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ＲｅｃｅｎｔＡｄｖａｎｃｅｓｉｎＢｉｏｐｈｙｓｉｃａｌ／Ｂｉｏｃｈｅｍｉｃａｌ／ＢｉｏｍｅｄｉｃＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｏｆＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙＮａｉｔｅｎｇ；Ｙｕａｎｄ；ＸｉａｏｙｕａｎＬｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ...     

基于自适应方法的Sn／O／H／N／C／Cl反应机理简化

计算包含详细反应机理的复杂反应流问题仍然是十分费时的,已有的反应流计算方法通常采用简化的化学反应机理.传统的机理简化方法大多基于反应条件的稳态假设,如主量组分分析法等.近年来,一种基于自适应化学理论的机理简化的新方法被提出.该方法根据设定的化学精度要求,可实现详细反应机理的最优简化.对Sn/O/H/N/C/Cl详细反应机理的简化结果表明Sn CO2=SnO CO和Sn O2=SnO O为机理中影响Sn氧化最重要的两个基元反应.     

InAIAs／GaSbAs／InPDHBT与InP／GaSbAs／InPDHBT性能比较分析

双异质结双极晶体管（DHBT）的性能与发射区-基区（E．B）异质结和基区．集电区（B．C）异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射．扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析．结论表明：与作为当今研究热点的E．B和B．C异质结构均为全交错II型能带结构的InP／GaSbAs／InPDHBT的性能相比,E．B异质结采用传统I型、B．C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs／GaSbAs／InPDHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能．     

808nmInGaAsP／InGaP／GaAs激光器列阵

研制出３０个单元的ＩｎＧＡａＳｐ／ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ分别限制双异质结单量子阱激光器列阵,器件外微分量子效率达７８％,发向波长８０８ｎｍ,准连续输出的光功率达２７Ｗ。     

Magnetic behaviour investigation on symmetric spin valves of Co／Cu／NiFe and NiFe／Cu／Co

In this paper,we have obtained and investigated the magnetic behaviours of the ferromagnetic layer in the symmetric spin valves of Co/Cu/NiFe and NiFe/Cu/Co by measuring with a vibrating sample magnetometer and analysing in terms of the multi-domain Ising models.It has been found that some magnetic layer can have quite different magnetic behaviours in different structures of spin valves,depending on the properties of the under-layer.In our investigation,we have found that the magnetic behaviour of a Co layer depends mainly on the magnetization of the under-layer,whereas this is not the case for the NiFe layer.     

激光指示器／测距仪

激光指示器／测距仪研制情况在武器投放时需要光电技术的支持，这种需求导致了美国空军航空系统实验室提出了对这种光电系统的投标请求。１９７４年］ｔｏｒａｌＡｅｒｏｎｕｔｒｏｎｉｃ公司赢得了初期１５００万美元的合同，１９７６年开始进行飞行试验。１９７８年双签...     

气体NO／SO2／N2／O2等离子体反应机理及动力学分析

本文研究了在低温等离子体条件下,电子碰撞NO/SO2/N2/O2气体引发离解反应的反应机理.应用碰撞理论和波尔兹曼方程分析,对能量分布函数及反应速率常数进行数值模拟,得到离解反应速率常数与温度的曲线,分析预报各反应过程及表现.最后将速率常数拟合为Arrhenius公式的形式.     

光纤／波导器件／光纤系统的损耗分析

测试分析光纤／波导器件／光纤系统的损耗，并介绍几种减小端面耦合损耗的对准方法。     

LITTON TADS LRF／D（激光测距仪／指示器）

ＬＩＴＴＯＮ　ＴＡＤＳ　ＬＲＦ／Ｄ（激光测距仪／指示器）该激光测距仪／指示器（ＬＲＦ／Ｄ）装备在ＭａｒｔｉｎＭａｒｉｅｔｔａ公司的目标捕获指示瞄准具中，并能协助飞行员夜视传感器（ＰＮＶＳ）在夜间或低能见度情况下进行导航和攻击敌方。该系统根据易于维修且...     

Ta／WS／Sn复合涂层等离子喷涂工艺研究

运用等离子喷涂技术制备多层屏蔽复合涂层，根据钽、钨、锡材料的物理特性及工艺特点，分别设计了自动喷涂工艺，既保证了涂层的性能，又提高了喷涂工艺的重复性；在喷涂区域使用氩气保护装置制造局部隋性气氛，简便有效地控制了涂层材料在高温等离子体喷射过程中的氧化：综合使用温度测试、力学拉伸、金相组织及化学成分等分析方法，综合考虑优化喷涂功率、喷涂距离等喷涂参数对基体温度、涂层中氧化物含量、涂层密度的影响，优化喷涂工艺参数，制备出厚度均匀、绢织致密的Ta／W/Sn复合涂层。     

Al／Zr-V／Mo多层膜的XPS分析

采用电阻蒸镀的方法将单一C15相ZrV2合金蒸发，经物理气相沉积在Mo底衬上沉积一层厚度约5μm的Zr-V／Mo膜。再将高纯铝(纯度大于99．99％)蒸发至Zr-V/Mo膜表面，从而制备出Al／Zr-V/Mo多层膜。     

用于留数算术中的数值／留数／数值的转换

介绍用光学方法完成留数算术中的数值/留数/数值的转换,并附有实验结果。     

Si／SiNx／SiO2多层膜的光致发光

采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。     

[Pd／Co—Nb／Pb／Si]多层膜的结构与磁性

用频溅射法制备了两套「Ｐｂ／Ｃｏ－Ｎｂ／Ｐｄ／Ｓｉ」多层膜，分别用Ｘ射线衍射和振动样品磁强计做了结构和磁性测量。随Ｐｄ层厚度增加，Ｐｄ层由非晶态过渡到晶态，并观察到Ｐｄ的ｆｃｃ（１１１）双峰结构，双峰的位置逐渐从两侧向体材料Ｐｄ的ｆｃｃ（１１１）峰的位置靠近。     

Andreev Tunneling Through a Ferromagnet／Quantum－Dot／Superconductor System

We study Andreev tunneling through a ferromagnet/quantum-dot(QD)/superconductor system,By using nonequilibrum Green function method.the averaged occupation of electrons in QD and the Andreev tunneling current are studied.Comparing to the norma-metal/quantum-dot/superconductor,the system shows significant changes:(i) The averaged occupations of spin-up and spin-down electrons are not equal,(ii)With the increase of the polaryzation of ferromagnetic lead,the Andreev reflection current decreases.(iii) However,even the ferromagnetic lead reaches full polarization,the averaged occupation of spin-dowm electrons is not zero,The physics of these changes is discussed.     

YCO／CeO2／LaAlO3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱结合透射电子显微镜对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究。结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，基本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多。ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜。