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射线探测用碲锌镉晶体及其器件研究 总被引:4,自引:0,他引:4
采用改进的布里奇曼(B ridgm an)方法进行锌组分为0.15碲锌镉(Cd0.85Zn0.15Te)晶体的生长。通过严格控制晶体生长过程中Cd的蒸气分压,使得所生长的碲锌镉晶体在结晶质量方面达到了较好的水平。对其性能进行测试,红外透射比T>60%、沉积相密度<1×104/cm2、位错腐蚀坑密度DEPD<6×104/cm2、X射线衍射双晶回摆曲线半峰全宽FWHM<20 arcsec、电阻率ρ>1010Ω.cm。利用所生长的晶体初步制作了平面型单元碲锌镉射线探测器,所用晶体的尺寸为5 mm×5 mm×2.5 mm,制成的探测器在室温下对125I和241Am放射源进行了探测测量。对125I放射源,探测出了强度为74.5%的27.5 keV的γ射线特征峰,不能仔细分辨出强度为39.8%的27.2 keV的γ射线特征结构;对241Am放射源,探测出了59.5 keV的γ射线特征峰,分辨率优于6 keV,半峰全宽FWHM<10%,同时还能检测出Te、Cd的X射线逃逸的混合峰以及241Am低能Te-K系、Np-L系的两个X射线特征峰。 相似文献
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六十年代初期,蔡尔兹等人[1]发现在透明氯化银单晶片中重带电粒子可以产生能在显微镜下观察的径迹,此径迹是沿粒子在单晶体内的路径形成潜影,经显影处理后沉淀出银颗粒而显现的.由于它用干法显影,并具有对带电粒子灵敏,对r射线不灵敏和空间分辨率高等特性,所以在生命科学和核物理学等方面得到了应用. 一、径迹的形成1.记录带电粒子的灵敏度 纯氯化银单晶对带电粒子毫不灵敏,只有掺入一定杂质后才对带电粒子灵敏,灵敏度与所掺杂质的种类和数量有关.根据现有资料,认为掺入5000ppm(按重量)镉离子的氯化银单晶片最为灵敏,它对质子的灵敏阈约为30… 相似文献
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报导了钴、镍、铜、锌络合物中的化学效应对Kβ/Kα强度比和Kβ能量位移的影响. 实验样品用241Am环状放射源发出的能量为59.5 keV的γ射线激发. 对样品发射的K段X射线进行检测的检测器在5.9 keV处的分辨率为150 eV. 观察了不同配体对钴、镍、铜、锌络合物的Kβ/Kα强度比和Kβ能量转移的影响,并试图解释这些配体的性质对中心原子产生的化学效应. 对实验得到的Kβ/Kα强度比数据,理论计算获得的Kβ/Kα强度比数据及其它实验得到的纯钴、镍、铜、锌的Kβ/Kα强度比数据进行了比较. 相似文献
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在放射源能谱测量过程中,PIPS-谱仪探测效率的影响因素有几何因子、空气层吸收、死层吸收、本征探测效率等,为了更精确地计算放射源的活度,分析母体核素种类和浓度,探究各因素对探测效率的影响具有重要意义。使用蒙特卡罗软件模拟不同探源距、真空度下的放射源的能谱测量;使用SRIM模拟5 MeV 粒子在空气和死层中的射程及分布;使用PIPS-谱仪测量241Am,238Pu,239Pu三种标准源的实际能谱;根据实验与模拟的结果对各个因素对探测效率的影响进行分析,并计算得到谱仪对不同放射源的本征探测效率。结果表明:在PIPS-谱仪的能谱测量过程中,影响谱仪探测效率的主要因素是几何因子和本征探测效率,空气层和死层对粒子的吸收可以忽略不计;谱仪对241Am,238Pu,239Pu三种标准源的本征探测效率分别为64.84%,49.95%,51.55%。 相似文献
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描述了为在放射性束流线上开展核反应研究而研制的灵敏面积为50mm×50mm的双维位置灵敏的低气压多丝正比室,研制的低气压多丝正比室为穿透式,在真空中使用,工作气压为8mb,透射性好,不干扰束流,放射源测试结果表明,它的x,y方向的位置双径迹分辨为1mm,用放射性束流在束测试结果表明,对30—40MeV的低Z放射性束的探测效率大于80%,适用于中能次级束实验中入射束的定位和反应中产生的带电粒子出射角度的测量。 相似文献
