大气压介质阻挡放电中的自组织斑图结构

采用水作为电极,对大气压介质阻挡放电中的自组织斑图结构进行了研究,观测到了规则的斑图结构(包括准六边形斑图和条带状斑图)和不规则的斑图结构.实验发现斑图中放电丝的密度随着电介质层厚度的增加及放电气隙宽度变大而减小,而随外加电压及频率增大而增大.采用空间相关函数的方法分析了准六边形斑图结构中的放电丝分布与驱动电源电压的关系 关键词： 介质阻挡放电 自组织斑图 放电丝密度 空间相关函数     

介质阻挡放电中两种不同时空对称性的六边形发光斑图

采用水电极介质阻挡放电装置，在大气压氩气放电中，在低电压区和高电压区，观察到两种具有不同时空特性的六边形点阵发光斑图.低压区的六边形斑图空间波长及单元直径均小于高压区的六边形斑图的相应量；高压区的六边形斑图具有较亮的背景，而低压区的六边形则没有.通过对两种六边形发光斑图进行时空动力学测量，发现低压区六边形是由两套长方形子点阵嵌套而成的，且这两套子点阵的出现顺序交替变化；而高压区六边形点阵斑图的所有单元基本是同步的.最后讨论了壁电荷对斑图的时空动力学行为的影响. 关键词： 介质阻挡放电 六边形斑图 时间相关性     

氩气/空气介质阻挡放电自组织超六边形斑图实验研究

采用双水电极介质阻挡放电装置,在氩气/空气混合气体放电中,在三种边界条件下得到了一种新型的超六边形斑图.给出了超六边形斑图的傅里叶变换及其不同模强度随旋转角的变化.实验测量了超六边形斑图随空气含量和外加电压变化的相图.研究了超六边形斑图的时空动力学,发现超六边形斑图是由两套子结构嵌套而成.在四边形边界条件下,研究了放电面积的大小对斑图模式选择的影响.发现超四边形斑图的形成受边界条件影响很大,而超六边形斑图则是自组织的结果. 关键词： 介质阻挡放电 超六边形斑图 时空动力学 边界条件     

氩气介质阻挡放电不同放电模式的电学特性研究

采用水电极介质阻挡放电装置，在气压为40kPa的氩气中实现了弥散、流光和斑图三种不同 模式的放电，并对其光电特性进行测量.通过测量测试电容上的电压，从而将气隙电压计算 出来，发现随外加电压增加，放电起始时刻不断提前，放电占空比增加；对应放电时刻，气 隙电压减小、输运电荷突增，使得气隙电压和电量波形都远远偏离正弦.气隙电压与输运电 荷成非线性关系.给出了外加电压零点对应的气隙电压随外加电压峰值的变化关系.讨论了壁 电荷在放电中的作用及对气隙电压和电量波形的影响. 关键词： 介质阻挡放电 气隙电压 自组织斑图 输运电荷     

大气压氩气放电六边形斑图的电子激发温度研究

采用特殊设计的气体介质阻挡放电实验装置,对大气压氩气放电六边形斑图的放电信号及激发光谱进行了测量。采用发射光谱强度比法,计算了放电丝呈六边形斑图时的电子激发温度。实验发现,随着驱动电压频率的升高,六边形斑图的电子激发温度明显升高,各放电通道之间的放电时间相关程度提高。该工作对控制斑图的形成和研究斑图动力学具有重要参考价值。     

Air/Ar介质阻挡放电中正方形斑图的特性研究

在大气压Air/Ar介质阻挡放电中，研究了正方形斑图的特性随空气相对含量χ的变化规律.得到了正方形斑图的空间波长和运动速度随空气相对含量的变化关系曲线.实验发现：不同的放电气隙间距下，正方形斑图的空间波长均随空气相对含量的增大而减小；正方形斑图的运动速度也与空气相对含量的大小密切相关，当空气相对含量约为10％时，正方形斑图的运动速度达到最大值14 mm/s. 关键词： 介质阻挡放电 正方形斑图 空气相对含量     

