体的生长及其荧光特性

本文采用蒸发溶液法从磷酸溶液中生长了KTbP_4O_(12)和一系列KLa_(1-x)TbxP_4O_(12)晶体。讨论了晶体生长中的物理化学问题。测定了晶体的X射线衍射图和红外光谱,发现KTbP_4O_(12)晶体存在着α和β两种不同的结构类型。计算了不同结构类型晶体的晶胞参数。 测定了晶体的荧光光谱,观察到在KLa_(1-x)Tb_xP_4O_(12)晶体中随着La~(3+)离子浓度的变化而有规律的变化。观察到KTbP_4O_(12)能发出强的绿色荧光,将可能作为一种新的晶体发光或激光材料。     

KDP晶体台阶生长动力学的激光干涉实验研究

采用迈克尔逊干涉技术,通过测量KDP晶体生长的法向速率和台阶斜率来研究其台阶生长的动力学系数、台阶自由能、溶质在边界层内的扩散特征以及激发晶体生长台阶的位错活性.实验表明, KDP中不同活性位错的台阶动力学系数差异较大,例如高活性和低活性台阶动力学系数分别为10.3×10-2和5.21×10-2 cm/s,位错源在晶体表面的形状、面积的变化,以及Burgers矢量的变化是造成晶体生长动力学测量数据重复性差的主要原因.     

钒酸钇双折射晶体生长及缺陷观察

采用在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(Cz法)生长YVO4晶体, 采用自行设计的气压计, 精密调节炉内的氧、氮比例, 有效防止了晶体生长中的过度缺氧, 生长出Ф33 mm×31 mm(等径)YVO4晶体. 设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件转速5～10 r*min-1, 拉速2～6 mm*h-1, 生长周期24 h, 液面上8 mm温度梯度2.875 ℃*mm-1. 用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察, 认为它们的成因主要是生长速率过快, 生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等.     

混合价硒代锡酸盐K2Sn2Se4的固相合成、晶体结构和反射光谱研究

采用反应性熔盐法在550℃下合成一种新型混合价硒代锡酸盐晶体(K2Sn2Se4).该晶体属于四方晶系,空间群为I4cm,晶胞参数a=0.81524(12)nm,b=0.81524(12)nm,c=0.67152(13)nm.K2Sn2Se4晶体具有一维链状结构,一维的1∞[Sn2Se4]2-链沿c轴方向无限扩展,K+插入链之间.K2Sn2Se4属于Zintl型化合物,具有半导体特性.漫反射光谱法研究结果表明,该化合物的光学能隙(Eg)为1.7eV.