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测定了24例甲亢治疗前后及30例健康对照的头发锌、硒、钒、锂及锗的含量,发现未治疗的甲亢头发锌、硒、钒、锂及锗含量较对照组低,Zn、Se、Li、Ge,P<0.001,V,P<0.01.甲亢经6~12周抗甲亢药物治疗后.头发中5种元素均较治疗前上升(P<0.001),且头发钒和锂含量治疗后已达到对照组水平,V,P>0.2,Li,P>0.1,而头发锌、晒及锗含量治疗后仍低于对照组(P<0 .001).结论:甲亢头发锌、硒、钒、锂及锗含量降低.经6~12周抗甲亢治疗可使头发钒及锂含量恢复正常水平,而其余3种元素则可能需要更长时间的抗甲亢治疗才能恢复至正常水平。 相似文献
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Si/SiNx/SiO2多层膜的光致发光 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。 相似文献
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为满足微波管放大器对宽频段输入窗的需求,并保证馈源的真空密封需求,提出并设计了一种适用于宽频段微波放大器的同轴输入窗。该宽频段同轴输入窗采用渐变圆环形陶瓷,材料介电常数为9.3,窗片厚度为2.5 mm, 内径为2.14 mm,外径为5 mm,渐变段长度为6.5 mm。利用三维高频电磁仿真软件CST对其建模分析,并对同轴内外结构尺寸和陶瓷渐变结构进行优化仿真,得出该宽频带同轴输入窗能够在10~45 GHz频带内实现插入损耗小于0.5 dB。 相似文献
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基于密度泛函理论的第一性原理研究Fe,Ni单掺杂和(Fe,Ni)共掺杂纤锌矿型ZnO的能带结构、电子态密度分布、介电函数、光学吸收系数,分析了掺杂后电子结构与光学性质的变化.计算结果表明:掺杂体系的费米能级附近电子态密度主要来源于Fe 3d,Ni 3d态电子的贡献;与纯净ZnO相比,Fe,Ni单掺杂和(Fe,Ni)共掺杂ZnO的介电函数虚部均在0.46eV左右出现了一个新峰;Fe,Ni单掺杂和共掺杂ZnO的吸收光谱均发生明显的红移,并都在1.3eV处出现较强吸收峰.结合他人的计算和实验结果,给出了定性的讨
关键词:
氧化锌
掺杂
第一性原理
光学性质 相似文献
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采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂(NTD)后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐照致空位缺陷的影响,而NTD 产生的As掺杂能补偿这些空位缺陷并消除禁带中产生的杂质能级,从而改善半导体掺杂性能.计算还发现,由于较高的电负性,纳米晶中O对Ge原子较强的吸附作用阻止了空位的形成,导致与缺陷相关的非辐射发光中心的浓度减小,发光效率提高,因此中子辐照掺杂前的高温退火处理是非常有必要的.计算较好地解释了已报道的实验结果.
关键词:
Ge纳米晶
中子嬗变掺杂
第一性原理
空位缺陷 相似文献
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采用第一性原理密度泛函理论模拟U在Gd2Zr2O7烧绿石中的固溶,在低浓度U掺杂时,Gd2Zr2O7烧绿石保持烧绿石结构;随着U掺杂浓度增加,Gd2(Zr{2-y}Uy)O7和(Gd{2-y}Uy)Zr2O7体系的晶格常数发生线性变化.计算结果表明,由于总能较低,U原子更偏向于替代无序换位后Gd2Zr2O7晶格中B位的Gd原子. 相似文献
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