| Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性 |
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| 引用本文： | 孟代仪,申兰先,晒旭霞,董国俊,邓书康.Ge掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的制备及热电传输特性[J].物理学报,2013(24):298-303. |
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| 作者姓名： | 孟代仪 申兰先 晒旭霞 董国俊 邓书康 |
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| 作者单位： | 云南师范大学,太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:51262032)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的VIII型Ba8Ga16 xGexSn30(0 x 1.0)单晶笼合物,并对其结构和热电特性进行研究.研究结果表明:Ge在单晶中的实际含量较少,随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小,Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低,迁移率增加;所有样品的Seebeck系数均为负值,且绝对值较未掺杂样品低,但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%;x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25.
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| 关 键 词： | VIII型笼合物 n型传导 热电性能 |
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