介质阻挡放电中微放电周期特性的光学测量

采用特殊设计的双水电极介质阻挡放电装置,利用光学方法原位、无干扰地测量了大气压空气介质阻挡放电中微放电的单脉冲特性和周期特性,实验上首次发现在介质阻挡放电斑图模式中,微放电在驱动电压的正负半周的放电时刻并不是固定的,相邻两次放电的时间间隔是长短交替的。根据壁电荷对微放电通道相邻两次放电的不同作用,分析了相邻两次放电时刻的联系,很好地解释了相应的实验现象。     

大气压氩气介质阻挡放电中的四边形斑图和六边形斑图

在大气压氩气介质阻挡放电中，研究了斑图形成随放电条件的变化.观察到随电压的增加，斑图经历六边形—四边形—具有辉光背景的四边形—具有辉光背景的六边形的转变过程.其空间波长与放电丝密度也随之改变.在一定的放电条件下，斑图涌现出辉光背景，此时空间波长与放电丝密度保持不变，但放电丝每半周期放电脉冲数由一次变为两次. 关键词： 介质阻挡放电 四边形斑图 六边形斑图 空间波长     

大气压介质阻挡放电超四边形斑图的等离子体参量

本工作利用双水电极介质阻挡放电装置,采用发射光谱方法,在大气压氩气介质阻挡放电中研究了由不同空间尺度 微放电通道构成的超四边形斑图的等离子体参量.实验发现直径较大的微放电通道(大点)和直径较小的微放电通道(小点)亮度不同.采用氮分子第二正带系谱线计算了分子振动温度,利用谱线强度比方法得到了电子激发温度,用氩原子696.54 nm谱线的Stark展宽估算了电子密度.结果显示小点的电子密度和分子振动温度均高于大点,而电子激发温度低于大点.这说明稳定超四边形斑图中不同尺度微放电的等离子体状态不同.     

介质阻挡放电蜂窝斑图形成过程的光谱研究

采用光谱法, 研究了氩气/空气混合气体介质阻挡放电中蜂窝斑图形成过程中等离子体参量的变化。实验发现,随着电压的增加,放电经历六边形点阵斑图及疏密点同心圆环斑图后,形成了蜂窝斑图。利用氮分子第二正带系(C3Π_u→B3Π_g)的发射谱线、氩原子763.26 nm(2P₆→1S₅)与772.13 nm(2P₂→1S₃)两条谱线强度比法和氩原子696.57 nm(2P₂→1S₅)谱线的展宽,分别研究了上述三种斑图的分子振动温度、电子激发温度和电子密度。结果发现：蜂窝斑图的分子振动温度和电子激发温度均高于六边形点阵斑图相应的温度,但其电子密度却比后者的电子密度低。实验还通过电容法,测量了放电斑图的放电功率,发现蜂窝斑图的放电功率远远高于六边形点阵斑图的放电功率。工作结果对于研究介质阻挡放电自组织斑图的形成机制具有重要意义。     

介质阻挡放电丝结构转变中的缺陷研究

在介质阻挡放电中,对放电丝结构从四边形向四边形格子态结构转变中的缺陷进行了研究.实验发现,在四边形向四边形格子态结构的转化中,存在两种缺陷:角缺陷及错位缺陷.为了研究缺陷的形成机理,实验测量了四边形格子态结构中不同放电丝的发光信号,结果发现八边形晶胞的中心放电丝发光强度强于边缘放电丝发光强度.通过引入准势场,研究了放电丝之间的相互作用及其对放电丝结构转变的影响,并由此分析了在转变过程中出现的缺陷,结果与实验符合得很好. 关键词： 介质阻挡放电 角缺陷 错位缺陷 超四边格子态     

一种阿贝-波特实验再现的方法

用直径为0.24mm的不锈钢金属丝细丝网格制作细丝网格教学道具,给出了具体制作方法。利用当前先进的微钻技术在0.2mm厚的薄铜片上精确加工出直径为0.1、0.2、0.3和0.5mm的四个小孔制作出低通滤波器,比较了不同大小孔径小孔的低通滤波效果。利用大头针的针尖制作出高通滤波器,并购买狭缝滤波器,从而将阿贝-波特实验成功再现。     

不同电介质结构下介质阻挡放电特性研究

设计制作了单面有氧化铟锡(ITO)导电介质层的双玻璃介质层的介质阻挡放电装置,研究了其放电特性,并将其与双玻璃介质层和单玻璃介质层的介质阻挡放电进行了比较.从电荷输运的角度分析,上述三种装置分别实现了电荷的二维、零维和三维输运.采用两种不同的双玻璃介质层装置,获得了单个稳定的放电丝.与无ITO导电层的双玻璃结构得到的单个放电丝相比,单面有导电ITO介质的双玻璃结构中,单放电丝呈"T"字型,其光晕是前者光晕的2倍,其放电电流大于前者电流,其放电时间间隔长短交替现象更为明显,且存在强度大小交替的现象.分析表明,壁电荷输运及二次电子发射的不同导致了不同电介质结构放电特性的不同. 关键词： 介质阻挡放电 壁电荷 二次电子发射     

一种基于时空变换和压缩感知的磁共振螺旋采样的图像重建算法

螺旋采样磁共振快速成像在功能性成像、并行成像和动态成像等领域发挥着越来越重要的作用.螺旋采样图像重建的传统算法是用核函数将螺旋状分布的k空间数据插值到均匀网格中,再利用傅里叶变换和最小二乘法进行重建.但是基于网格化的算法对核函数过于依赖,在网格化过程中产生难以避免的误差.该文提出了基于时空变换和压缩感知的l1范数的最优化模型和重建算法.时空变换矩阵描述了空间上的磁共振图像与采集到的时域信号间的关系,使得算法直接使用采集到的数据作为保真约束项,避免了网格化过程产生的误差.此外,基于图像处理单元的并行计算被用来提高时空变换矩阵的运算速度,使得算法具有较强的应用价值.     

介质阻挡放电中的局域态六边形结构

在氩气介质阻挡放电中得到了稳定的局域态六边形结构，并对其进行了时空动力学的测量.发现位于中心的放电丝的放电时刻总是领先，相邻两次放电的时间间隔表现出长短交替的周期性.利用壁电荷放电模型对上述结果进行了分析，表明微放电丝在放电过程中不仅受自身场的作用，还受到周围其他微放电丝的影响. 关键词： 介质阻挡放电 壁电荷 自组织 局域态结构     

A theory for filamentation in semiconductor lasers including the dependence of dielectric constant on injected carrier density

A model for the self-focusing mechanism in semiconductor lasers is analysed and applied to the formation of lasing filaments in p-n junction devices. The self-focusing is attributed to an increase of dielectric constant in the semiconductor in regions of high light intensity due to a depletion of the injected carrier concentration. Two mechanisms are postulated for the dependence of dielectric constant on carrier concentration; the free carrier effect and the band-to-band interaction. The band-to-band interaction is computed as a function of photon energy, and found to give the major contribution to a total dielectric constant perturbation of typically −0.05 at threshold. This agrees with experiment. A single-mode solution is obtained for the waveguide equation of an isolated filament or a set of coupled filaments. This shows that the filament width contracts with current. Expressions are obtained for the optical intensity distribution, for the guided wavelength, for the effect of carrier diffusion, and for the higher-order mode cut-offs. The calculated filament width at 300 K varies typically between 12 and 3 microns for currents from 1 to 60% above threshold; at 77 K the width is almost doubled. This agrees reasonably with experiment. In general the analysis shows that the strength of self-focusing in heterostructure lasers depends on the number of carriers injected at threshold per cm² per micron thickness of the optical confinement region.     

空气介质阻挡放电单个微放电通道发光强度及振动激发温度的空间分布

通过清洗放电方法,在平行平板介质阻挡空气放电中得到了单个稳定的微放电通道（又称放电丝）.测量了从瞬时阳极到瞬时阴极单个放电丝的发光强度及振动激发温度的空间分布.研究表明：在外加电压的每半周中放电丝发光呈现杯型分布,杯底位于瞬时阴极处;振动温度在两平行板间隙的中心处最高而在瞬时阳极处最低. 关键词： 介质阻挡放电 微放电通道 振动温度     

Increasing the sensitivity of resistive and capacitive external-action sensors

The contribution from the relaxation process to the permittivity of a dielectric at high frequencies is shown to depend on the square of the total contribution from this process to the conductivity. The contribution from the relaxation process to the conductivity of a dielectric at low frequencies depends on the square of the total contribution from the relaxation process to the real part of the dielectric permittivity. On this basis, we suggest a method for increasing the sensitivity of resistive and capacitive external-action sensors.