无铅In-BCVIG单晶及其磁光特性

用无铅助熔剂法生长了掺铟的铋钙钒铁石榴石(Bi_3-2xCa_2xFe_5-x-yIn_yV_xO₁₂单晶,采用本文所述的助熔剂,均长出了线度在10mm以上的晶粒完整、包容物很少的高质单晶。选用x=0.90,y=0.12的单晶,在0.7—2.2μm波长范围内测量了法拉第磁光旋转角θ_F和光吸收系数α。我们的结果表明无铅In-BCVIG单晶是磁光优值(M=(│θ关键词：     

单晶体α-NaYF_4∶Dy~(3+)的制备及光谱特性（英文）

以氟化钾(KF)作为助熔剂,选用70~90℃/cm的固液界面温度梯度,通过改进的助熔剂-布里奇曼方法生长出了Dy3+离子掺杂的α-NaYF4单晶体.测试了样品的X射线粉末衍射,吸收光谱,激发光谱,以及在不同紫外光激发下的发射光谱,分析了样品的的物相和光谱特性.应用色度学理论计算了Dy3+离子掺杂α-NaYF4单晶的色度坐标和色温.结果表明:当原料组份配比为30NaF-18KF-52YF3时,有利于大尺寸晶体生长.原料中KF的加入起到助熔剂作用,它改变了NaF-YF3二元系相图并且降低了α-NaYF4的熔点,使得α-NaYF4能从熔融的NaF-KF-YF3混合物中结晶出来,最后生长出透明的α-NaYF4单晶体.实验发现大多KF被排析在生长后期的晶体顶端,KF的加入没有对α-NaYF4单晶体的结构产生影响.在348nm紫外光激发下,单晶体可发射出蓝光约479nm,黄光约571nm以及弱的红光约659nm.其中1.299mol%Dy3+掺杂浓度的α-NaYF4单晶体发射的蓝、黄与红光可耦合出色坐标x=0.285,y=0.338以及色温为8 065K的白光.这些新型材料在紫外激发的白光二极管领域具有潜在的应用.     

Nd_(1.67)Sr_(0.33)NiO_4中的热导反常

报道了两个典型掺杂的镍氧化物Nd2 -xSrxNiO4 (x=0 33,1 35 )的低温热导率、电阻率和低场交流磁化率 ,测试温区为 77— 30 0K .在Nd2 -xSrxNiO4 (x=0 33)样品的热导率_温度曲线上在电荷有序转变温度 (TCO)和自旋有序转变温度 (TSO)附近分别观测到反常 ,电荷有序使热导率在TCO 以下有所增加 ,反铁磁自旋有序使热导率在TSO 附近被压制 .在低场交流磁化率_温度曲线上也分别观测到对电荷有序和自旋有序的响应 ,而在其电阻率_温度曲线上仅观测到电荷有序 .作为比较 ,Nd0 6 5Sr1 35NiO4 样品中没有观测到输运性质和磁性质上的反常 .两个样品中声子热导占主导地位 .Nd1 6 7Sr0 33NiO4 样品中电荷有序和自旋有序导致的热导率的反常表明样品中存在强的电荷_声子和自旋_声子相互作用     

样品制备过程中不同冷却速率对Nd1.85Ce0.15CuO4±δ单晶正常态和超导态输运性质的影响

通过原子力显微镜(AFM)对Nd_(1.85)Ce_(0.15)CuO_(4±δ)(NCCO)单晶样品的微结构进行分析,发现样品在制备和热处理过程中存在分解反应Nd2-xCexCuO4→(Nd,Ce)2O3 NdCeO3.5 Cu2O发生的证据,控制样品冷却速率可得到(Nd,Ce)2O3分解物含量不同的单晶样品.ab面电阻率测量结果表明,降低冷却速率可有效减少分解过程的发生、减少有效载流子浓度的降低和减少对Cu2O上Cu2 -Cu2 反铁磁关联的破坏,有利于保持体系结构上的均匀性和稳定性,是制备高品质电子型超导体Nd2-xCexCuO4单晶的关键.     

SrTiO_3单晶的色心与导电类型关系的研究

本文介绍了通过霍耳系数测量确定了半导体SrTiO_3单晶的导电类型。这种SrTiO_3单晶的生长方法与过去文献中所报道过生长方法不同,本实验所用的单晶是从化学配比熔体中,引入定向籽晶缓冷法生长而成的,而不是用Verneuil(火焰法)或助熔剂法。用色心的形成——准F心模型解释实验结果。这一色心是由SrTiO_3单晶生长过程中氧缺位所形成的。还通过XPS谱(x-ray photonelectric spectroscopy)从另一侧面证实了这一准F心缺陷。     

Ca_2Y_2Cu_5O_(10)的单晶生长与低温物性

本文针对S=1/2 J1-J2阻挫自旋链材料Ca_2Y_2Cu_5O_(10)的浮区法单晶生长条件进行了详细的探究,并研究了其磁性质、比热、热导率行为.采用德拜模型与爱因斯坦模型叠加的方式拟合1.8-300K的声子比热,进而得到磁比热以及磁熵.对单晶的热导率采用德拜模型进行拟合发现垂直于自旋链方向的热导率是声子的贡献,而沿自旋链方向的热导率出现磁激发导热的贡献,进一步的分析认为该磁热导是非弹道的输运方式.     

