InAIAs／GaSbAs／InPDHBT与InP／GaSbAs／InPDHBT性能比较分析

双异质结双极晶体管（DHBT）的性能与发射区-基区（E．B）异质结和基区．集电区（B．C）异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射．扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析．结论表明：与作为当今研究热点的E．B和B．C异质结构均为全交错II型能带结构的InP／GaSbAs／InPDHBT的性能相比,E．B异质结采用传统I型、B．C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs／GaSbAs／InPDHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能．     

贝塞尔晶格中环状涡旋孤子的研究

贝塞尔晶格是在自聚焦光折变晶体中通过光诱导产生的,研究了涡旋光束在贝塞尔晶格中的传输特性。通过数值仿真发现改变参数的值,即改变晶格上外加电场强度的大小、贝塞尔晶格的横向尺度系数以及晶格深度,会出现完全不同的传输结果。这些结果表明:由于晶格的存在,输入的环状涡旋光束可以克服自身因聚焦非线性而引起的方位角调制不稳定性;当条件适当时,涡旋光束可以形成环状涡旋孤子并稳定地传输很长距离;当输入光束的能量并不是完全落在贝塞尔晶格的环状信道中时,在传输过程中光束可能演变成为一个大环环绕一个小环的双环结构。     

InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InP DHBT性能比较分析

双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B) 异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切, 本文基于热场发射-扩散模型, 对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析. 结论表明: 与作为当今研究热点的E-B和B-C异质结构均为全交错II型能带结构的InP/GaSbAs/InP DHBT的性能相比, E-B异质结采用传统I型、B-C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InP DHBT虽然在开启电压上更高, 但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能.     

异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究

异质结界面电荷的存在改变了异质结的内建势, 这引起了界面势垒尖峰高度和形状的扰动, 从而使异质结界面载流子的输运产生相应的变化, 最终导致异质结双极晶体管 (HBT) 性能的改变. 基于热场发射-扩散模型, 对异质结界面电荷对InP/InGaAs HBT性能的改变做了研究, 得到结论是正极性的界面电荷有利于InP/InGaAs HBT的直流和高频特性的改善, 而负极性的界面电荷则使器件的直流和高频特性变差. 关键词： InP/InGaAs异质结双极晶体管 界面电荷 内建势 热场发射     

Evolutions of polarization of quasi-homogeneous beams propagating in Kolmogorov and non-Kolmogorov atmosphere turbulence

In the letter the polarization properties of quasi-homogenous （QH） beam propagating in Kolmogorov and non-Kolmogorov turbulence are studied. The results show that the polarization properties of QH beam undergoes three stages during the propagation in turbulence： in the ＂near field＂, the degree of polarization （Dop） and the state of polarization （Sop） fluctuate with source parameters and transverse position; after that the beam come to the ＂middle field＂ where its properties are affected by source parameters and turbulence perturbation; in the final ＂far field＂, the values come to constants which dependent only on source parameters.