国产实芯炭电阻RS-11的低温磁致电阻效应

本文介绍了在0—5.6T磁场下,国产实芯炭电阻RS-11在液氦温度的磁致电阻效应,元件的名义阻值,分别为100欧、200欧、220欧和300欧. 观测了300欧元件在液氦温区的温度、磁致电阻、磁场强度的关系,给出了数据和曲线. 给出了在低温实验中通常作加热丝使用的锰铜丝在不同温度下的磁致电阻曲线.     

铁磁性超导体RuSr2GdCu2O的比热和电磁性质研究

我们测量了氧化物超导材料RuSr2GdCu2O8的电阻、磁化率和比热,发现该样品在135K附近有一个铁磁相变过程.该样品的超导临界温度比较低,其零电阻温度在4.2K以下,而在134K附近电阻有一个很明显的峰值.磁化率在此温度显示出一个很尖锐的峰值,说明样品在此温度有一个由顺磁到铁磁的相变过程,而且这个相变过程进行得比较快,其温度范围大约为10K左右.     

欧姆加热共蒸Y—Ba—Cu—O薄膜的金属—非金属转变及其对超导电性的影响

利用欧姆加热三元共蒸的方法制备了 Y-Ba-Cu-O 薄膜.研究了组分、热处理温度和降温速度诱导的金属-半导体转变及其对超导电性的影响.在这些研究的基础上,第一次利用欧姆加热三元共蒸方法获得了零电阻温度超过液氮温度的 Y-Ba-Cu-O 超导薄膜.其起始超导 T_c为98K,零电阻超导 T_c 为78.6K,中点超导 T_c 为84K,△T_c 为12K.     

YbBi_2单晶的电磁特性研究

本文主要研究了 Yb Bi2 单晶的电阻温度特性、磁化强度和温度的关系以及 2 K时的磁化特性 .实验发现 Yb Bi2 单晶具有金属特征 ;在 1 .8K以上没有表现出超导电性 ;其净电阻率之比高达 3 80 ;Yb Bi2 单晶是一种顺磁质 ;电阻温度特性曲线和磁化强度与温度关系都表明 :Yb Bi2 单晶在 5 5 K左右发生了明显的相变 .     

高精度低温控温电桥

本文介绍一种用运算放大器做成的低温交流控温电桥.由于使用了运算放大器做隔离放大器,避免了一般电桥检零仪表的分流和引线电阻引起的漂移.用Allen-Bradley炭电阻作控温敏感元件,用一个六位电阻箱作电桥的给定臂,配用文献[1]所描述的恒温器,在4.2K到50K之间,温度长期稳定性优于1mK,在低温端优于0.1mK.电桥电路见图1.     

铁磁性超导体RrSr2GdCu2O的比热和电磁性质研究

我们测量了氧化物导材料RuSr2GdCu2O8的电阻、磁化率和比热,发现该样品在135K附近有一个铁磁相变过程。该样品的超导临界湿度比较低,其零电阻温度在4.2K以下,而在134K附近电阻有一个很明显的峰值。磁化率在此温度显示出一个很尖锐的峰值,说明样品在此温度有一个由顺磁到铁磁的相变过程,而且这个相变过程进行得比较快,其温度范围大约为10K左右。     

块体金属玻璃Zr46.75Ti8.25Cu7.5Ni10Be27.5的超导与负电阻温度系数

测量了块体金属玻璃Zr_46.75Ti_8.25Cu_7.5Ni₁₀Be_27.5在退火前后其电阻值随温度的变化,测量的温度范围为1.5—300K.样品在退火前后都发现有超导现象.零磁场下其超导转变温度T_c分别为1.84和3.76K.在5—300K温度范围内,原始样品具有负的电阻温度系数.如果取Zr, Ti, Cu, Ni及Be分别贡献出1.5, 1.5, 0.5, 0.5及两个传导 关键词： 块体金属玻璃 超导 电阻温度系数     

块体金属玻璃Zr46.75Ti8.25Cu7.5Ni10Be27.5的超导与负电阻温度系数

测量了块体金属玻璃Zr46.75Ti8.25Cu7.5Ni10Be27.5在退火前后其电阻值随温度的变化,测量的温度范围为1.5-300K.样品在退火前后都发现有超导现象.零磁场下其超导转变温度Tc分别为1.84和3.76K.在5-300K温度范围内,原始样品具有负的电阻温度系数.如果取Zr,Ti,Cu,Ni及Be分别贡献出1.5,1.5,0.5,0.5及两个传导电子,则可以用扩展的Faber-Ziman理论去解释原始样品的负电阻温度系数.还对块体金属玻璃Zr46.75Ti8.25Cu7.5Ni10Be27.5在温度范围5-300K之间的R(T)曲线用一个多项式进行了拟合.     

强磁场下Pt电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2～300K温区内的磁致电阻效应.结果表明:Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高,77～300K温区内温度计受磁场的影响较小,其中在16T下,4.2K和300K处的磁效应分别为48.2%和1.07%;在4.2-77K温区,Pt-111由磁阻引起的测量误差场强的升高和温度的降低而明显升高,在16T、4.2K处和16T、77K处的温度测量误差分别为18.3K和1.69K.Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境.     