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BESⅢ主漂移室重建径迹的外推算法采用面向对象的设计方法, 利用GEANT4部分代码开发实现, 它提供主漂移室带电径迹外推到外部其他子探测器上的预期径迹信息. 该算法的外推过程考虑了带电径迹在磁场中的偏转以及与探测器物质相互作用造成的电离能损, 并为径迹参数计算考虑了库仑多次散射效应影响在内的参数误差矩阵. 经检查, 主漂移室径迹的外推结果和完全模拟结果一致, 并且径迹外推的结果能够成功用于各个子探测器测量径迹间的匹配, 这些工作为分析实验数据作了必要的准备, 能够满足BESⅢ实验的使用要求. 相似文献
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Erhan Cengiz Zekeriya Biyiklioglu Nuray Kup Aylikci Volkan Aylikci Gokhan Apaydin Engin Tirasglu Halit Kantekin 《化学物理学报》2010,23(2):138-144
对钴、镍、铜、锌元素组成的不同配合物K壳层X射线的产生截面、谱线强度比、俄歇辐射强度比进行了测定,同时研究了化学效应对K壳荧光参数和俄歇辐射强度比的影响,并根据电荷转移过程解释了这些参数的变化. 采用59.5 keV的γ射线241Am的环形放射源对样品进行激发. 用分辨率为150eV的Ultra-LEGe探测器在5.9 keV测定样品产生的K壳X射线. 相似文献
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利用原子吸收及谱线增宽方法测量了Rb-N_2(He)蒸气室中的气体压强.对Rb-N_2(He)蒸气室中的气体渗漏进行了检测,实验发现:对N_2气几乎观察不到明显的渗漏现象.对于Rb-He950torr的高压蒸气室60天后的气体渗漏量为19%,渗漏比较明显.测量了223-638torr范围Rb-N_2蒸气室的5P_(3/2)—5P_(1/2)精细结构碰撞转移截面.结果表明,随着温度升高,碰撞转移截面值也升高,温度为50℃、60℃、70℃时,碰撞转移截面分别为(1. 03±0. 32)×10~(-16)cm~2、(1. 36±0. 38)×10~(-15)cm~2、(8. 96±1. 02)×10~(-15)cm~2.压强在638torr时,碰撞转移截面随着温度升高增加较快,70℃以后碰撞转移截面迅速增加. 相似文献
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利用120MeV的22Ne离子束轰击241Am靶,通过241Am(22Ne,4n)259Db反应合成了一个Z=105,质量数为259的新同位素.反应产物是用氦喷嘴技术和转动轮装置传输收集的.借助一系列金硅面垒探测器探测到了反应产物及其子核的α衰变.新同位素的原子序数Z和质量数A是借助该同位素和已知的255Lr核之间的遗传关系得到了确定的鉴别.新同位素259Db的测量半衰期为(0.51±0.16)s;它的α粒子能量为9.47MeV.由本实验导出的259Db的Qα值同理论预言结果能够较好地符合. 相似文献
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运用蒙特卡罗方法建立PIPS-α谱仪的腔室模型,模拟谱仪对α面源(238Pu)的能谱测量,通过改变放射源与探头之间的距离,模拟不同条件下α粒子的射线能谱,同时,对不同探源距条件对α射线能谱的影响进行分析;另一方面,使用谱仪在不同探源距的情况下进行α能谱实验测量,获得不同条件下α射线能谱;最后,将模拟与实验的结果进行对比,分析实验测量结果与模拟结果的相对误差,并对模拟过程及模型参数进行校正,对校正后的模型进行实验验证,使其能够应用到其他α放射源的能谱测量中,并且使其可用于单能α粒子的能谱研究,研究结果也可为α能谱测量技术提供依据,为α能谱解谱技术提供数据支持。 相似文献