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| InAIAs／GaSbAs／InPDHBT与InP／GaSbAs／InPDHBT性能比较分析 | |
| 引用本文： | 周守利,杨万春,任宏亮,李伽.InAIAs／GaSbAs／InPDHBT与InP／GaSbAs／InPDHBT性能比较分析[J].物理学报,2012,61(12). |
| 作者姓名： | 周守利 杨万春 任宏亮 李伽 |
| 作者单位： | 1. 浙江工业大学信息工程学院,杭州,310023 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 湘潭大学信息工程学院,湘潭411105 3. 浙江工业大学信息工程学院,杭州310023 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050 |
| 基金项目： | 信息功能材料国家重点实验室2009开放基金，湖南省教育厅项目，湖南省科技厅项目，浙江省自然科学基金( |
| 摘 要： | 双异质结双极晶体管（DHBT）的性能与发射区-基区（E．B）异质结和基区．集电区（B．C）异质结的能带突变类型关系密切，本文基于热场发射．扩散模型，对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析．结论表明：与作为当今研究热点的E．B和B．C异质结构均为全交错II型能带结构的InP／GaSbAs／InPDHBT的性能相比，E．B异质结采用传统I型、B．C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs／GaSbAs／InPDHBT虽然在开启电压上更高，但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能． |
| 关 键 词： | InAlAs/GaSbAs InP/GaSbAs II型双异质结双极晶体管 |
Comparison of the performance for InAIAs/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT |
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| Abstract: | |
| Keywords: | InA1As/GaSbAs InP/GaSbAs II-type DHBT |
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