Room-temperature anomalous Hall effect and magnetroresistance in (Ga, Co)-codoped ZnO diluted magnetic semiconductor films

This paper reports that the(Ga,Co)-codoped ZnO thin films have been grown by inductively coupled plasma enhanced physical vapour deposition.Room-temperature ferromagnetism is observed for the as-grown thin films.The x-ray absorption fine structure characterization reveals that Co 2+ and Ga 3+ ions substitute for Zn 2+ ions in the ZnO lattice and exclude the possibility of extrinsic ferromagnetism origin.The ferromagnetic(Ga,Co)-codoped ZnO thin films exhibit carrier concentration dependent anomalous Hall effect and positive magnetoresistance at room temperature.The mechanism of anomalous Hall effect and magneto-transport in ferromagnetic ZnO-based diluted magnetic semiconductors is discussed.     

Coordination polyhedron growth mechanism model and growth habit of crystals

A new growth mechanism model, coordination polyhedron growth mechanism model, is introduced from the angle of the coordination of anion and cation to each other at the interface. It is pointed out that the force driving the growth unit to enter the crystal lattice is the electrostatic attraction force between ions, whose relative size can be approximately measured by the electrostatic bond strength (EBS) that reaches a nearest neighbor anion (or cation) in the parent phase from a cation (or anion) at the interface. The growth habits of NaCI, ZnS, CaF2 and Csl crystals are discussed, and a new growth habit rule is proposed as follows. When the growth rate of a crystal is determined by the step generation rate, the growth habit of this crystal is related to the coordination number of the ion with the smallest coordination rate at the interface of various crystal faces. The smaller the coordination number of the ion at the interface, the faster the growth rate of corresponding crystal face. When the growth     

高温闪烁晶体Ce∶LSO的生长研究

Ce∶LSO晶体具有优良的闪烁性能,其主要特点是光产额大、发光衰减时间快、密度大、有效原子序数大、辐射长度短、发射峰与光电倍增管的接收范围相匹配,在γ射线探测方面有着广泛的应用.我们用提拉法生长了不同掺杂浓度的Ce∶LSO晶体,成功地解决了在生长过程中出现的晶体开裂及籽晶熔断问题,并对晶体生长过程中的表面重熔、晶体着色及Ce的偏析等现象作了讨论.荧光光谱分析表明晶体最大激发波长为353nm,发射峰由391nm和425nm处两个峰组成,吸收谱则显示晶体在209～370nm之间具有多个吸收峰.     

纳米晶粒取向连生与枝蔓晶的形成

本文研究了在水热条件下ZnO、BaTiO3、La2/3TiO3和Fe2O3纳米晶粒的取向连生和枝蔓晶的形成。用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了纳米晶粒的取向连生和晶粒相连的枝蔓晶，其枝蔓晶的形成与通常枝蔓晶的形成机理是一致的，都是沿着晶体中负离子配位多面体相互联结的稳定方向，为晶体生长速率最快方向，其分布的对称性与晶体结构的对称性是对应一致的。     

水热盐溶液水解法制备ZrO2纳米晶的取向连生与配向附生

本文报道了采用水热盐溶液水解法制备氧化锆粉体的研究成果。给出了ＺｒＯ２粉体的形貌和前驱物、温度的关系，发现当采用ＺｒＯ（ＮＯ３）２溶液为前驱物，温度升高到２５０℃时制得的ＺｒＯ２粉体的晶粒之间出现取向连生和配向附生现象。作者从负离子配位多面体理论模型角度，提出了把晶粒当作一个大生长基元来考虑，从而更合理地解释了取向连生和配向附生存在的规律性。也从亚微观角度进一步验证了负离子配位多面体理论的合理性。     

水热条件下钛酸钡晶粒生长基元模型研究

以水热法制备钛酸钡微粉（晶粒）实验为基础，通过建立钛酸钡晶粒生长基元的数学模型和基元稳定能计算，对水热条件下钛酸钡晶粒成核和生长过程作了研究 关键词：     

几种极性有机晶体的生长习性与形成机理

有机晶体特别是极性有机晶体, 在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性。本文通过对4-氨基-4'-硝基二苯硫醚(ANDS)等几种典型极性有机晶体在不同溶剂中的生长习性和结晶形貌的讨论, 提出了偶极生长基元叠合模型, 从两个方面探讨了这些习性的形成机理, 即(1)有机晶体在不同的溶剂中具有不同结构和形式的生长基元(对于极性有机晶体而言, 这些生长基元都具有偶极子特征), 而不同的生长基元往晶体的各个面族上叠合的相对速率不同, 从而导致了晶体习性的改变; (2)晶体生长界面的性质不同, 特别是对于极性晶体, 晶体界面的极性不同;不同的溶剂与生长晶体的界面相互作用不同, 即使同种溶剂对晶体不同界面上的作用也不同, 因而改变了生长界面的性质,影响了生长基元在晶体界面, 特别是晶体正、负极面上的叠合速率, 从而导致了晶体形貌的变化。由此比较合理地解释了晶体所呈现的不同的生长习性, 特别是合理地解释了极性有机晶体所呈现的极性生长特征。     

几种极性有机晶体的生长习性与形成机理 2: 分子堆积、界面结构与晶体的习性

极性有机晶体在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性, 主要有两个方面的原因: 一是极性有机晶体属非中心对称性晶类, 晶体具有极轴, 极轴的存在对分子堆积和晶体生长具有重要影响; 另一是极性有机晶体的界面结构不同, 溶剂与晶体界面的相互作用不同, 使得晶体同一面族的生长速率不同, 从而导致了晶体习性的改变。本文从几种典型极性有机晶体的分子排列和结构特征出发, 着重探讨了极性有机晶体的界面结构的差异对晶体习性的影响; 结合晶体生长界面与溶剂分子的相互作用进一步理解了晶体生长的溶剂效应; 通过理解极性有机晶体的习性机制, 探讨了晶体实际形态的控制。     

几种极性有机晶体的生长习性与形成机理Ⅱ.分子堆积、界面结构与晶体的习性

极性有机晶体在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性,主要有两个方面的原因:一是极性有机晶体属非中心对称性晶类,晶体具有极轴,极轴的存在对分子堆积和晶体生长具有重要影响;另一是极性有机晶体的界面结构不同,溶剂与晶体界面的相互作用不同,使得晶体同一面族的生长速率不同,从而导致了晶体习性的改变.本文从几种典型极性有机晶体的分子排列和结构特征出发,着重探讨了极性有机晶体的界面结构的差异对晶体习性的影响;结合晶体生长界面与溶剂分子的相互作用进一步理解了晶体生长的溶剂效应;通过理解极性有机晶体的习性机制,探讨了晶体实际形态的控制.     

升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响

本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由"倒温度差"区间的温度、持续时间和"倒温度差"绝对值综合决定。在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料"倒温度差"区间内温度值变小且减缓反应;同时还使"倒温度差"绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运。同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果。