Nd0.3Sr0.7Mn1-xCrxO3(0.01≤x≤0.15)的低温热导率研究

报道Nd0.3Sr0.7Mn1-xCrxO3(0.01≤x≤0.15)的热导率在10~300K温区内随温度和Cr含量的变化关系.在所测温区,随着Cr掺杂的增加,样品热导率值整体上逐渐减小,但在x=0.15时,出现反弹.热导率值在绝缘体-金属转变附近有很大提高,这个提高随Cr含量的增加逐渐被压制,直到x=0.15消失.分析指出热导率在绝缘体-金属转变附近的提高是由声子热导率和自旋相关热导率两部分贡献的;Cr掺杂通过电荷、晶格和自旋相互作用影响和制约了热导率随温度的变化.结果表明体系中自旋对热导率的调制作用是不可忽略的.     

不同厚度的Nd123片层的2-2复合籽晶对SmBCO样品生长的影响

采用MgO单晶与NdBa2Cu3O7-δ(Nd123)粉体的2-2复合体籽晶可以充分利用MgO与NdBCO籽晶的优势,对SmBCO晶体的生长起到了很好的诱导作用,成功制备出单畴SmBCO超导块材.本文采用不同厚度的Nd123片层和MgO单晶作为2-2复合体籽晶通过顶部籽晶熔渗生长工艺(TSIG)制备SmBCO超导块材,研究了Nd123片层的厚度对SmBCO样品生长的影响.结果表明,随着Nd123片层厚度的增加,样品的单畴形貌逐渐消失,并且出现了随机成核.通过对样品的生长特性和微观结构的研究,阐明了不同厚度的Nd123片层对SmBCO晶体生长形貌的影响机制.     

Li2CO3/K3PO4复合助熔剂对新型Y2O2S：0.09Ti长余辉磷光体发光性能的影响

采用高温还原法合成了一种新型无稀土掺杂Y₂O₂S:0.09Ti长余辉发光材料。基于助熔剂种类对长余辉发光材料特性的重要作用,选择了对余辉衰减初期和后期余辉强度有明显作用的Li₂CO₃和K₃PO₄两种助熔剂,研究了不同配比(以下用x表示,x=Li₂CO₃/(Li₂CO₃+K₃PO₄))的复合助熔剂对Y₂O₂S:0.09Ti磷光体晶体结构和发光性能的作用,以获得具有较好综合发光性能的Y₂O₂S:0.09Ti磷光体。采用PL光谱和余辉测试仪对材料的发光特性进行了表征,用XRD研究了其晶体结构的变化。XRD结果表明,在复合助熔剂范围内(x=0~1.0)均可获得单相性的Y₂O₂S:0.09Ti磷光体。同时发现复合助熔剂比例不同制备的样品中,Y₂O₂S:0.09Ti磷光体晶体择优取向也发生明显的变化,且高比例Li₂CO₃有助于Y₂O₂S:0.09Ti磷光体的晶体形成。复合助熔剂比例x对样品的激发峰与发射谱主峰位置(565nm)基本没有影响;但助熔剂比例x对发射峰强度则有明显影响,随着x增加,该磷光体的发光强度先增后减,在x=0.8时发光强度最大。     

Nd1.67Sr0.33NiO4中的热导反常

报道了两个典型掺杂的镍氧化物Nd＿2-xSr＿xNiO＿4(x =0.33,1.35)的低温热导率、电阻率和低场交流磁化率，测试温区为77—300K. 在Nd＿2-xSr＿xNiO＿4 (x=0.33)样品的热导率-温度曲线上在电荷有序转 变温度（T＿CO）和自旋有序转变温度（T＿SO）附近分别观测到反常， 电荷有序使热导率在T＿CO以下有所增加，反铁磁自旋有序使热导率在T＿SO附近被压制. 在低场交流磁化率-温度曲线上也分别观测到对电荷有序和自旋有 序的响应，而在其电阻率-温度曲线上仅观测到电荷有序. 作为比较，Nd＿1.67Sr0.33NiO＿4样品中没有观测到输运性质和磁性质上的反常. 两个样品中声子热导占 主导地位. Nd＿1.67Sr0.33NiO＿4样品中电荷有序和自旋有序导致的热导 率的反常表明样品中存在强的电荷-声子和自旋-声子相互作用. 关键词： 热导率 电荷有序 自旋有序     

Nd1.85Ce0.15 CuO4-δ单晶c-轴方向电阻的低场行为

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1.85Ce0.15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0-0.5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0.5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系.0.5T不同角度下的转变温度Tp符合有效质量模型,即Tp∝H1/12(cos2θ+sin2θ/γ2)1/4.该单晶的各向异性因子γ约为45.     

Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)的晶体生长

本文讨论了Y_2O_3-Fe_2O_3-Bi_2O_3-PbO·0.2B_2O_3赝四元系相图的得出与运用;用Bi_2O_3-PbO-B_2O_3做助熔剂,获得了磁性石榴石Y_(3-x)Bi_xFe_5O_(12)单晶(0≤x≤1.2);还论述了Bi-YIG晶体内Bi含量与助熔剂熔液成份的关系。     

无锂助熔剂B_2O_3对Li_(1.3)Al_(0.3)Ti_(1.7)(PO_4)_3固体电解质离子电导率的影响

采用固相法制备锂离子电池用固体电解质磷酸钛锂铝Li_(1.3)Al_(0.3)Ti_(1.7)(PO_4)_3(LATP),研究了不同烧结温度以及助熔剂对LATP固体电解质离子电导率的影响.采用X射线衍射、能谱分析、扫描电镜和交流阻抗等方法,研究样品的结构特征、元素含量、形貌特征以及离子导电性能.结果表明,在900?C烧结可以获得结构致密、离子电导率较高的纯相LATP陶瓷固体电解质.与添加助熔剂Li BO2的样品进行对比实验发现,采用B_2O_3代替LiBO_2作为助熔剂也可以提高烧结样品的离子电导率,并且电解质的离子电导率随助熔剂添加量的增大,先增大后减小,其中添加质量百分比为2%的B_2O_3的样品具有最高的室温离子电导率,为1.61×10~(-3)S/cm.     

Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性

采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的VIII型Ba8Ga16 xGexSn30(0 x 1.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小,Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25.     

水热法合成KTP晶体的红外光谱研究

采用Nicolet 550型傅里叶变换红外光谱仪,对不同世代水热法合成KTP晶体的不同晶面进行了镜反射法红外光谱测试,与助熔剂法合成KTP晶体的红外光谱测试结果进行了比较,并估算了不同世代样品中羟基的浓度。测试主要针对水热法合成KTP晶体比较发育的(100)、(011)和(201)晶面,分基频区和指纹区两个区段进行。研究结果表明,水热法合成KTP晶体中OH-的伸缩振动存在明显的方向性特征,其中[100]方向吸收明显,并且其频率比助熔剂法合成KTP提高约30 cm-1。样品中的羟基浓度依世代逐代下降,羟基的存在抑制了KTP晶体的生长,提高原料纯度对于提高晶体质量有重要意义。     

Nd：YAG单晶光纤光学特性研究

本文测量了用激光加热基座法拉制的Nd:YAG单晶光纤(具有块状晶体)的吸收谱线,荧光谱线等光谱学特性.根据测得的散射特性分析了用该法拉制的单晶光纤的生长缺陷和直径波动及其与单晶光纤质量的关系.     

Pr替代YPBCO超导单晶的峰效应研究

采用TSSG法在1 atm氧气氛下生长出Y1-xPrxBa2Cu3O7(x=0.07215)超导单晶样品;测量了该单晶样品在不同温度下的磁特性;根据Bean临界态模型,计算出不同温度下的临界电流密度Jc对磁场H的依赖关系;在对该样品的直流磁化研究中观测到了峰效应。随着温度的降低,样品的临界电流密度明显增加。     

气相法生长N-salicylideneaniline单晶及其偏振特性

用气相法生长成足够大的N-salicylideneaniline(SA)单晶,并研究SA单晶对不同偏振探测光的光致变色性质.在不同温度和不同偏振的情况下,测试了光致着色和光致褪色过程中光密度变化的时间依存性质,并通过计算获得SA单晶用不同偏振探测光测得的激活能.并通过理论计算和实验结果发现,在200K温度用紫外光照射样品时,生成的酮分子中约有60%是trans酮构型和约40%的cis酮构型 关键词： N-salicylideneaniline单晶生长 光致变色 偏振特性     

Nd0．3Sro．7Mn1-xCrxO3（0．01≤x≤0．15）的低温热导率研究

报道Nd0．3Sro．7Mn1-xCrxO3（0．01≤x≤0．15）的热导率在10-300K温区内随温度和Cr含量的变化关系,在所测温区，随着Cr掺杂的增加，样品热导率值整体上逐渐减小，但在x=0．15时，出现反弹．热导率值在绝缘体-金属转变附近有很大提高，这个提高随Cr含量的增加逐渐被压制，直到x=0．15消失．分析指出热导率在绝缘体-金属转变附近的提高是由声子热导率和自旋相关热导率两部分贡献的；Cr掺杂通过电荷、晶格和自旋相互作用影响和制约了热导率随温度的变化,结果表明体系中自旋对热导率的调制作用是不可忽略的。     

Bi-2212单晶本征Josephson结的制备及其非线性行为

采用自助熔剂固态反应法制作了Bi2Sr2CaCu2O8+x单晶,使用光刻蚀和Ar离子刻蚀技术在Bi-2212单晶表面制作了台阶结构的Josephson本征结.用三引线和四引线法分别测量了该样品零场下c轴方向的电阻-温度(R-T)关系和恒定温度(14.4K)时的I-V特征曲线.I-V曲线具有典型的多分支非线性行为,并对该实验结果进行了讨论.