在低温和强磁场下使用的热敏电阻温度计

本文报道了用Co-Ni-Ba-O_2合成的氧化物半导体材料制成的热敏电阻温度计。使用温区为2.8—100K,电阻从几十千欧姆光滑地变化到几十欧姆。相对灵敏度[—dR/dT×1/R]从4.2 K的60％/K左右变化到100 K的1.5％/K左右,达到了实用要求。此温度计的特点是可在强磁场下使用,在4.2 K、7T情况下,磁阻引起的温度变化为1.5～2.0％。温度计的磁阻变化可套用经验公式100×△R/R=c_1H~2/(1+c_2H~2)×T~(-1.5)。当温度不变时(T=4.2K),磁场引起的电阻变化与此公式相符。当磁场不变,磁阻随温度的升高而减小。     

La0.95K0.05MnO3的低频内耗研究

本文研究了样品La0.95K0.05MnO3的内耗、直流电阻、交流磁化率.发现在20～275K的温度范围内,在0.3T的磁场下有明显的磁阻(MR)效应,温度为259K时MR效应达到极大值26%.在直流电阻测量中发现267K时出现很尖锐的电阻峰;在220K附近出现"肩峰".内耗温度曲线在210K～250K的温度范围有一个很宽的内耗峰;在268K有一个很明显的内耗蜂同时伴随着模量软化,并且由Kissinger关系求出顺磁-铁磁转变的表观激活能Eap=0.53eV(请说明通过什么公式求出什么东西的活化能).     

Ba_(0.1)Y_(0.9)CuO_3的高温超导电性

用电阻法测量Ba_(0.1)Y_(0.9)CuO_3的电阻温度关系,在130K附近,其R(T)明显偏离线性。超导转变中点温度达90K,整个转变过程中电阻下降大于四个数量级。     

鉑电阻温度計

人們在現实生活中测量溫度的办法,总是通过用某一指定的物体,选定其某一随温度的改变而改变的物理量来作为温度的度量。若以該物体的电阻随溫度而改变的特性作为溫度的指示,那么,这种測量溫度的仪器,就叫做电阻溫度計。其中要以鉑电阻温度計为最好,因为鉑的电阻溫度系数相当的大(由0°到100℃间铂的平均电阻溫度系数为3.92×10~(-3)度~(-1)),它与溫度变化的关系比較規则,又具有較高的比电阻(铂的比电阻为0.0981欧姆·毫米~3·米~(-1))。这样,在指定铂     

磁场对重电子金属材料CeCu6-xCdx电阻的影响

介绍了重电子金属CeCu6-xCdx(x=0.10,0.15,0.20,0.30,0.50)在1.8-300K温度范围内,在磁场(μ0H=0,5,10T)下电阻随温度的变化规律及低温(1.9,15 K)下的磁电阻(μ0H=0-10T).实验表明所有样品在零场下的Tmax(对应于电阻极大值的温度)都低于1.8 K.加磁场后,Tmax随磁场和掺杂量x的增加明显向高温方向变化.此外,各样品的磁电阻在1.9 K全是负值,温度升高到15 K以后,磁电阻有变为正值的趋势.从近藤散射和相干散射的角度对这一现象的物理机制进行了分析.     

La2/3Ca1/3MnO3薄膜自旋输运特性研究

本文通过射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3(LCMO)薄膜.该薄膜在接近峰值电阻温度Tp(Tp=308K)发生铁磁金属相-顺磁绝缘体相相变.磁场的作用下,电阻温度曲线较无磁场时发生右移,而且Tp点也向高温移动,(H=0.5T时,Tp≈314K;H=1.0T时,Tp≈318K);1T磁场所产生最大的磁电阻值为34%.激光作用下,电阻温度曲线向左移动,Tp变为300K,其最大的光致电阻变化相对值为43.5%.能带理论定性分析表明产生这一不同现象主要是由于eg电子的不同状态引起的.     

欧姆加热共蒸镀法制备的Y-Ba-Cu-O薄膜的超导电性及其各向异性

我们利用欧姆加热共蒸发的方法首次制备出了一块超导薄膜。目前的结果是:起始超导转变温度为95K;零电阻温度为78.6K;转变宽度为12K(正常电阻的10%到90%).对几种物理量,如室温电阻及超导转变温度 T_c 表明,样品是各向异性的.电阻温度曲线表明,在超导转变温度 T_c 以上存在一个电阻极小值点,这可能与电子局域化及氧原子的迁移有关.     

欧姆加热共蒸镀法制备的Y-Ba-Cu-O薄膜的超导电性及其各向异性

我们利用欧姆加热共蒸发的方法首次制备出了一块超导薄膜。目前的结果是:起始超导转变温度为95K;零电阻温度为78.6K;转变宽度为12K(正常电阻的10%到90%).对几种物理量,如室温电阻及超导转变温度 T_c 表明,样品是各向异性的.电阻温度曲线表明,在超导转变温度 T_c 以上存在一个电阻极小值点,这可能与电子局域化及氧原子的迁移有关.     

YbBi2单晶的电磁特性研究

本文主要研究了YbBi₂单晶的电阻温度特性、磁化强度和温度的关系以及2K时的磁化特性.实验发现YbBi₂单晶具有金属特征;在1.8K以上没有表现出超导电性;其净电阻率之比高达380;YbBi₂单晶是一种顺磁质;电阻温度特性曲线和磁化强度与温度关系都表明:YbBi₂单晶在55K左右发生了明显的相变.     

炭电阻低温温度计(Ⅳ)

本文报道了炭电阻低温温度计批量性元件低温性能实验结果:低温稳定性、低温复现性、电阻-温度关系式等.并给出0—5.4T,小于4.2K 和0—10T、4.2K 的磁致电阻曲线.     

温度和磁场对应变片的影响

电阻应变片的电阻不但随应变变化,而且随温度和磁场变化.为了修正温度和磁场的影响,在4.25K到300K的温度范围内,试验了镍铬合金电阻应变片WK-15-250BG-350的表观应变与温度的关系,并在不同磁场下试验了温度对应变片的影响.在低温下试验了应变片的表观应变与磁场的关系(即磁阻效应).分析了不同温度下,磁场对应变片的影响.试验结果将在TESPE装置的实际应变测量中进行误差修正.