共查询到18条相似文献,搜索用时 828 毫秒
1.
2.
2μm波段激光晶体Tm:YAP的生长缺陷 总被引:1,自引:0,他引:1
采用提拉法沿a、b、c轴方向生长了Tm:YAP晶体,研究了该晶体的几种常见缺陷.通过化学腐蚀,利用光学显微镜观察了Tm:YAP晶体主要晶面的位错腐蚀坑形貌,发现在沿b轴生长晶体的(010)面上存在位错蚀坑密度不同的区域,对其成因进行了分析.借助偏光显微镜研究了晶体中的孪晶及消光现象,分析了成因并提出了消除措施.用He-Ne激光对晶体内的散射颗粒分布进行了研究,在扫描电镜(SEM)下观察到形状不规则的散射颗粒夹杂.上述研究结果对获得优质Tm:YAP晶体具有重要意义. 相似文献
3.
报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40;):HNO3(65;):CH3COOH(99.5;):H2O:I2=2 mL:2 mL:1 mL:1 mL:4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP(110)和(204)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,(110)晶面蚀坑呈四边形,(204)晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度(EPD)约为104/cm2.从理论上对蚀坑形貌的形成机理进行了分析. 相似文献
4.
5.
6.
采用改进的垂直布里奇曼(Bridgman)法自发成核生长AgGaS2晶体,在生长初期对生长安瓿籽晶袋进行上提回熔,生长出外观完整、无裂纹的大尺寸AgCaS2单晶体.采用XRD对晶体进行分析,获得了(112)、(001)和(101)面的高强度尖锐衍射峰.采用不同配比的腐蚀剂对晶体(101)、(112)及(001)晶面进行化学腐蚀,然后采用金相显微镜和扫描电镜观察,结果显示,(101)晶面蚀坑为清晰的近似三角形的四边形蚀坑,(112)晶面蚀坑为清晰的近似三角锥形,(001)晶面则呈现互相垂直的腐蚀线.初步分析了不同蚀坑的形成原因,计算出(101)和(112)面蚀坑密度约为105/cm2数量级.结果表明,改进方法生长出的大尺寸AgGaS2单晶体结构完整、位错密度低,质量较好. 相似文献
7.
首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果.光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界.用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌图,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线.由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等. 相似文献
8.
利用相衬显微镜结合化学腐蚀法,进行了沿 010 方向提拉生长的GdCa4O(BO3)3(GdCOB)晶体中的缺陷观察.发现位错是 010 方向生长的晶体中的重要缺陷.在不同方向的晶体切片上观察了螺位错和刃位错蚀坑,位错塞积,平底蚀坑及尖底蚀坑.位错密度随晶体长度的变化而变化.在晶体的尾部观测到位错密度为103/cm2,而在晶体的初始部位位错密度很低,只有40/cm2.在晶体的X,Z及 401 方向的切片的正反两面观察到的位错蚀坑现象完全不同,可以认为GdCOB晶体为单畴极性晶体,自发极化方向沿z轴方向. 相似文献
9.
10.
11.
本文采用NaOH-KOH混合熔融物和KOH溶液对石榴子石晶体各种不同的结晶学方向的晶面(切面)进行腐蚀实验,建立了石榴子石碱腐蚀像的立体模型,并与酸(HF溶液)腐蚀像模型进行对比.研究发现碱腐蚀像与酸腐蚀像一样能很好的反映晶体的对称特点,并发现在{ 100}、{110}晶面(切面)上碱腐蚀像与酸腐蚀像相同,而在{120}、{221}、{111}、{211}晶面(切面)上,碱腐蚀像与酸腐蚀像不同.该研究可以用来对石榴子石族矿物进行结晶学定向,同时具有揭示矿物所处地质环境酸碱性的指示意义. 相似文献
12.
13.
14.
配合物晶体MnHg(SCN)4中维系晶体结构的化学键是-Mn-NCS-配位键.从MnHg(SCN)4晶体中配位键的分布特点出发,对属于点群4的单形四方四面体、四方柱和平行双面进行分析,确定晶形中不能出现平行双面{001}、四方柱{110},可以出现的单形为四方四面体{101}和{011}及四方柱{100},而且四方四面体{101}和{011}单形最发育.由结构分析得出的晶形特点与实际晶体晶形特点相符. 相似文献
15.
16.
17.
Zh. X Cheng Sh.J. Zhang J.R. Han H.Ch. Chen X.S. Liu Y. Y Yang J. Yang 《Crystal Research and Technology》2001,36(2):135-140
NaY0.99Eu0.01(WO4)2 crystals were grown along <101> and <001> directions. Single crystals with high quality can be obtained when they were grown along <101> direction from a melt with a small deviation from stoichiometric composition. Eu ions exist in two valences in the as‐grown crystals, in one valence after annealing only. The fluorescence spectrum shows the Stark splitting of energy levels of Eu ions is in accordance with the site symmetry of S4. 相似文献
18.
V. V. Atuchin V. G. Kesler I. A. Lisova L. D. Pokrovsky N. A. Pylneva A. M. Yurkin 《Crystal Research and Technology》2003,38(10):896-902
The electronic and structural properties of LiB3O5 (LBO) surfaces have been studied by X‐ray photoemission spectroscopy (XPS) and reflectance high‐energy electron diffraction (RHEED). The as‐grown (110) crystal face and mechanically polished (001) surfaces have been investigated comparatively. Electronic structure of LBO has been determined on as‐grown (110) crystal face previously cleaned by chemical etching with RHEED control. The correlation of valence band structure and measured binding energies with earlier reported results has been discussed. Core‐level spectroscopy reveals strong enriching of mechanically polished LBO surface with carbon, when nanodiamond powder is used as an abrasive. So high carbon level as C:B = 0.7 has been observed at the surface while the ratio Li:B:O remains according to LBO chemical composition. The association of LBO Kikuchi‐lines with strong background has been shown by RHEED analysis of the surface. Thus, the polished LBO surface constitutes a high structure quality LBO with the inclusions of some amorphous carbon compound. (© 2003 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim) 相似文献